技术总结
一种具有复合电子阻挡层的近紫外LED的制备方法,在金属有机化合物气相外延反应室中依次生长低温GaN缓冲层、高温u‑GaN层和n‑GaN层,然后接着生长5‑10周期InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区,接着生长厚度为30nm‑80nm的p‑Aly2Inx2Ga1‑x2‑y2N电子阻挡层;接着在该p‑Aly2Inx2Ga1‑x2‑y2N电子阻挡层上生长多周期超晶格结构的p‑Aly2Ga1‑y2N/Aly1Inx1Ga1‑x1‑y1N复合电子阻挡层,最后通入Cp2Mg作为p型掺杂源,生长厚度为2nm‑3nm的p‑InGaN。本发明提高紫外光LED的有源区空穴注入效率,缓解有源区受到的压应力,改善水平方向空穴扩展,进而提高近紫外LED的发光效率。
技术研发人员:贾传宇;殷淑仪;张国义
受保护的技术使用者:东莞市中镓半导体科技有限公司
文档号码:201611208338
技术研发日:2016.12.23
技术公布日:2017.05.31