显示设备及显示设备的制造方法与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年12月29日在日本提交的专利申请no.2015-257697、以及2016年9月2日在日本提交的专利申请no.2016-172061的优先权的权益，上述日本专利申请的全文通过引用并入本文。

本发明涉及显示设备及显示设备的制造方法。

背景技术：

有机电致发光显示设备使用有机发光二极管(oled)显示图像(参照日本专利申请特开no.2014-163991)。在此，将oled型显示设备称作显示设备。

构成显示设备的图像显示单元的各像素包括作为自发光装置的有机发光二极管和像素电路的层叠体。像素电路向有机发光二极管供给驱动电流。像素电路包括薄膜晶体管(tft)和存储电容器。

根据从外部获得的图像信号来确定显示设备的多个像素的各像素的亮度。显示设备控制像素电路，从而将与亮度相对应的驱动电流供给到有机发光二极管。

技术实现要素：

存在与图像信号相对应的电流和实际供给到有机发光二极管的驱动电流相互不一致的情况。由于这种不一致，存在有在显示面板上有机发光二极管的亮度不均的情况(所谓的亮度不均)。

根据本发明的一个方面的显示设备包括：发光装置，在发光装置中，第一电极、发光层以及第二电极层叠；像素电路，其配置于所述发光装置的下侧，并具有包括连接到所述第一电极的源极电极并控制供给到所述发光装置的电流的驱动晶体管；第一金属板和第二金属板，所述第一金属板和第二金属板隔着所述第一电极面向所述发光层配置；以及第一绝缘层，其配置于所述第一电极与所述第一金属板以及所述第二金属板之间。所述第一金属板连接到所述驱动晶体管的栅极电极，所述第二金属板连接到第一电压线，所述第一金属板和所述第二金属板配置在同一平面。

应当理解，上面的概述和下面的详述均是示例性和解释性的，而不旨在限制本发明。

上面的和进一步的目标和特征通过下面结合附图的详细说明将变得明显。

附图说明

图1是非限制性显示设备的示例的外观图；

图2是表示像素的配置的示意图；

图3是表示驱动有机发光二极管的电路的等效电路图；

图4是显示设备的示意剖视图；

图5是像素的示意俯视图；

图6是第二绝缘层的示意俯视图；

图7是移除第二绝缘层之后的像素的示意俯视图；

图8是第一电极的示意俯视图；

图9是金属板层的示意俯视图；

图10是表示制作绝缘膜的方法的示意图；

图11是表示绝缘膜的厚度不均的图；

图12是单位绝缘膜的俯视图；

图13是单位绝缘膜的剖视图；

图14是表示显示面板的制造流程的流程图；

图15是表示显示面板的制造工序的示意图；

图16是表示显示面板的制造工序的示意图；

图17是表示显示面板的制造工序的示意图；

图18是表示显示面板的制造工序的示意图；

图19是表示显示面板的制造工序的示意图；

图20是表示显示面板的制造工序的示意图；

图21是表示显示面板的制造工序的示意图；

图22是表示显示面板的制造工序的示意图；

图23是表示显示面板的制造工序的示意图；

图24是表示显示面板的制造工序的示意图；

图25是表示显示面板的制造工序的示意图；

图26是表示显示面板的制造工序的示意图；

图27是表示显示面板的制造工序的示意图；

图28是表示显示面板的制造工序的示意图；

图29是表示显示面板的制造工序的示意图；

图30是表示显示面板的制造工序的示意图；

图31是表示显示面板的制造工序的示意图；

图32是表示显示面板的制造工序的示意图；

图33是表示显示面板的制造工序的示意图；

图34是表示显示设备的硬件结构的图；

图35是表示根据实施方式2的驱动有机发光二极管的电路的等效电路图；

图36是表示根据实施方式2的输入电压vinput的时序图；

图37是表示根据实施方式3的驱动有机发光二极管的电路的等效电路图；

图38是表示根据实施方式4的驱动有机发光二极管的电路的等效电路图；

图39是根据实施方式5的非限制性显示设备的示例的示意剖视图；

图40是根据实施方式5的像素的示意俯视图；

图41是根据实施方式5的第二绝缘层的示意俯视图；

图42是表示根据实施方式5的显示面板的制造工序的示意图；

图43是表示根据实施方式5的显示面板的制造工序的示意图；

图44是表示根据实施方式5的显示面板的制造工序的示意图；

图45是表示根据实施方式5的显示面板的制造工序的示意图；

图46是表示根据实施方式5的显示面板的制造工序的示意图；

图47是表示根据实施方式5的显示面板的制造工序的示意图；

图48是表示根据实施方式5的显示面板的制造工序的示意图；

图49是根据实施方式6的非限制性显示设备的示例的示意剖视图；

图50是根据实施方式6的像素的示意俯视图；

图51是根据实施方式7的非限制性显示设备的示例的示意剖视图；

图52是根据实施方式7的像素的示意俯视图；

图53是根据实施方式8的非限制性显示设备的示例的示意剖视图；

图54是实施方式8的比较例的显示设备的示意剖视图；

图55是表示根据实施方式9的驱动有机发光二极管的电路的等效电路图；

图56是与根据实施方式9的电路的驱动有关的时序图；以及

图57是表示根据实施方式9的电路中的vd及vs的变化的图。

具体实施方式

以下，参照相关的图对根据实施方式的显示设备进行说明。在本文所示的说明书和权利要求书中，例如“第一”和“第二”的序数是为了明确要素之间的关系并防止要素之间的混淆而标注的。因此，这些序数不是为了以数量方式限定要素而标注的。

各图示的构成要素的尺寸、比率等可能没有图示为与实际的构成要素一致。另外，为了便于图示或附图说明，实物中包含的构成要素可以省略或者图示的构成要素的尺寸可以根据实物中包含的构成要素放大。

称作“连接”的用语表示连接对象电连接。“电连接”包括连接对象经由例如电极、配线、电阻器或电容器的电气元件连接的情况。在此，用语“电极”或“配线”不功能性限定这些构成要素。例如，“配线”可用作“电极”的一部分。反之，“电极”可用作“配线”的一部分。

[实施方式1]

图1是非限制性显示设备10的示例的外观图。图1是从前侧、即显示图像的面的侧观察显示设备10的图。显示设备10是显示静止图像和运动图像的装置。显示设备10用于组装到电子设备中使用。电子设备例如是智能电话、平板终端、个人计算机、电视机等。根据本实施方式的显示设备10是oled的显示面板(以下，简称为显示面板)。在以下的说明中，使用各图的上侧、下侧、左侧以及右侧。

显示设备10包括第二基板12、驱动ic13、柔性印刷电路(fpc)14、以及显示基板16。显示基板16是在一个面包括图像显示单元15、驱动电路20以及未图示的配线等的玻璃制基板。

第二基板12例如是覆盖图像显示单元15和驱动电路20的玻璃制的基板。第二基板12可以是柔性基板。第二电极19和第二基板12之间的空间27(参照图4)通过包围图像显示单元15和驱动电路20的密封单元25密封为气密。在空间27中，封入例如氮气的惰性气体。

驱动ic13是使用各向异性导电膜安装在显示基板16上并且与显示基板16导通的集成电路。下面对驱动ic13的功能进行说明。

fpc14是连接到显示基板16的具有柔性的基板。显示基板16中包括的fpc14、驱动ic13以及驱动电路20经由未图示的配线相互连接。显示设备10经由fpc14从电子设备的控制单元获取图像信号。

图像显示单元15包括规则配置的多个像素90(参照图2)。图像显示单元15被第二电极19覆盖。每个像素90包括三个子像素99(参照图5)。下面对像素90和子像素99之间的关系进行说明。

每个子像素99包括有机发光二极管97(参照图3)以及控制供给到有机发光二极管97的电流的像素电路(参照图3)。有机发光二极管97基于由像素电路供给的电流而发光。下面对像素电路进行说明。

第二电极19是连接到各子像素99的公共电极。第二电极19例如是氧化铟锡(ito)、透明导电墨、石墨烯等制成的半透明电极。第二电极19的材料例如可以是将银(ag)、镁(mg)、钙(ca)等层叠为非常薄的膜得到的材料，或者它们的合金(例如，mgag合金)。第二电极19是根据本实施方式的有机发光二极管97的阴极电极。

驱动电路20包括扫描驱动器21、数据驱动器22、发射驱动器23以及保护电路24。驱动电路20通过半导体工艺形成。另外，驱动电路20的一部分可将其功能内置于驱动ic13，并且不形成在显示基板16上。另外，数据驱动器22可不形成在显示基板16上。以下，对驱动电路20的概略进行说明。

扫描驱动器21沿图像显示单元15的左侧位于图像显示单元15的外侧。扫描驱动器21以行为单位依次驱动各行中配置的多个像素90，由此控制发光时序。换言之，扫描驱动器21驱动从扫描驱动器21沿水平方向延伸的配线(参照图2)，由此控制像素90的发光时序。以下，配线可适当称作扫描线。

在图1中，竖直方向所示的粗线表示扫描方向。通过进行要驱动的扫描线在扫描方向上的切换，扫描驱动器21对图像显示单元15施加时序信号。扫描驱动器21切换扫描线的顺序可以是从图像显示单元15的上侧向下侧的顺序以及从下侧向上侧的顺序中的任一者。另外，扫描驱动器21可以按照任意的顺序进行扫描线的切换。另外，根据其用途，存在同时选择两个或更多个扫描线进行驱动并且以组合的方式进行切换的情况。

数据驱动器22沿图像显示单元15的下侧位于图像显示单元15的外侧。数据驱动器22根据从fpc14获取的图像信号，将表示像素90的亮度的数据电压输出到图像显示单元15的数据线。数据电压同时存储在排列在一个扫描线上的各像素90的电容器中。

发射驱动器23沿图像显示单元15的右侧位于图像显示单元15的外侧。发射驱动器23是控制图像显示单元15内设置的各有机发光二极管97的发光时序的电路。

保护电路24沿图像显示单元15的上侧位于图像显示单元15的外侧。保护电路24是防止由于静电放电等引起的显示面板的损坏的电路。

图2是表示像素90的配置的示意图。像素90以矩阵图案配置于图像显示单元15上。扫描驱动器21和数据驱动器22位于图像显示单元15的外侧。从扫描驱动器21沿水平方向延伸的各配线连接到像素90。另外，从数据驱动器22沿竖直方向延伸的各配线连接到各像素90。换言之，各像素90连接到扫描驱动器21和数据驱动器22。

如上所述，各像素90包括三个子像素99。扫描驱动器21和数据驱动器22向各像素90输出的信号输入到三个子像素99。下面对扫描驱动器21和数据驱动器22向各像素90输出的信号进行说明。

图3是表示驱动一个有机发光二极管97的电路的等效电路图。在图3中，使用表示有机发光二极管的oled的附图标记表示一个有机发光二极管97。使用图2中的矩形表示的各像素90包括三个图3所示的电路。换言之，各子像素99包括一个图3中所示的电路。图3所示的电路是一个子像素99中包括的像素电路的示例。

图3中所示的像素电路是控制有机发光二极管97的发光的电路，并且包括第一电容器91、第二电容器92、开关晶体管96以及驱动晶体管98。驱动晶体管98的源极电极是根据本实施方式的源极电极的示例。驱动晶体管98的栅极电极是根据本实施方式的栅极电极的示例。

高电源线elvdd、低电源线elvss、输入线vinput、开关线s1以及固定电位线vfix连接到电路。在此，低电源线是被供给具有比高电源线的电压值低的电压值的电压的电源线。输入线vinput连接到数据驱动器22。输入线vinput的电压交替地变化到参考电压vref(第三电压的示例)和数据电压中的一者。数据电压是表示驱动有机发光二极管97时的发光亮度的电压。开关线s1连接到扫描驱动器21。

输入线vinput连接到开关晶体管96的漏极电极。开关线s1连接到开关晶体管96的栅极电极。高电源线elvdd连接到驱动晶体管98的漏极电极。低电源线elvss连接到有机发光二极管97的阴极电极。固定电位线vfix(换言之，第一电压线)连接到第二电容器92的第一端子。第二电容器92的第一端子例如是图4所示的第二金属板352。根据本实施方式的驱动晶体管98和开关晶体管96是n型tft。

开关晶体管96的源极电极连接到第一电容器91的第一端子和驱动晶体管98的栅极电极。第一电容器91的第一端子连接到驱动晶体管98的栅极电极。驱动晶体管98的源极电极连接到第一电容器91的第二端子、第二电容器92的第二端子以及有机发光二极管97的阳极电极。第一电容器91的第一端子例如是图4中所示的第一金属板351。

在此，图4中所示的第一电极18(例如，有机发光二极管97的阳极电极)用作第一电容器91的第二端子以及第二电容器92的第二端子。

有机发光二极管97基于从开关线s1和输入线vinput输入的信号而发光。下面对开关晶体管96和驱动晶体管98的操作进行详细说明。

图4是显示设备10的示意剖视图。图4以放大比例表示包括一个有机发光二极管97的部分。在以下的说明中，示意剖视图的上侧表示显示设备10的前侧。

显示设备10可具有tfe封装结构，其中图像显示单元15被交替重叠无机膜和有机膜得到的多层薄膜封装(tfe)叠层覆盖。该情况下，显示设备10不包括第二基板12和空间27。

显示基板16包括第一层叠体61和第二层叠体62。第一层叠体61包括层叠有第一电极18、有机发光层47以及第二电极19的有机发光二极管97。详细进行说明，第一层叠体61包括第一电极18、第二绝缘层46、有机发光层47以及第二电极19。第一层叠体61也称作oled层。另外，第二层叠体62也称作tft层或像素电路层。在第二层叠体62中，第一晶体管371例如对应于控制供给到有机发光二极管97的电流的驱动晶体管98(参照图3)。另外，在第二层叠体62中，第二晶体管372对应于控制驱动晶体管98的操作的开关晶体管96(参照图3)。如此，显示设备10包括配置在有机发光二极管97的下侧的像素电路(参照图3)。在此，该下侧表示图4的图的下侧。

第一电极18是针对每个有机发光二极管97分离的电极。第一电极18具有平面状。第一电极18例如是层叠有ito、银以及ito的三层结构的电极。第一电极18是本实施方式的有机发光二极管97的阳极电极。

第二绝缘层46位于第一电极18上。在第二绝缘层46中，设置有未覆盖第一电极18的开口部461。在以下的说明中，将开口部461以外的绝缘层46称作非开口部462。第二绝缘层46是有机材料制成的层。

有机发光层47位于开口部461中以及开口部461的外围。有机发光层47是当流过电流时发光的有机化合物的层。有机发光层47由例如空穴注入层(hil)/空穴传输层(htl)/el/电子传输层(etl)/电子注入层(eil)等多个层构成。在此，“/”表示符号前后的层的层叠。第二电极19位于有机发光层47和第二绝缘层46上。

第二层叠体62包括第一基板11、栅极32(也称作栅极部32或栅极电极32)、第三绝缘层42、半导体部31、源极漏极33(也称作源极漏极部33或源极漏极电极33)、蚀刻阻挡部34、平坦化层45、金属板层35以及第一绝缘层43。第一基板11例如是矩形玻璃基板。第一基板11例如可以是柔性基板。

栅极32位于第一基板11上。栅极32部分地覆盖第一基板11。栅极32具有下述的预定形状。栅极32的材料例如是钼或铝等纯金属。栅极32的材料例如可以是钼/铝、钛/铝/钛、ito或它们的合金。在此，“/”表示符号前后的金属层叠体以及符号前后的金属的合金。栅极32可以是纯金属和合金的层叠体。在此列举的材料是示例，栅极32的材料不限于在此列出的材料。

第三绝缘层42覆盖栅极32以及未被栅极32覆盖的第一基板11的整个面。第三绝缘层42例如是氧化硅等绝缘材料制成的层。

半导体部31位于第三绝缘层42上。半导体部31部分地覆盖第三绝缘层42。半导体部31具有下述的预定形状。半导体部31例如是由例如氧化物半导体的半导体制成的层。氧化物半导体例如是ingazno。

蚀刻阻挡部34位于半导体部31上。虽然图4中所示的剖面未示出，但是蚀刻阻挡部34也位于设置在半导体部31的外围的第三绝缘层42上。蚀刻阻挡部34部分覆盖半导体部31和第三绝缘层42。蚀刻阻挡部34具有如下所述的预定形状。蚀刻阻挡部34例如是氧化硅制成的层。

源极漏极33位于蚀刻阻挡部34、未被蚀刻阻挡部34覆盖的半导体部31、以及未被半导体部31或蚀刻阻挡部34覆盖的第三绝缘层42上。源极漏极33部分覆盖蚀刻阻挡部34、半导体部31以及第三绝缘层42。源极漏极33具有下述的预定形状。

第二晶体管372的源极漏极33和第一晶体管371的栅极32经由第一导电部65连接。

源极漏极33由导体制成。源极漏极33的材料例如是钼或铝等纯金属。源极漏极33的材料可以是钼/铝、钛/铝/钛、ito或它们的合金。源极漏极33可以是纯金属和合金的层叠体。在此列举的材料是示例性的，源极漏极33的材料不限于在此列出的材料。

源极漏极33的材料可以与栅极32的材料不同。另外，源极漏极33的材料可以与栅极32的材料相同。

平坦化层45覆盖源极漏极33、未被源极漏极33覆盖的蚀刻阻挡部34、以及未被蚀刻阻挡部34或源极漏极33覆盖的第三绝缘层42的整个面。在平坦化层45与源极漏极33、蚀刻阻挡部34以及第三绝缘层42之间，插设有未图示的无机绝缘层。

平坦化层45是有机材料制成的层。平坦化层45的材料例如是感光性丙烯酸树脂。无机绝缘层的材料例如是sinx、siox或sinx/siox。

金属板层35位于平坦化层45上。金属板层35包括第一金属板351和第二金属板352。换言之，金属板层35不是覆盖平坦化层45的整个面的层，而是部分覆盖平坦化层45的层。在第一金属板和第二金属板之间具有缝隙空间。因此，平坦化层45包括设置有金属板层35的部分以及未设置有金属板层的部分二者。下面对金属板层35的形状进行说明。

第一金属板351经由第二导电部66连接到第二晶体管372的源极漏极33。因此，第一金属板351经由第二导电部66、第二晶体管372的源极漏极33以及第一导电部65连接到第一晶体管371的栅极32。换言之，第一金属板351和第一晶体管371的栅极32连接在一起。

金属板层35的厚度例如是约100纳米至300纳米。金属板层35的总面积比第一电极18的总面积略小。第二金属板352的面积优选比第一金属板351的面积大。其理由在下面进行说明。

金属板层35例如是钼或铝等的纯金属制成的板。金属板层35例如可以是钼/铝、钛/铝/钛、ito或它们的合金制成的板。金属板层35可以是纯金属和合金的层叠体的板。在此列举的材料是示例，金属板层35的材料不限于在此列举的材料。

如上所述，显示设备10的第一金属板351和第二金属板352配置在同一层。换言之，第一金属板351和第二金属板352配置在同一平面(例如，平坦化层45的正面)上。

第一绝缘层43覆盖金属板层35和未被金属板层35覆盖的平坦化层45的整个正面。因此，相同的第一绝缘层配置在第一金属板和第二金属板上，并覆盖第一金属板和第二金属板之间的缝隙空间。第一绝缘层43的厚度例如是约100纳米至300纳米。配置在第一金属板351的上侧的第一绝缘层43的厚度等于配置在第二金属板352的上侧的第一绝缘层43的厚度。第一绝缘层43例如是氮化硅制成的层。

第一电极18位于第一绝缘层43上。第一电极18部分覆盖第一绝缘层43。第一电极18具有下述的预定形状。第一电极18和第一金属板351之间的距离等于配置在第一电极18和第一金属板351之间的第一绝缘层43的厚度。第一电极18和第二金属板352之间的距离等于配置在第一电极18和第二金属板352之间的第一绝缘层43的厚度。因此，第一电极18和第一金属板351之间的距离等于第一电极18和第二金属板352之间的距离。

如上所述，在第一电极18的上侧，配置了有机发光层47。第一金属板351和第二金属板352隔着第一绝缘层43和第一电极18与有机发光层47面对(也称作对置)。

如上所述，第一绝缘层43配置在第一电极18与第一金属板351以及第二金属板352之间。换言之，显示设备10包括在第一金属板351和第一电极18之间以及第二金属板352和第一电极18之间相同的第一绝缘层43。另外，第一金属板351和第一电极18之间的距离等于第二金属板352和第一电极18之间的距离。

第一金属板351和第二金属板352隔着第一层叠体61中的第一电极18与有机发光层47面对(也称作对置)地配置。第二绝缘层46配置在与配置有第一金属板351和第二金属板352的层不同的层上。虽然图4中未图示，但是如参照图3所说明的，第二金属板352连接到第一电压线(例如，固定电位线vfix)。第一金属板351和第二金属板352处于电气非接触状态(换言之，处于绝缘状态)。

第一电极18和源极漏极33经由第三导电部67相互连接。第三导电部67具有连接第一电极18和第一金属板351的导体连接在连接第一金属板351和源极漏极33的第二导电部66上的结构。连接到第三导电部67的源极漏极33用作根据本实施方式的源极电极。

半导体部31、栅极32以及源极漏极33形成晶体管37。图4中的晶体管37是为了说明显示设备10的结构的概要的示意图。晶体管37包括第一晶体管371和第二晶体管372。上述的源极电极和栅极电极例如是驱动晶体管98的源极电极和栅极电极。

如上所述，在第二层叠体62中，配置有控制供给到有机发光二极管97的电流的第一晶体管371。第一金属板351经由第二导电部66、第二晶体管372的源极漏极33以及第一导电部65连接到第一晶体管371的栅极电极。第二层叠体62包括经由第三导电部67连接到第一电极18的第一晶体管371的源极电极(也称作第一晶体管电极)。

图5是像素90的示意俯视图。像素90以矩形图案配置于图像显示单元15。在彩色显示用的显示设备10中，例如，将包括红色、绿色和蓝色的三色的有机发光二极管97的发光亮度组合，来表现图像信号中包括的一个像素的颜色。因此，将包括一种颜色的有机发光二极管97的部分称作子像素99，将三个子像素99的组称作像素90。

各色的子像素99除发光色以外相同。每个子像素99具有矩形形状。子像素99包括四角形(也称作四边形)的发光部17。

以下说明的图6至图9表示与图5所示的范围相同的范围。图6是第二绝缘层46的示意俯视图。第二绝缘层46具有平面状。设置在第二绝缘层46中的开口部461具有矩形形状。各子像素99的非开口部462连接在一起。

图7是移除了第二绝缘层46的像素90的示意俯视图。图7表示第一电极18和金属板层35。

图8是第一电极18的示意俯视图。第一电极18具有l字型。一个子像素99包括一个第一电极18。第一电极18比开口部461大。换言之，在开口部461下方，设置有第一电极18。

图9是金属板层35的示意俯视图。金属板层35包括具有矩形形状的第一金属板351、以及未连接到第一金属板351的第二金属板352。一个子像素99包括一个第一金属板351。各子像素99的第二金属板352连接在一起。

参照图4至图9继续显示设备10的结构的说明。

对发光部17进行说明。第一晶体管371控制供给到有机发光二极管97的电流。电流从第一电极18流向第二电极19。换言之，空穴从第一电极18侧进入有机发光层47的内部，电子从第二电极19侧进入有机发光层47的内部。

在有机发光层47的内部，当根据空穴和电子的再结合而产生的激子返回到接地状态时，产生光。换言之，有机发光层47根据流经第一电极18和第二电极19之间的电流而发光。

对第二绝缘层46进行说明。第二绝缘层46具有防止有机发光层47的混色的作用、以及消除不需要的发光区域的作用这两个作用。对防止混色的作用进行说明。在第二绝缘层46的一个开口部461内，设置有一种颜色的有机发光层47。虽然存在由于制造装置的误差等导致有机发光层47的形成范围偏离的情况，但是这种偏离残留在被非开口部462覆盖的范围内，另一相邻的开口部461未被有机发光层47覆盖。以这种方式，由于非开口部462位于多个色之间的各边界部，因此第二绝缘层46实现防止混色的作用。

对消除不需要的发光区域的作用进行说明。在第二绝缘层46插设在第一电极18和有机发光层47之间的部分中，第一电极18和有机发光层47由于第二绝缘层46而相互绝缘，因此不流经电流。因此，有机发光层47不发光。因此，在有机发光层47中实际发光的发光部17是有机发光层47中的与开口部461相对应的部分。以这种方式，通过妨碍非开口部462中的有机发光层47的发光，第二绝缘层46实现消除不需要的发光区域的作用。

如上所述，显示设备10包括平面状的第二绝缘层46，该第二绝缘层46包括将有机发光二极管97的发光输出到外部的开口部461以及不开口的非开口部462。

对使用金属板层35和第一电极18的电容器的形成进行说明。第一金属板351隔着第一绝缘层43与第一电极18面对(对置)。第一金属板351、第一绝缘层43以及第一电极18形成第一电容器91(参照图3)。第一电容器91的电容基于第一金属板351和第一电极18彼此面对的面积、以及第一绝缘层43的厚度和介电常数来确定。

同样地，第二金属板352、第一绝缘层43以及第一电极18形成第二电容器92(参照图3)。第二电容器92的电容基于第二金属板352和第一电极18彼此面对的面积、以及第一绝缘层43的厚度和介电常数来确定。第一电容器91和第二电容器92通过第一电极18串联连接。如上所述，第一电极18通过第三导电部67连接到源极漏极33。第三导电部67位于非开口部462的下侧。

如上所述，第一电容器91包括第一电极18、第一绝缘层43以及第一金属板351。另外，第二电容器92包括第一电极18、第一绝缘层43以及第二金属板352。第一电容器91和第二电容器92串联连接。第一电容器91和第二电容器92之间的连接点连接到源极电极。第一电极18连接到源极电极。第一电极18和源极电极的连接点被非开口部462覆盖。

对第一电容器91和第二电容器92的操作进行说明。在有机发光二极管97发光的情况下，在有机发光二极管97的阳极电极与阴极电极之间流经驱动电流ioled(参照图3)。驱动电流ioled与在驱动晶体管98的源极电极与驱动晶体管98的漏极电极之间流经的输出电流imd相等。下面对输出电流imd进行说明。驱动电流ioled可使用等式(1)求出。在实施方式2中对导出等式(1)的方法进行说明。

在此，ioled(imd)是有机发光二极管97的阳极电极与阴极电极之间流经的驱动电流。

β是增益系数。

c1是第一电容器91的电容。

c2是第二电容器92的电容。

vdata是表示使有机发光二极管97发光时的发光亮度的数据电压。

vref是参考电压。

μ是载流子迁移率。

cox是单位电容。

w是驱动晶体管98的沟道宽度。

l是驱动晶体管98的沟道长度。

基于等式(1)，流经有机发光二极管97的电流ioled未被驱动晶体管98的特性(例如，阈值电压)影响。基于等式(1)可知，通过减小第一电容器91的电容c1和第二电容器92的电容c2之间的变动，能够抑制驱动电流ioled的变动。通过抑制驱动电流ioled的变动，能够提高显示设备10的亮度均匀性。

各子像素99内的第一绝缘层43的厚度和介电常数的变动例如可通过使用化学气相沉积(cvd)制作第一绝缘层43来减小。另外，各子像素99内的、第一金属板351的面积的变动以及第二金属板352的面积的变动可通过利用光刻法同时制作第一金属板351和第二金属板352来减小。下面对根据本实施方式的显示设备10的制造方法进行详细说明。

通过减小各子像素99内的第一金属板351和第二金属板352之间的面积变动以及它们的面积之间的比率的变动，能够减小各子像素99的第一电容器91的电容c1和第二电容器92的电容c2之间的变动。其理由在下面进行说明。

图10是表示制作绝缘膜74的方法的示意图。绝缘膜74例如用作第一绝缘层43。载置台71是在其上载置基板72的台。基板固定部73将基板72固定于载置台71。基板72也称作母板72，基板固定部73也称作基板按压部73。

以下，以在具有平板状的基板72上制作具有均匀的厚度的绝缘膜74的情况为例进行说明。

制造装置供给气体原料并在基板72的一面上沉积绝缘膜74。在图10中，附图标记c表示绝缘膜74的中心。另外，在图10中，附图标记e1和e2表示形成有绝缘膜74的范围的端部。基板72是可通过分割基板72而分割为多个第一基板11的大小的平板。不使用设置在第一端e1和第二端e2的外侧的绝缘膜74。在以下的说明中，与一个第一基板11相对应的大小的绝缘膜74称作单位绝缘膜75。这一个第一基板11例如是安装在一个显示设备10(参照图1)中的一个显示面板。将配置在第二端e2侧的单位绝缘膜称作单位绝缘膜76。

图11是表示绝缘膜74的厚度不均的图。图11中所示的图是示例。在图11中，横轴表示距绝缘膜74的中心c的距离。在图11中，纵轴表示绝缘膜74的厚度。细实线表示理想的绝缘膜74的厚度。粗曲线表示实际制作的绝缘膜74的厚度。

如使用图11的细实线所示，理想的是，绝缘膜74从中心c到第一端e1和第二端e2具有同一厚度。但是，实际上，当位置从中心c接近第一端e1或第二端e2时，绝缘膜74变薄。

另外，图11所示的图是表示绝缘膜74的厚度不均的概念图。根据制造装置的型号、设置等，图11所示的图的形状不同。通常，存在绝缘膜74的膜厚随着绝缘膜的一部分远离基板72的中心c而与理想的膜厚偏离的情况。换言之，存在绝缘膜74的膜厚与理想的膜厚不同的情况，尽管略微不同。

图12是单位绝缘膜75的俯视图。图13是单位绝缘膜75的剖视图。在图12和图13中，左侧表示中心c侧，右侧表示第二端e2侧。

第一区域751的单位绝缘膜75的膜厚设为d1。另外，第二区域752的单位绝缘膜75的膜厚设为d2。以膜厚d1为单位绝缘膜75的理想的膜厚的情况为例进行说明。为了说明，在图12中，以放大的比例示出第一区域751和第二区域752。第一区域751和第二区域752中的各区域的面积是多个子像素99(例如，纵100像素×横100像素)的像素面积。在第一区域751的内部和第二区域752的内部，单位绝缘膜75的膜厚假设恒定。

以使用单位绝缘膜75用作第一绝缘层43(参照图4)的情况为例进行说明。在计算设置在第一区域751内的一个子像素99的驱动电流的计算等式(参照等式(1))中，该计算等式中包含的c2/(c2+c1)可由等式(3)表示。

c1是第一电容器91的电容。

c2是第二电容器92的电容。

a1是第一金属板351的面积。

a2是第二金属板352的面积。

ε是单位绝缘膜75的介电常数。

d1是第一区域751内的单位绝缘膜75的膜厚。

由等式(3)可知，第一区域751内的单位绝缘膜75的膜厚d1被抵消，c2/(c2+c1)与a2/(a2+a1)的值相等。

另一方面，在用于计算配置于第二区域752内的一个子像素99的驱动电流的计算等式(参照等式(1))中，该计算等式中包含的c2/(c2+c1)可由等式(4)表示。

其中，d2是配置在第二区域752内的单位绝缘膜75的膜厚。

由等式(4)可知，第二区域752内设置的单位绝缘膜75的膜厚d2被抵消，并且c2/(c2+c1)与a2/(a2+a1)的值相等。

如上所述，在第二区域752中，单位绝缘膜75的膜厚d2与理想的膜厚d1不同。但是，在电容c1、电容c2、面积a1以及面积a2之间，满足与第一区域751相同的关系式。

因此，通过减小第一金属板351的面积a1以及第二金属板352的面积a2的变动以及面积之间的比率的变动，能够减小各子像素99的c2/(c2+c1)的变动。

换言之，根据本实施方式，等式(3)成为等式(4)，并且可抵消膜厚的变动。然后，通过准确地规定第一金属板351的面积a1和第二金属板352的面积a2而将数据电压vdata和参考电压vref设置为相同，第一区域751的各子像素99的驱动电流和第二区域752的各子像素99的驱动电流变得实质上相同。其结果，能够抑制发光亮度的变动。例如，在将第一区域751的各子像素99的发光亮度和第二区域752的各子像素99的发光亮度控制为相同的情况下，能够进一步抑制发光亮度的变动，因此难以发生亮度不均。

对比较例进行说明。在比较例中，与图3所示的第一电容器91相对应的电容器是第一电容器x，与图3所示的第二电容器92相对应的电容器是第二电容器y。在比较例中，例如，假定通过不同的工序在相互不同的层中制作第一电容器x的绝缘层和第二电容器y的绝缘层的情况。在比较例中，例如，在包括例如驱动tft的tft的层中制作第一电容器x的绝缘层，在oled层中制作第二电容器y的绝缘层。

此外，以第一电容器x的绝缘层和第二电容器y的绝缘层的材料相同并且介电常数ε相等的情况为例进行说明。

第一电容器x的绝缘层与图13所示的情况相同，设为在第一区域751中具有理想的膜厚d1并且在第二区域752中具有与理想的膜厚d1不同的膜厚d2。以第二电容器y的绝缘层在第一区域751中具有理想的膜厚d1并且在第二区域752中具有与理想的膜厚d1不同的膜厚d2’的情况为例进行说明。在此，假设d2和d2’相互不同。

在根据比较例的配置在第一区域751内的子像素中，形成两个电容器的绝缘膜的厚度均为d1，因此等式(3)所示的关系成立。同时，根据比较例的第二区域752内的子像素的第一电容器x的电容c1以及第二电容器x的电容c2可使用等式(5)表示。

以这种方式，在通过不同的工序制作第一电容器x的绝缘层和第二电容器y的绝缘层的比较例中，为了通过使用各子像素99内的第一金属板351的面积a1和第二金属板352的面积a2而控制各子像素的c2/(c2+c1)的值，使厚度d2和d2’配置成相同存在困难，换言之，将第一电容器x的绝缘层和第二电容器y的绝缘层制造为具有相同的膜厚分布存在困难。

换言之，在等式(3)和等式(5)不相同的情况下，即使数据电压vdata和参考电压vref相同，根据比较例的第一区域751的各子像素的驱动电流和根据比较例的第二区域752的各子像素的驱动电流相互不同。其结果，存在即使将根据比较例的第一区域751的各子像素的发光亮度和根据比较例的第二区域752的各子像素的发光亮度控制为相同但发光亮度也变动的情况。

在以上的说明中，对单位绝缘膜75进行了说明，但同样的说明也适应于其它的单位绝缘膜(例如，单位绝缘膜76)。

总之，根据本实施方式，通过减小各子像素99内的第一金属板351和第二金属板352之间的面积的波动以及面积比率的变动，能够减小各子像素99的第一电容器91的电容c1和第二电容器92的电容c2的变动。换言之，根据本实施方式，在发生绝缘层的膜厚的变动的情况下，也能够消除膜厚的变动。另一方面，在比较例中未获得同样的效果。

如上所述，根据本实施方式的结构，能够减小各子像素99的c2/(c2+c1)的变动。因此，根据本实施方式的结构，能够提供减小了亮度不均的显示设备10。

对本实施方式的技术意义进行说明。

通过准确地控制有机发光二极管97的驱动电流ioled，可以抑制显示设备10的亮度不均。如上所述，驱动晶体管98控制驱动电流ioled。然而，驱动晶体管98的特性可能容易发生变动。因此，例如，在使多个子像素99以相同的亮度发光的情况下，也发生子像素99之间的驱动电流ioled的变动。根据这种变动，发生亮度不均。

在日本专利申请特开no.2014-163991中，为了防止由于驱动晶体管98的特性、特别是阈值电压的变动引起的亮度不均，提出了包括多个电容器的像素电路。在该像素电路中，在其电容值存在变动的情况下，其变动反而引起亮度不均。

在将两个电容器形成于相互不同的层的情况下，可能通过不同的制造工序制造多个电容器。

对两个电容器形成于相互不同的层的情况的电容的精度进行更详细说明。电容器是包括相互面对的两个导体板和配置在它们之间的绝缘体这三个构成要素的电路部件。电容器的特性根据两个导体板相互面对的部分的面积、绝缘体的厚度以及绝缘体的介电常数来确定。

参照图4继续进行说明。首先，对形成有tft电路的层内所形成的一个电容器进行说明。例如，可将栅极32和半导体部31用作相互面对的两个导体板。在这种情况下，第三绝缘层42实现绝缘体的作用。由阳极电极和形成电容器用的中间金属形成的电容器与本实施方式同样地，可通过第一金属板351、第一绝缘层43以及第一电极18形成。

例如，第一电容器的绝缘体为绝缘层x，第二电容器的绝缘体为绝缘层y。例如，由于制造工序的波动，可能发生绝缘层x形成得较厚、绝缘层y形成得较薄的现象。在发生这种现象的情况下，第一电容器具有小电容，第二电容器具有大电容。由于两个电容器的变化向相反方向操作，因此驱动电流ioled的变动增大。其结果，亮度不均增大。为了防止这种现象，各制造工序的精度设定为高水平。

另外，如使用比较例所述，等式(3)和等式(5)不相等。因此，在显示面板内，在第一区域751的绝缘膜(绝缘体)的膜厚d1与第二区域752的绝缘膜的膜厚d2相互不同的情况下，难以减小各子像素99的c2/(c2+c1)的变动。

因此，在两个电容器形成于相互不同的层的情况下，难以抑制这些电容器的变动，仍然发生亮度不均。

另一方面，在根据本发明的显示设备10中，如上面使用等式(1)、等式(3)和等式(4)所述，在第一区域751的绝缘膜(绝缘体)74的膜厚d1和第二区域752的绝缘膜74的膜厚d2相互不同的情况下，也能够减小流经各子像素99的有机发光二极管97的驱动电流ioled的变动。其结果，能够减小显示设备10的亮度不均。

另外，在显示设备10中，形成电容器的绝缘层未配置于形成有tft电路的第二层叠体62。因此，由于第一绝缘层43能够专用作为电容器的绝缘体，因此不需要考虑tft的耐电压性能等。换言之，作为第一绝缘层43，为了获得期望的电容，可使用具有最佳厚度和最佳材料的层。

因此，第一绝缘层43可形成为比tft电路的第三绝缘层42薄。例如，第一电容器91以及第二电容器92的电容与tft电路的寄生电容之间的关系可如等式(6)所示配置。

c1，c2＞＞寄生电容......(6)

其中，c1是第一电容器91的电容。

c2是第二电容器92的电容。

寄生电容例如是驱动晶体管98或开关晶体管96的栅极和源极或栅极和漏极的端子之间的电容。

通过将第一电容器91的电容c1和第二电容器92的电容c2设定为满足等式(6)，能够抑制由于寄生电容的影响而产生的亮度不均。

另外，根据本发明的显示设备10，可进一步获得如下所述的各种效果。

在第一金属板351形成得过小的情况下，换言之，在电容c1设置为过小时，tft电路的寄生电容的影响变得显著。另外，在有机发光二极管97的发光时段中，存在由于漏电流导致驱动晶体管98的栅极-源极(gs)间电压减小的担忧。在驱动晶体管98的gs间电压减小的情况下，驱动电流ioled减小，有机发光二极管97的亮度降低。因此，第一金属板351设置为具有一定程度的或更大的面积。

换言之，通过确保电容c1，防止驱动晶体管98的gs间电压的减小，由此可防止有机发光二极管97的亮度的降低。

另外，在确保第一金属板351的上述面积的基础上，第二金属板352优选形成为尽可能大。换言之，在确保电容c1的基础上，电容c2优选配置为尽可能大。以这种方式，能够降低从输入线vinput输入数据时对驱动晶体管98施加的电压。因此，能够抑制从输入线vinput输入的数据电压的损失。

另外，通过将有机发光二极管97的第一电极18用作第一电容器91和第二电容器92的端子，将第一电容器91和第二电容器92串联连接的专用配线变得不再需要。

另外，由于在形成有tft电路的第二层叠体62中未配置电容器，因此可减小tft电路的面积。其结果，子像素99能够更紧凑地形成，而实现具有高分辨率的显示设备10。

图14是表示显示面板的制造流程的流程图。图15至图33是表示显示面板的制造工序的示意图。参照图14至图33对用于根据本实施方式的显示设备10的显示面板的制造方法的概略进行说明。在此，用于制造显示面板的包括沉积装置、溅射装置、例如狭缝涂布机的涂布装置、曝光装置、显影装置、蚀刻装置、密封装置、切割装置以及连接这些装置的输送装置的制造装置在图中未示出。这些装置按照预定的程序进行操作。

在以下的说明中，在示意剖面图中以一个子像素99为例进行说明。显示设备10的制造装置在作为例如玻璃基板的透明基板的第一基板11的前侧使用半导体工艺形成像素电路和驱动电路20(步骤s501)。

对步骤s501的工序的概要进行说明。首先，参照图15进行说明。图15是制造工序的中间的显示设备10的示意剖视图。制造装置在第一基板11的一个面上通过溅射法和光刻法等形成预定形状的栅极32。

如图16的剖视图所示，制造装置通过使用cvd法等形成均匀厚度的第三绝缘层42。

如图17的剖视图所示，制造装置通过使用溅射法、光刻法等形成预定形状的半导体部31。

如图18的剖视图所示，制造装置通过使用cvd法、光刻法等形成预定形状的蚀刻阻挡部34。

如图19的剖视图所示，制造装置通过使用干蚀刻法等，形成从第三绝缘层42的前表面到达栅极32的第一接触孔651。

如图20的剖视图所示，制造装置使用溅射法、光刻法等形成预定形状的源极漏极33。如上所述，源极漏极33的材料是导体。作为源极漏极33的材料的导体形成还覆盖第一接触孔651的内表面并连接源极漏极33和栅极32的第一导电部65。

图21是图20所示的阶段的显示设备10的示意俯视图。图21表示与图5所示的部分相同的部分。在图21中，还示出了在以后的工序中制作的第二导电部66和第三导电部67。

栅极32、半导体部31、蚀刻阻挡部34以及源极漏极33使用参照图15至图20说明的工序形成。栅极32包括“l”型部分和矩形部分。矩形部分在沿水平方向延伸的带状部中连续。半导体部31具有在水平方向较长的矩形形状。半导体部31与栅极32重叠。蚀刻阻挡部34具有矩形形状。蚀刻阻挡部34覆盖半导体部31在水平方向的中央部。源极漏极33具有使用带状部分来连接覆盖半导体部31在水平方向的两端的矩形部分的形状。

如图22的剖视图所示，制造装置使用cvd法等形成未图示的均匀厚度的无机绝缘层。涂布装置使用狭缝涂布法等制作平坦化层45(步骤s503)。

如图23的剖视图所示，制造装置使用干式蚀刻法等形成从平坦化层45的前表面贯穿至源极漏极33的第二接触孔661。

如图24的剖视图所示，制造装置使用溅射法、光刻法等形成预定形状的金属板层35(步骤s504)。图25是图24所示的阶段中的显示设备10的示意俯视图。图25表示与图5所示的部分相同的部分。金属板层35包括第一金属板351和第二金属板352。如上所述，金属板层35是导体。

图23所示的第二接触孔661的内部被与金属板层35相同的导体填充，由此形成连接金属板层35和源极漏极33的第二导电部66。在本实施方式中，制造装置采用将第二导电部66的上表面设置为平面的制造条件。

如图26的剖视图所示，制造装置使用cvd法等形成第一绝缘层43(步骤s505)。在本实施方式中，制造装置采用将包括第一金属板351和第二金属板352之间的部分在内的第一绝缘层43的上表面设置为平面的制造条件。

如图27的剖视图所示，制造装置使用干式蚀刻法等形成从第一绝缘层43的前表面贯穿至配置于右侧的第二导电部66上的部分的第三接触孔671。

如图28的剖视图所示，制造装置使用溅射法、光刻法等形成预定形状的第一电极18(步骤s506)。图29是图28所示的阶段的显示设备10的示意俯视图。图29表示与图5所示的部分相同的部分。第一电极18的材料是导体。

图27所示的第三接触孔671的内部被导体填充。填充第三接触孔671的内部的导体形成与配置在下侧的第二导电部66连接并连接第一电极18和源极漏极33的第三导电部67。在本实施方式中，制造装置采用第三导电部67的上表面设置为平面的制造条件。

使用图30、图31以及图14所示的流程图继续说明。图30是制造工序的中间的显示设备10的示意图。

如图30的剖视图所示，制造装置使用cvd法、干式蚀刻法等形成预定形状的第二绝缘层46(步骤s507)。图31是图30所示的阶段中的显示设备10的示意俯视图。图31表示与图5所示的部分相同的部分。如上所述，第二绝缘层46包括开口部461和非开口部462。开口部461覆盖第一电极18的中央部。非开口部462覆盖子像素99之间的边界部以及第一电极18的边缘。

如图32的剖视图所示，制造装置使用蒸镀法或涂布法形成有机发光层47(步骤s508)。有机发光层47覆盖开口部461。

如图33的剖视图所示，制造装置使用蒸镀法或溅射法形成第二电极19(步骤s509)。

如上所述，制造装置将包括源极电极、漏极电极以及栅极电极的晶体管37配置于第一基板11的一面。制造装置在晶体管37的上侧配置覆盖晶体管37的第三绝缘层42。制造装置将经由贯穿第三绝缘层42的第一导电部65连接到栅极电极的第一金属板351以及与第一金属板351绝缘的第二金属板352配置于在第三绝缘层42的上侧配置的同一层。制造装置将第一绝缘层43配置于第一金属板351和第二金属板352的层的上侧。制造装置将经由贯穿第一绝缘层43和第三绝缘层42的第二导电部66连接到源极电极的第一电极18配置于第一绝缘层43的上侧。制造装置将有机发光层47配置于第一电极18的上侧。制造装置将第二电极19配置于有机发光层47的上侧。

图34是显示设备10的硬件构成图。显示设备10包括fpc14、驱动ic13以及显示基板16。显示基板16包括驱动电路20和图像显示单元15。驱动电路20例如包括扫描驱动器21、数据驱动器22、发射驱动器23以及保护电路24。

驱动ic13对经由fpc14获得的图像信号进行处理，并将处理后的图像信号输出到显示基板16的驱动电路20。驱动电路20控制图像显示单元15。

发射驱动器23和扫描驱动器21控制各子像素99的有机发光二极管97(参照图3)的发光的时序。图像显示单元15根据该控制显示图像。

根据图像信号的电压从数据驱动器22输入到输入线vinput。在扫描驱动器21选择扫描线的情况下，换言之，在开关晶体管96处于导通状态的情况下，与从输入线vinput输入的电压相对应的电压经由开关晶体管96施加于驱动晶体管98的栅极电极。

根据驱动晶体管98的栅极电极和源极电极之间的电压vgs，驱动晶体管98的源极电极和漏极电极之间流经输出电流imd。有机发光二极管97的阳极电极与阴极电极之间流经与输出电流imd相等的驱动电流ioled。有机发光二极管97以与驱动电流ioled相对应的亮度发光。换言之，有机发光二极管97以与图像信号相对应的亮度发光。

图3所示的像素电路是示例。像素电路可采用将更多的tft和电容器进一步组合的结构。例如，像素电路可包括在有机发光二极管97的阳极电极与控制信号线之间的第二开关晶体管。另外，像素电路可包括在驱动晶体管98和高电源线elvdd之间的第三开关晶体管。第一电容器91和第二电容器92的操作使用实施方式2进行说明。

上述的半导体部31、栅极32、源极漏极33、第一金属板351、第二金属板352、第一电极18等的形状是示例，使用为了说明而简化的示意图来示出。另外，制造工序和各工序中使用的制造装置也是示例。

在本实施方式中，使用在第二基板12侧的面上配置的发射光的顶部发射型oled面板的显示设备10为例，对显示设备10的结构、操作以及制造方法进行说明。可对显示设备10使用在第一基板11侧发射光的底部发射型的oled面板。

在本实施方式中，以晶体管37为氧化物tft底部栅极型的tft的情况为例进行说明。晶体管37可以是使用非晶硅或多晶硅等的tft。另外，晶体管37可以是顶栅极型的tft。

在本实施方式中，以驱动晶体管98为n型晶体管的情况为例进行说明。在该情况下，第一电极18是有机发光二极管97的阳极电极。第二电极19是有机发光二极管97的阴极电极。如上所述，驱动晶体管98是n型晶体管，第一电极18是阳极电极，第二电极19是阴极电极。

[实施方式2]

本实施方式涉及将连接到第二电容器92的固定电位线vfix(参照图3)设置为与低电位线elvss共用的显示设备10。对于与实施方式1相同的部分不再进行说明。

图35是表示根据实施方式2驱动有机发光二极管97的电路的等效电路图。图35所示的电路是子像素99中包括的像素电路的一部分。在图35中，未图示开关晶体管96(参照图3)。

图35中所示的电路包括有机发光二极管97、第一电容器91、第二电容器92、以及驱动晶体管98。高电源线elvdd、低电源线elvss以及输入线vinput连接到图35所示的电路。输入线vinput连接到数据驱动器22。输入线vinput的电压交替地变化为参考电压vref以及数据电压vdata中的一者，所述数据电压是表示使有机发光二极管97发光时的发光亮度的电压。

输入线vinput连接到驱动晶体管98的栅极电极和第一电容器91的第一端子。高电源线elvdd连接到驱动晶体管98的漏极电极。低电源线elvss连接到有机发光二极管97的阴极电极以及第二电容器92的第一端子。低电源线elvss是第一电压线的示例。驱动晶体管98的源极电极连接到第一电容器91的第二端子、第二电容器92的第二端子以及有机发光二极管97的阳极电极。

有机发光二极管97基于从输入线vinput输入的信号发光。

根据本实施方式，由于可将固定电位线vfix和低电源线elvss设置为共用，因此能够提供可容易地配置像素电路的布局的显示设备10。

在本实施方式中，第二电容器92可使用第一电极18、第一绝缘层43以及第二金属板352形成。该情况下，第二金属板352连接到低电源线elvss。因此，第二金属板352连接到有机发光二极管97的阴极电极。第二电极19例如是有机发光二极管97的阴极电极。如上所述，第二金属板352连接到第二电极19。

图36是表示根据实施方式2的输入电压vinput的时序图。在图36中，横轴是时间。在图36中，纵轴是输入电压vinput的电压。在阈值补偿时段t1期间，输入电压vinput是参考电压vref。在数据电压写入时段t2期间，输入电压vinput是数据电压vdata。数据电压vdata是表示有机发光二极管97的发光亮度的电压。

参照图35和图36对子像素99的操作和等式(1)的导出方法进行说明。

在以下的说明中，将驱动晶体管98的栅极电极、第一电容器91的第一端子、以及输入线vinput连接的部位记载为点g。另外，将驱动晶体管98的源极电极、第一电容器91和第二电容器92之间的部分、以及有机发光二极管97的阳极电极连接的部位称作点s。点s的电位表示为vs，点g的电位表示为vg。

对阈值补偿时段t1进行说明。在阈值补偿时段t1中，参考电压vref输入到输入线vinput。电流从高电源线elvdd经由驱动晶体管98流到点s。点s的电位和电荷在满足等式(7)至等式(9)的状态下聚集。

vg＝vref......(7)

vs＝vg－vth

＝vref－vth......(8)

q1＝(vs－vg)×c1+(vs－elvss)×c2

＝－vth×c1+(vref－vth－elvss)×c2......(9)

其中，vg是点g的电位。

vref是参考电压。

vs是点s的电位。

vth是驱动晶体管98的阈值电压。

q1是聚集时的点s的电荷。

c1是第一电容器91的电容。

c2是第二电容器92的电容。

elvss是有机发光二极管97的阴极电极的电位。

对数据电压写入时段t2进行说明。在数据电压写入时段中，数据电压vdata输入到输入线vinput。换言之，vg＝vdata。电位vs是使用串联连接的第一电容器91和第二电容器92进行分配(vdata－elvss)得到的电位。

点s的电荷处于满足等式(10)的状态。上述的各等式和各符号表示相同的意思，因此省略其说明。

q2＝(vs－vg)×c1+(vs－elvss)×c2

＝(vs－vdata)×c1+(vs－elvss)×c2......(10)

q2是数据电压写入时段t2中的点s的电荷。

vdata是在数据电压写入时段t2中从输入线vinput输入的数据电压。

根据电荷的保存原则，在阈值补偿时段t1和数据电压写入时段t2的过程中，点s的电荷不变化。换言之，q1＝q2成立。根据等式(9)和等式(10)，等式(11)成立。

－vth×c1+(vref－vth－elvss)×c2

＝(vs－vdata)×c1+(vs－elvss)×c2......(11)

因此，等式(12)和等式(13)成立。

vs＝c1/(c1+c2)×vdata+c2/(c1+c2)×vref－vth......(12)

vgs＝vg－vs

＝c2/(c1+c2)×(vdata－vref)+vth......(13)

vgs是点g和点s之间的电位差，换言之，驱动晶体管98的gs间电位。

对发光时段t3进行说明。在发光时段t3中，根据第一电容器91储存电荷的功能，驱动晶体管98的gs间电位vgs保持由等式(13)表示的状态。在此，电位vgs是与有机发光二极管97的亮度相对应的电位。换言之，第一电容器91至少储存与有机发光二极管97的亮度相对应的电荷。

流经驱动晶体管98的源极电极和漏极电极之间的输出电流imd原状流入有机发光二极管97。此时，驱动晶体管98在饱和区域操作。此时，输出电流imd和有机发光二极管97的驱动电流ioled相等，因此等式(14)成立。

因此，上述的等式(1)成立。

[实施方式3]

本实施方式涉及将连接到第二电容器92的固定电位线vfix(参照图3)设置为与高电源线elvdd共用的显示设备10。对于与实施方式2相同的部分不再进行说明。

图37是表示根据实施方式3的驱动一个有机发光二极管97的电路的等效电路图。图37所示的电路是子像素99所包括的像素电路的一部分。

图37所示的电路包括有机发光二极管97、第一电容器91、第二电容器92、以及驱动晶体管98。高电源线elvdd、低电源线elvss以及输入线vinput连接到图37所示的电路。输入线vinput连接到数据驱动器22。输入线vinput的电压交替地变化为参考电压vref以及数据电压vdata中的一者，数据电压vdata作为表示使有机发光二极管97发光时的发光亮度的电压。

输入线vinput连接到驱动晶体管98的栅极电极和第一电容器91的第一端子。高电源线elvdd连接到驱动晶体管98的漏极电极和第二电容器92的第一端子。低电源线elvss连接到有机发光二极管97的阴极电极。低电源线elvss是第一电压线的示例。驱动晶体管98的源极电极连接到第一电容器91的第二端子、第二电容器92的第二端子以及有机发光二极管97的阳极电极。

有机发光二极管97基于从输入线vinput输入的信号发光。

在本实施方式中，第二电容器92包括第一电极18、第一绝缘层43以及第二金属板352。第二金属板352连接到高电源线elvdd。高电源线elvdd连接到驱动晶体管98的漏极电极。如上所述，第二金属板352连接到驱动晶体管98的漏极电极。

根据本实施方式，由于可将固定电位线vfix和高电源线elvdd设置为共用，因此能够提供可容易地设置像素电路的布局的显示设备10。

[实施方式4]

本实施方式涉及使用p型晶体管作为驱动晶体管98的显示设备10。对于与实施方式2相同的部分，不再进行说明。

图38是表示根据实施方式4的驱动有机发光二极管97的电路的等效电路图。图38中所示的电路是子像素99中包括的像素电路的一部分。

图38中所示的电路包括有机发光二极管97、第一电容器91、第二电容器92、以及驱动晶体管98。高电源线elvdd、低电源线elvss以及输入线vinput连接到图38所示的电路。输入线vinput连接到数据驱动器22。输入线vinput的电压交替地变化为参考电压vref和数据电压vdata中的一者，数据电压vdata作为表示驱动有机发光二极管97时的发光亮度的电压。

输入线vinput连接到驱动晶体管98的栅极电极和第一电容器91的第一端子。高电源线elvdd连接到有机发光二极管97的阳极电极和第二电容器92的第一端子。低电源线elvss连接到驱动晶体管98的漏极电极。驱动晶体管98的源极电极连接到第一电容器91的第二端子、第二电容器92的第二端子以及有机发光二极管97的阴极电极。有机发光二极管97基于从输入线vinput输入的信号发光。

根据本实施方式，可提供在像素电路中使用p型半导体的显示设备10。

如上所述，根据本实施方式的驱动晶体管98是p型晶体管。该情况下，第一电极18是有机发光二极管97的阴极电极。第二电极19是有机发光二极管97的阳极电极。

[实施方式5]

在某一层(以下，称作层a)中存在有凹陷、间隙或孔的情况下，当在层a上形成有其他的层(以下，称作层b)时，沿凹陷、间隙或孔形成层b。

例如，在第一金属板351和第二金属板352之间具有间隙(参照图4、图24等)。如果在该间隙的部分上进一步形成层，则存在沿该间隙形成有该层的情况。在上述的例子的情况下，存在位于该间隙上的、第一绝缘层43或第一电极18的一部分凹陷的情况。根据第一电极18的凹陷，第一电极18的平坦性消失。如果在该平坦性消失的部分上形成有机发光层47并且该部分用作开口部461(也称作发光区域)，则存在图像质量降低的情况。因此，在本实施方式中，对该部分被非开口部462覆盖的结构进行说明。对于与实施方式1相同的部分，不再进行说明。

图39是根据实施方式5的非限制性显示设备10的示例的示意剖视图。图39以放大比例示出与一个有机发光二极管97相对应的部分。在图39中，未示出第二基板12、空间27以及第二电极19。在图39中，位于第一金属板351和第二金属板352之间的间隙的部分的上层的、第一绝缘层43的一部分和第一电极18的一部分凹陷。

根据这种凹陷，第一电极18的平坦性消失。如果将平坦性消失的部分用作发光区域，则存在图像质量降低的情况。因此，在本实施方式中，该凹陷的部分设置为不用作发光区域。

更具体而言，第二绝缘层46的开口部461仅位于第二金属板352的上侧。换言之，第一金属板351的上侧位于第二绝缘层46的非开口部462的下侧。第一金属板351在位于非开口部462的下侧的第二导电部66中连接到源极漏极33。源极漏极33经由第一导电部65连接到栅极32。

因此，第一金属板351经由第二导电部66、源极漏极33以及第一导电部65连接到栅极电极。如上所述，第一金属板351连接到栅极电极。第一金属板351和栅极电极的接触孔被非开口部462覆盖。

在第二导电部66和第三导电部67中，第一绝缘层43的材料、第一电极18的材料、以及第二绝缘层46的材料在金属板层35的材料的内侧相互层叠为层状图案。其原因是，如上所述，在存在有某种凹陷等的情况下，沿着这种凹陷形成上层。

图40是根据实施方式5的像素90的示意俯视图。图40表示与图5所示的范围相同的范围。发光部17位于子像素99的上侧。

图41是根据实施方式5的第二绝缘层46的示意俯视图。第二绝缘层46包括开口部461和非开口部462。开口部461具有矩形形状。根据本实施方式的开口部461是根据实施方式1的开口部461(参照图6)的上侧的大约一半的部分。如上所述，开口部461和发光部17的位置和形状相互一致。

如上所述，在根据本实施方式的显示设备10中，开口部461的整个区域隔着第一电极18面向第二金属板352。

在本实施方式中，整个发光部17位于第二金属板352的上侧。换言之，第一金属板351和第二金属板352之间的间隙不位于发光部17的下侧。另外，第二导电部66也不位于发光部17的下侧。因此，例如发光部17的第一电极18和有机发光层47的各层保持平坦的状态。

如上所述，显示设备10包括平面状的第二绝缘层46，第二绝缘层46包括将有机发光二极管97的发光输出到外部的开口部461以及不开口的非开口部462。第二绝缘层46配置在与配置有第一金属板351和第二金属板352的层不同的层上。非开口部462覆盖第一金属板351和第二金属板352之间的间隔。

根据本实施方式，可提供一个有机发光二极管97内的发光部17的亮度均匀的显示设备10。因此，可提供改善亮度均匀性的显示设备10。

在本实施方式中，发光部17内的第一绝缘层43平坦，因此也能够实现防止第一电极18和第二电极19之间发生短路的效果。

根据本实施方式的显示设备10的制造流程与参照图14说明的根据实施方式1的显示设备10的制造流程相同。图42至图48是表示根据实施方式5的显示面板的制造工序的示意图。参照图14和图42至图48，对根据本实施方式的显示设备10中使用的显示面板的制造方法的概略进行说明。

直至步骤s503，工序与根据实施方式1的工序相同，因此不再对其进行说明。

如图42的剖视图所示，制造装置使用溅射法、光刻法等形成预定形状的金属板层35(步骤s504)。金属板层35包括第一金属板351和第二金属板352。如上所述，金属板层35是导体。

在本实施方式中，如上所述，将如果存在有某种凹陷等则根据该凹陷等形成层的情况作为示例。因此，在第二接触孔661的内表面上形成导体的层。导体的层形成连接金属板层35和源极漏极33的第二导电部66。第二导电部66的中央部残留有孔。

如图43的剖视图所示，制造装置使用cvd法等形成第一绝缘层43(步骤s505)。

在本实施方式中，在第二导电部66的中央部中设置的孔的内表面上形成导体的层。在第二导电部66的中央部，残留有比图43所示的孔浅的孔。另外，在第一金属板351和第二金属板352之间，在第一绝缘层43中形成了槽状的凹陷。

如图44的剖视图所示，制造装置使用干式蚀刻法等形成从第一绝缘层43的前表面贯穿至设置于右侧的第二导电部66上方的部分的第三接触孔671。在第三接触孔671的内表面，露出作为金属板层35的材料的导体。

如图45的剖视图所示，制造装置使用溅射法、光刻法等，形成预定形状的第一电极18(步骤s506)。

在本实施方式中，在形成于第三接触孔671的中央部中的孔的内表面上形成有导体的层。导体的层形成第三导电部67，第三导电部67连接到设置于下侧的第二导电部66并连接第一电极18和源极漏极33。

如图46的剖视图所示，制造装置使用cvd法、干式蚀刻法等形成预定形状的第二绝缘层46(步骤s507)。图47是图46所示的阶段中的显示设备10的示意俯视图。图47表示与图5所示的部分相同的部分。如上所述，第二绝缘层46包括开口部461和非开口部462。开口部461覆盖设置在第一电极18的上侧的中央部的大约一半。非开口部462覆盖子像素99之间的边缘部、第一电极18的大约下半部以及第一电极18的边缘。

如图48的剖视图所示，制造装置使用蒸镀法或涂布法形成有机发光层47(步骤s508)。有机发光层47覆盖开口部461。

步骤s509和以后的步骤与实施方式1中所说明的制造流程相同，因此不再对其进行说明。

如上所述，在本实施方式中，以在凹陷部上形成有上表面凹陷的状态的层的情况为例进行说明。根据本实施方式，即使该情况下，也能够提高显示设备的发光均匀性。

[实施方式6]

本实施方式涉及开口部461的整个区域面向第一金属板351的显示设备10。对于与实施方式5相同的部分，不再进行说明。

图49是根据实施方式6的非限制性显示设备10的示例的示意剖视图。图49以放大比例示出与一个有机发光二极管97相对应的部分。在图49中，未示出第二基板12、空间27以及第二电极19。

第二绝缘层46的开口部461仅位于第一金属板351的上侧。换言之，第二金属板352的上侧位于第二绝缘层46的非开口部462的下侧。

图50是根据实施方式6的像素90的示意俯视图。图50表示与图5所示的范围相同的范围。发光部17位于子像素99的下侧。

如上所述，在根据本实施方式的显示设备10中，开口部461的整个区域隔着第一电极18面向第一金属板351。

在本实施方式中，整个发光部17位于第一金属板351的上侧。换言之，第一金属板351和第二金属板352之间的间隙未位于发光部17的下侧。另外，第二导电部66也未位于发光部17的下侧。因此，诸如发光部17的第一电极18和有机发光层47的各层保持平坦的状态。

根据本实施方式，可提供一个有机发光二极管97内的发光部17的亮度均匀的显示设备10。因此，可提供提高亮度均匀性的显示设备10。

在本实施方式中，发光部17内的第一绝缘层43平坦，因此也可实现防止第一电极18和第二电极19之间短路的发生的效果。

[实施方式7]

本实施方式涉及开口部461包括面向第一金属板351的区域以及面向第二金属板352的区域的显示设备10。在此，对于与实施方式5相同的部分，不再进行说明。

图51是根据实施方式7的非限制性显示设备10的示例的示意剖视图。图51以放大比例示出与一个有机发光二极管97相对应的部分。在图51中，未示出第二基板12、空间27以及第二电极19。

第二绝缘层46的开口部461包括第一开口部4611和第二开口部4612。第一开口部4611仅位于第一金属板351的上侧。第二开口部4612仅位于第二金属板352的上侧。有机发光层47覆盖第一开口部4611和第二开口部4612二者。

图52是根据实施方式7的像素90的示意俯视图。图52表示与图5所示的范围相同的范围。一个子像素99包括一个第一发光部171和一个第二发光部172。第一发光部171位于子像素99的上侧。第二发光部172位于子像素99的下侧。

第一开口部4611是根据本实施方式的开口部461的第一区域的示例。第二开口部4612是根据本实施方式的开口部461的第二区域的示例。第一开口部4611和第二开口部4612不相互重叠。

如上所述，根据本实施方式的开口部461包括不相互重叠的第一区域和第二区域。在根据本实施方式的显示设备10中，第一区域隔着第一电极18面向第一金属板351，第二区域隔着第一电极18面向第二金属板352。

在本实施方式中，整个发光部17位于第一金属板351或第二金属板352的上侧。换言之，第一金属板351和第二金属板352之间的间隙不位于发光部17的下侧。另外，第二导电部66也不位于发光部17的下侧。因此，诸如发光部17的第一电极18和有机发光层47的各层保持平坦状态。

另外，与根据实施方式5或6的发光部17相比，根据本实施方式的发光部17的面积相对于子像素99的面积占据更大的比例。因此，可实现发光亮度高的子像素99。

根据本实施方式，可提供一个有机发光二极管97内的发光部17的亮度均匀并且发光亮度高的显示设备10。由此，可提供显示提高的亮度均匀性的明亮的图像的显示设备10。

在本实施方式中，发光部17内的第一绝缘层43平坦，因此还可以实现防止第一电极18和第二电极19之间发生短路的效果。

[实施方式8]

本实施方式涉及第二导电部66配置于第一电极18的外侧的显示设备10。在此，对于与实施方式1相同的部分，不再进行说明。图53是根据实施方式8的非限制性显示设备10的示例的示意剖视图。图54是实施方式8的比较例的显示设备10的示意剖视图。图53和图54是以放大比例示出一个有机发光二极管97在金属板层35附近的部分的图。

在图54所示的比较例中，第一电极18延伸到第二导电部66的上侧。在比较例的第二导电部66的内部，金属板层35和第一电极18之间的距离、即第一绝缘层43的厚度t比原来的第一绝缘层43的厚度t小。

在本实施方式中，如图53所示，第二导电部66设置于第一电极18的外侧。换言之，第一电极18不覆盖第二导电部66的上侧。因此，能够防止金属板层35和第一电极18之间短路。

在此，第二导电部66连接金属板层35和源极漏极33(参照图4)。图53的左侧所示的第二导电部66例如连接到作为源极漏极33的一部分的源极电极。

如上所述，第一金属板351连接到源极电极。第一金属板351和源电极的接触孔未被第一电极18覆盖。

[实施方式9]

本实施方式涉及使用5个晶体管并将连接到第二电容器92的固定电位线vfix(参照图3)设置为与低电源线elvss共用的显示设备10。对于与实施方式1相同的部分，不再进行说明。

图55是表示根据实施方式9的驱动有机发光二极管97的电路的等效电路图。图55所示的电路是子像素99中包括的像素电路的一部分。

图55所示的电路包括有机发光二极管97、第一电容器91、第二电容器92、开关晶体管96a、96b、96c、96d以及驱动晶体管98。高电源线elvdd、低电源线elvss、输入线vinput、初始化电源线vini以及设定电源线v1连接到图55所示的电路。根据本实施方式的驱动晶体管98和开关晶体管96a、96b、96c、96d是n型tft。

初始化电源线vini连接到开关晶体管96a的漏极电极。开关线s11连接到开关晶体管96a的栅极电极。初始化电源线vini的电压(第二电压的示例)是比与有机发光二极管97的发光阈值相对应的电压vth-oled(有机发光二极管97的阈值电压)与低电源线elvss的电压之和低的电压(换言之，vini－elvss＜vth-oled)。由此，在初始化时段期间，能够防止有机发光二极管97的无用的发光。

输入线vinput连接到数据驱动器22。输入线vinput连接到开关晶体管96b的漏极电极。开关线s12连接到开关晶体管96b的栅极电极。输入线vinput的电压交替地变化为作为第三电压的示例的参考电压vref和作为表示驱动有机发光二极管97时的发光亮度的电压的数据电压vdata之一。在此，参考电压vref是具有比驱动晶体管98的阈值电压vth和初始化电源线vini的电压之和大的值的电压(换言之，vref＞vth+vini)。因此，在使驱动晶体管98处于接通状态的状态下，电路进行到vth补偿时段t1。

高电源线elvdd连接到开关晶体管96d的漏极电极。开关晶体管96d的栅极电极连接到开关线em。开关线em连接到发射驱动器23。信号从发射驱动器23经由开关线em输入到开关晶体管96d的栅极电极。根据该信号，控制有机发光二极管97的发光时间。驱动晶体管98的漏极电极连接到开关晶体管96c的源极电极以及开关晶体管96d的源极电极。

设定电源线v1连接到开关晶体管96c的漏极电极。开关晶体管96c的栅极电极连接到开关线s13。设定电源线v1的电压(第四电压的示例)是大于或等于从参考电压vref减去驱动晶体管98的阈值电压vth得到的电压的电压(换言之，v1≥vref－vth)。

低电源线elvss连接到有机发光二极管97的阴极电极及第二电容器92的第一端子。

开关晶体管96b的源极电极连接到第一电容器91的第一端子以及驱动晶体管98的栅极电极。第一电容器91的第一端子连接到驱动晶体管98的栅极电极。驱动晶体管98的源极电极连接到第一电容器91的第二端子、第二电容器92的第二端子、开关晶体管96a的源极电极以及有机发光二极管97的阳极电极。

有机发光二极管97基于从开关线s11、s12、s13、em以及输入线vinput输入的信号发光。

对开关晶体管96a、96b、96c、96d以及驱动晶体管98的操作进行详细说明。在此，在以下的说明中，将驱动晶体管98的栅极电极、第一电容器91的第一端子、以及开关晶体管96b的源极电极连接的部位称作点g。另外，将驱动晶体管98的源极电极、第一电容器91和第二电容器92之间的部分、有机发光二极管97的阳极电极、以及开关晶体管96a的源极电极连接的部位称作点s。另外，将驱动晶体管98的漏极电极、开关晶体管96c的源极电极、以及开关晶体管96d的源极电极连接的部位称作点d。将点s的电位表示为vs，将点g的电位表示为vg，将d点的电位表示为vd。

图56是与根据实施方式9的电路的驱动有关的时序图。图57是表示根据实施方式9的电路中的vd及vs的变化的图。在本实施方式中，在有机发光二极管97的发光操作中，依次经过初始化时段t0、阈值电压vth补偿时段t1、数据写入时段t2以及发光时段t3。

如图56所示，在初始化时段t0中，输入到开关线s11和s12的信号处于高电平，输入到开关线s13和em的信号处于低电平，输入线vinput的电压是参考电压vref。在初始化时段t0中，开关晶体管96a和96b处于接通状态，开关晶体管96c和96d与驱动晶体管98处于断开状态。此时，vg＝vref。另外，如图57所示，vs＝vini，vd＝vs。如上所述，由于vini－elvss＜vth-oled，因此防止有机发光二极管97的漏发光。在初始化时段t0中，驱动晶体管98的栅极电极及源极电极的电位被初始化。

在vth补偿时段t1中，输入到开关线s12、s13的信号处于高电平，输入到开关线s11、em的信号处于低电平，输入线vinput的电压是参考电压vref。在vth补偿时段t1中，开关晶体管96b、96c及驱动晶体管98处于接通状态，开关晶体管96a、96d处于断开状态。由于驱动晶体管98处于接通状态并且导通，因此点s的电位上升，点g和点s之间的电位差聚集于阈值vth。因此，vg＝vref，如图57所示，vs＝vref－vth。另外，vd＝v1。

在数据电压写入时段t2中，输入到开关线s12的信号处于高电平，输入到开关线s11、s13及em的信号处于低电平，输入线vinput的电压是vdata。在数据写入时段t2中，开关晶体管96b处于接通状态，开关晶体管96a、96c、96d及驱动晶体管98处于断开状态。因此，数据电压vdata根据串联连接的第一电容器91和第二电容器92的分压而施加在驱动晶体管98的栅极电极和源极电极之间。因此，vs＝c1/(c1+c2)×vdata+c2/(c1+c2)×vref－vth(等式(12))，并且vg＝vdata。另外，vd＝v1。在此，由于与实施方式2同样地，vs基于在时段t1、t2期间的点s的电荷保存原则通过计算而求出，对于该计算顺序，不再进行说明。

在发光时段t3中，输入到开关线em的信号处于高电平，输入到开关线s11、s12及s13的信号处于低电平，输入线vinput的电压是vref。在发光时段t3中，开关晶体管96d及驱动晶体管98处于接通状态，开关晶体管96a、96b、96c处于断开状态。由于开关晶体管96d及驱动晶体管98导通，因此电流ioled流经有机发光二极管97。在此，vd＝elvdd。由于电流ioled与实施方式2的电流相似，因此不再进行详细说明。

在此，通常，在阈值电压vth补偿时段中，栅极源极间电压接近阈值(vth+1至2v)、同时漏极源极间电压提高的情况下，容易发生翘曲效应。同时，通过增大沟道长度，通过削弱漏极和源极之间的电场，能够抑制翘曲效应。然而，该情况下，对于高分辨率不利。

在本实施方式中，在初始化时段t0及阈值电压vth补偿时段t1中，通过使用设定电源线v1(在此，v1≥vref－vth)的电压能够自由地设定驱动晶体管98的漏极电压vd。因此，通过降低漏极源极间电压(v1－vini)，能够缓和对驱动晶体管98的偏置应力。由此，能够抑制翘曲效应，并且能够抑制驱动晶体管98的阈值vth的变动。

另外，根据本实施方式，由于通过降低漏极源极间电压，能够抑制翘曲效应，从而能够缩短沟道长度，因此对高分辨率有利。

在初始化时段中，输入到开关线s13的信号可以处于高电平。换言之，在初始化时段中，开关晶体管96c可以处于导通状态。当在初始化时段中开关晶体管96c处于导通状态的情况下，来自设定电源线v1的电流经由开关晶体管96c，96d和驱动晶体管98流到初始化电源线vini。另外，由于电源线vini的电压比与有机发光二极管97的发光阈值相对应的电压vth和低电源线elvss的电压之和低(换言之，vini＜vth+elvss)，因此电流不流经有机发光二极管97，有机发光二极管97不发光。

如上所述，根据本发明的一个方面，能够提供抑制图像质量的劣化的显示设备。

在以上的实施方式1～9的说明中，作为发光装置的示例，描述了具有有机发光层的有机发光二极管97。但是，作为发光装置，例如，也可以使用具有无机发光层的无机发光装置。例如，无机发光装置是所谓的量子点型发光装置。量子点型发光装置包括作为由微晶半导体形成的材料并且配置于第一电极和第二电极之间的量子点。量子点与有机发光二极管相似，根据流经第一电极和第二电极之间的电流发光。

各实施例中记载的技术特征(构成要素)能够相互组合，可通过这种组合形成新的技术特征。

在此披露的实施方式在所有的方面是示例性的，而不认为是限制性的。本发明的范围不由上述的含义表示，而由权利要求书表示，并且旨在包括与权利要求书等同的含义和范围内的所有的变型。

此外，如本文和所附权利要求中使用的，单数形式的“一个”、“该”包括复数指代，除非文中明确指出并非如此。