技术特征：
技术总结
一种内连线，其包括第一和第二导电层、第一和第二介电层、停止层以及第一和第二粘附层。第一导电层安置在半导体衬底上。第一介电层在第一导电层上，且第一介电层包括介层孔。第二介电层安置在第一介电层上。停止层位于第一介电层与第二介电层之间，且第二介电层和停止层包括沟槽。第二导电层位于介层孔和沟槽中，以与第一导电层电连接。第一粘附层位于沟槽的侧壁上。第二粘附层位于第二导电层与第一粘附层之间以及第二导电层与第一介电层之间。
技术研发人员：张哲诚;林志翰;曾鸿辉
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.29
技术公布日：2017.08.15