一种SOD882单芯高密度框架的制作方法

本实用新型涉及一种半导体封装制造技术，特别是一种SOD882单芯高密度框架。

背景技术：

引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，并与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生的热量，构成散热通道，它是一种借助于键合金丝或铜丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。芯片封装形式为SOD882单芯（其中，SOD是小型电子元器件的芯片封装单元型号，882表示单个芯片安装单元的尺寸为长1.0mm、宽0.6mm，单芯表示每个芯片安装单元内封装一个芯片）时，由于传统的芯片封装技术限制，要在相同的引线框架尺寸布置更多的芯片，就需要对布置形式进行合理设计。

随着技术改进，目前已经研发出更优化的SOD882 48排单芯引线框架，如图1所示，该引线框架将将框架分成四个相同的区域，每个区域布置48排、67列芯片安装单元，可在固定的框架尺寸下满足布置12864个芯片安装单元的需求，增加了框架密度，提高设备利用率。

但随着市场需求的不断提高，如何进一步提高框架的有效利用率，以及在有限的框架尺寸上布置更多的芯片后、解决DFN产品的翘曲问题、节约生产成本，依然是研究的重要方向。

技术实现要素：

本实用新型的发明目的在于：针对现有SOD882单芯框架的布局仍然不能满足市场对框架高利用率、节约生产成本的需求，并且框架还存在翘曲和切割分离的问题，提供一种SOD882单芯高密度框架，该框架可进一步提高框架的利用率，并能改善框架的翘曲，节约生产成本、保证框架质量，便于切割、保证切割尺寸准确。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种SOD882单芯高密度框架，包括用于承装芯片的矩形框架，所述框架上设有将框架均分为两个区域的分区槽，所述分区槽的方向与框架短边平行，在每个区域内都设有多个芯片安装单元，每个芯片安装单元上设置有1个芯片安装区，相邻芯片安装单元之间的框架为半腐蚀框架。

上述的半腐蚀框架即是将框架腐蚀掉一定的厚度；该高密度框架由原来划分为四个区域变为两个区域，减少划区的框架浪费，有利于在有限的框架尺寸上布置更多的芯片安装单元；而将相邻芯片安装单元之间的框架设为半腐蚀框架，节约生产成本、保证框架质量、改善框架翘曲，便于塑封完成后的框架切割分离、保证切割尺寸准确。

作为本实用新型的优选方案，在同一个芯片安装单元中，芯片安装区通过极性分隔槽分为芯片承装区和另一极性部，所述极性分隔槽延伸至半腐蚀框架上，分开的半腐蚀框架通过加强筋连接。将原来芯片安装单元四角均设置加强筋的结构进行优化调整，去掉芯片安装单元四角上设置的加强筋，只在相邻的芯片安装单元之间被极性分隔槽分开的框架上设置加强筋，即可保证框架强度，又改善框架翘曲；同时，加强筋的减少，也使分割芯片时刀片的磨损大幅降低，减少刀片使用量、节约成本。

作为本实用新型的优选方案，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个区域内分别布置52排、154列芯片安装单元。由于SOD882型号的芯片封装单元的尺寸是固定的1.0*0.6mm，因此在框架尺寸固定的情况下，合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率，本引线框架沿框架长度方向分成两个相同的区域，而在每个区域内布置52排、154列芯片安装单元，所以可以算出整个框架上可以布置的芯片安装单元的数量为：52*154*2=16016个，相比之前分为四个区域布置12864个芯片安装单元，增加3152个，密度增加24.5%，大大提高框架的利用率。

作为本实用新型的优选方案，所述芯片安装单元的长边和框架的短边平行。

作为本实用新型的优选方案，在框架上的两个区域之间设置多个间隔布置的分区槽，多个所述分区槽中心线位于同一直线上。

作为本实用新型的优选方案，所述分区槽的宽度为1-1.5mm。

该框架的长为250mm，将芯片安装单元的短边与框架的长边平行布置，芯片安装单元间隔尺寸设为0.15mm，则芯片安装单元将会占用的框架长度为：（（0.6+0.15）*153+0.6）=230.7mm，即在芯片安装单元之外还有较为充足的空间布置框架边框；而宽度方面，芯片安装单元占用的宽度：（1+0.15）*51+1=59.65mm，小于框架宽度70mm，也满足使用需求，所以该框架能满足布置16016个芯片安装单元的需求，这样的布置增加了框架密度，提高了设备效率，降低成本。

作为本实用新型的优选方案，所述框架的芯片安装单元为半腐蚀结构，所述半腐蚀结构即将框架腐蚀掉一定的厚度。将芯片安装单元设置成半腐蚀结构，有利于芯片安装单元的封装，增加塑封料和框架的结合力，也有利于改善框架整体的翘曲。

作为本实用新型的优选方案，在框架的边框与芯片安装区域之间还设有半腐蚀区域。可增加塑封料和边框的结合力，切割分离去掉边框时，塑封料能一块去除，提高操作人员的工作效率。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

1、该高密度框架由原来划分为四个区域变为两个区域，减少划区的框架浪费，有利于在有限的框架尺寸上布置更多的芯片安装单元；而将相邻芯片安装单元之间的框架设为半腐蚀框架，节约生产成本、保证框架质量、改善框架翘曲，便于塑封完成后的框架切割分离、保证切割尺寸准确；

2、该框架将原来芯片安装单元四角均设置加强筋的结构进行优化调整，去掉芯片安装单元四角上设置的加强筋，只在相邻的芯片安装单元之间被极性分隔槽分开的框架上设置加强筋，即可保证框架强度，又改善框架翘曲；同时，加强筋的减少，也使分割芯片时刀片的磨损大幅降低，节约成本；

3、由于SOD882型号的芯片封装单元的尺寸是固定的1.0*0.6mm，因此在框架尺寸固定的情况下，合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率，本引线框架沿框架长度方向分成两个相同的区域，而在每个区域内布置52排、154列芯片安装单元，所以可以算出整个框架上可以布置的芯片安装单元的数量为：52*154*2=16016个，相比之前分为四个区域布置12864个芯片安装单元，增加3152个，密度增加24.5%，大大提高框架的利用率；

4、将芯片安装单元设置成半腐蚀结构，有利于芯片安装单元的封装，增加塑封料和框架的结合力，也有利于改善框架整体的翘曲；而在框架的边框与芯片安装区域之间设半腐蚀区域，可增加塑封料和边框的结合力，切割分离去掉边框时，塑封料能一块去除，提高操作人员的工作效率。

附图说明

图1是现有SOD882 框架的结构示意图。

图2为图1中的芯片安装单元之间的连接结构示意图。

图3本实用新型的SOD882单芯高密度框架的结构示意图。

图4为图3中C区域的结构示意图。

图5为图4中E部的放大图。

图6为图5中F部的放大图。

图中标记：1-框架，101-芯片安装单元，1011-芯片安装区，1012-芯片承载区，102-横向连接部，103-竖向连接部，104-加强筋，105-极性分隔槽，2-分区槽。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例1

如图3至图6所示，本实施例的SOD882单芯高密度框架，包括用于承装芯片的矩形框架1，所述框架1上设有将框架1均分为C、D两个区域的分区槽2，所述分区槽2的方向与框架1短边平行，在C、D区域内都设有多个芯片安装单元101，每个芯片安装单元101上设置有1个芯片安装区1011，相邻芯片安装单元101之间的框架为半腐蚀框架。此处的半腐蚀框架即是将框架腐蚀掉一定的厚度；如图5所示，相邻芯片安装单元之间的半腐蚀框架包括横向连接部102和竖向连接部103。

该高密度框架由原来划分为四个区域变为两个区域，减少划区的框架浪费，有利于在有限的框架尺寸上布置更多的芯片安装单元；而将相邻芯片安装单元之间的框架设为半腐蚀框架，节约生产成本、保证框架质量、改善框架翘曲，便于塑封完成后的框架切割分离、保证切割尺寸准确。

进一步地，在同一个芯片安装单元101中，芯片安装区101通过极性分隔槽105分隔为芯片承载区1012和另外的一个极性部，如图5和图6所示，所述极性分隔槽105延伸至半腐蚀框架的横向连接部102上，分开的横向连接部102通过加强筋104连接。

如图1和图2所示，现有SOD882双芯框架上的芯片安装单元的布置如图所示，框架被均分为A、B、C、D四个区域，在每个区域内布置多个芯片安装单元，在每个芯片安装单元的四个角上均设有加强筋，这样就造成该芯片框架的翘曲比较严重，不利于后续的框架检测、塑封等加工过程。

本实施例将原来芯片安装单元四角均设置加强筋的结构进行优化调整，去掉芯片安装单元四角上设置的加强筋，只在相邻的芯片安装单元之间被极性分隔槽分开的框架上设置加强筋，即可保证框架强度，又改善框架翘曲；同时，加强筋的减少，也使分割芯片时刀片的磨损大幅降低，减少刀片使用量、节约成本。

本实施例中，所述框架1长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在C和D区域内分别布置52排、154列芯片安装单元101。本实施例中，所述芯片安装单元101的长边和框架1的短边平行。

由于SOD882型号的芯片封装单元的尺寸是固定的1.0*0.6mm，因此在框架尺寸固定的情况下，合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率，本引线框架沿框架长度方向分成两个相同的区域，而在每个区域内布置52排、154列芯片安装单元，所以可以算出整个框架上可以布置的芯片安装单元的数量为：52*154*2=16016个，相比之前分为四个区域布置12864个芯片安装单元，增加3152个，密度增加24.5%，大大提高框架的利用率。

本实施例中，在框架1上的C、D区域之间设置多个间隔布置的分区槽2，多个所述分区槽2中心线位于同一直线上；相邻芯片安装单元101之间的距离设为0.15mm。

本实施例中，所述分区槽2的宽度为1.5mm。

该框架的长为250mm，将芯片安装单元的短边与框架的长边平行布置，芯片安装单元间隔尺寸设为0.15mm，则芯片安装单元将会占用的框架长度为：（（0.6+0.15）*153+0.6）=230.7mm，即在芯片安装单元之外还有较为充足的空间布置框架边框；而宽度方面，芯片安装单元占用的宽度：（1+0.15）*51+1=59.65mm，小于框架宽度70mm，也满足使用需求，所以该框架能满足布置16016个芯片安装单元的需求，这样的布置增加了框架密度，提高了设备效率，降低成本。

实施例2

如图1至图6所示，根据实施例1所述的SOD882单芯高密度框架，所述框架1的芯片安装单元101为半腐蚀结构，即将框架腐蚀掉一定的厚度。将芯片安装单元设置成半腐蚀结构，有利于芯片安装单元的封装，增加塑封料和框架的结合力，也有利于改善框架整体的翘曲。

进一步地，在框架1的边框与芯片安装区域之间还设有半腐蚀区域。可增加塑封料和边框的结合力，切割分离去掉边框时，塑封料能一块去除，提高操作人员的工作效率。

更进一步地，上述的半腐蚀区域沿框架1的长度方向布置。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。