一种新型高效高压LED芯片的制作方法

本实用新型涉及一种LED芯片，具体涉及一种新型高效高压LED芯片，属于光电子发光器件技术领域。

背景技术：

目前，LED芯片的光提取效率已经成为限制LED发光效率的主要因素。现有提高芯片的光提取效率的技术途径，都集中于改善芯片的正面的出光效率对LED芯片的侧面发光出光效率并无改善。此外，LED芯片出光效率低的主要原因之一是外延材料的折射率远大于空气折射率，而传统的高压直流LED芯片的图形往往采用矩形单元的布局，使有源区产生的光由于全内反射不能从LED中有效的发射出去，导致LED的外量子效率很低

技术实现要素：

本实用新型提供了一种新型高效高压LED芯片，提升了LED整体的出光效率，同时增大了LED芯片的电压，对提高芯片的亮度和功率卓有成效。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种新型高效高压LED芯片，包括蓝宝石层、芯片单元、隔离槽、连接线、GaN缓冲层、N型GaN、量子阱发光层和P型GaN，其特征在于，还包括导光柱，所述的蓝宝石层上依次设有GaN缓冲层、N型GaN、量子阱发光层和P型GaN，上述限制层上蚀刻隔离出多个独立的呈阵列分布的芯片单元，各个芯片单元之间设有隔离槽，彼此之间由连接线进行串联，每个芯片单元的边缘刻有导光柱。

上述的位于中间的芯片单元为三角形，位于四周边缘的为直角梯形。

上述的芯片单元的发光面积和电流密度相等。

上述的隔离槽的深度向下延伸至蓝宝石层。

上述的导光柱的横截面形状为波浪形、三角形或半圆形。

上述的所有芯片单元分别为平行排列，通过连接线将所有芯片单元进行串联。

本实用新型至少具有如下技术效果或优点：

提升了LED整体的出光效率，同时增大了LED芯片的电压，对提高芯片的亮度和功率卓有成效。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；

图1是本申请实施的俯视结构示意图；

图2是本申请实施的剖面结构示意图；

图1-图2，1为蓝宝石层，2为芯片单元，3为隔离槽，4为导光柱，5为连接线，6为GaN缓冲层，7为N型GaN，8为量子阱发光层，9为P型GaN。

具体实施方式

为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。

实施例1

如图1-图2所示，一种新型高效高压LED芯片，包括蓝宝石层1、芯片单元2、隔离槽3、连接线5、GaN缓冲层6、N型GaN7、量子阱发光层8和P型GaN9，还包括导光柱4，所述的蓝宝石层1上依次设有GaN缓冲层6、N型GaN7、量子阱发光层8和P型GaN9，上述限制层上蚀刻隔离出多个独立的呈阵列分布的芯片单元2，各个芯片单元2之间设有隔离槽3，彼此之间由连接线5进行串联，每个芯片单元2的边缘刻有导光柱4。

其中在实际应用中，所述的位于中间的芯片单元2为三角形，位于四周边缘的为直角梯形，更利于侧壁出光，显著提升了芯片单元2的出光效率。

其中在实际应用中，所述的芯片单元2的发光面积和电流密度相等，避免了不同芯片单元2之间电流密度不同导致的发光效率不同、产生热量不同等问题。

其中在实际应用中，所述的隔离槽3的深度向下延伸至蓝宝石层1。

其中在实际应用中，所述的导光柱4的横截面形状为波浪形、三角形或半圆形，能够改变光束传播至空气时的入射角，从而避免全反射，同时能够避免光束在芯片单元2内部重复反射而造成的损耗。

其中在实际应用中，所述的所有芯片单元2分别为平行排列，通过连接线5将所有芯片单元2进行串联，从而形成高压直流LED。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。