口字型磁芯及多线包电抗器的制作方法

文档序号:12536764阅读:527来源:国知局
口字型磁芯及多线包电抗器的制作方法与工艺

本实用新型涉及电抗技术领域,具体涉及一种口字型磁芯及多线包电抗器。



背景技术:

现阶段磁性元器件都朝着更高频率、更小体积、更高效率发展,对电抗器的性能要求越来越高,如何提高电抗器的效率,节约成本,推进节能是电抗器行业发展关注的重点。

传统磁芯的气隙分布比较集中,漏磁大,气隙损耗大。

传统电抗器为双线包结构,线包在左右磁芯中柱位置,上下轭片无线包,漏磁较大,亦造成磁芯浪费;气隙分布比较集中,漏磁大,气隙损耗大。另外,对于大电流或者电流密度取得较小时,双线包结构中的单个线包要求所用线材选用大的截面积,铜线较粗,绕线时操作困难。



技术实现要素:

(一)解决的技术问题

本实用新型的目的在于提供一种口字型磁芯及多线包电抗器,解决了现有电抗器漏磁大、气隙损耗大、绕线困难等技术问题。

(二)技术方案

为了达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案予以实现:

一方面,本实用新型提供了一种口字型磁芯,所述口字型磁芯包括左磁芯中柱、上轭片、右磁芯中柱和下轭片;所述左磁芯中柱、上轭片、右磁芯中柱和下轭片形成一个中心为口字型的闭合磁路;所述左磁芯中柱、上轭片、右磁芯中柱和下轭片上均至少留有1个气隙。

进一步的,所述左磁芯中柱、上轭片、右磁芯中柱和下轭片上的气隙的数量均为2。

进一步的,相邻气隙的间距为该相邻气隙所在边的长度1/3;该边是指中心的口字型的边。

进一步的,所述左磁芯中柱、上轭片、右磁芯中柱和下轭片上的气隙宽度相同。

进一步的,所述左磁芯中柱和右磁芯中柱上的气隙位置对应;所述上轭片和下轭片的气隙位置对应。

进一步的,所述气隙填充有非导磁材料。

进一步的,所述左磁芯中柱、右磁芯中柱、上轭片和下轭片均由若干个块状磁芯拼接而成。

另一方面,本实用新型还提供了一种多线包电抗器,所述多线包电抗器包括如上述所述的口字型磁芯。

进一步的,所述左磁芯中柱、上轭片、右磁芯中柱和下轭片上均分布有线包。

进一步的,所述线包包裹住所述气隙。

(三)有益效果

本实用新型实施例具有如下的有益效果:

1、本实用新型的口字型磁芯的气隙分散对称分布于整个磁路中,单个气隙小,可以使气隙位置漏磁小,降低气隙损耗。

2、本实用新型的多线包电抗器的上下轭片及两个磁芯中柱上均匀分布有线包,从而减小了漏磁,且成本低。

3、本实用新型的多线包电抗器将多个线包并联,相同电流密度下,单个线包可以选用较细的线材,便于生产操作。

4、本实用新型的多线包电抗器上每边均设置有线包,增大了线圈散热面积,降低温升。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一实施例的口字型磁芯结构示意图;

图2为另一实施例的多线包电抗器结构示意图;

其中,1为口字型磁芯、1-1为左磁芯中柱、1-2为上轭片、1-3为右磁芯中柱、1-4为下轭片、2为线包。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

下面结合附图,对本实用新型的技术方案作详细说明。

本实施例给出了一种口字型磁芯,如图1所示,该口字型磁芯1包括左磁芯中柱1-1、上轭片1-2、右磁芯中柱1-3、下轭片1-4。

左磁芯中柱1-1、上轭片1-2、右磁芯中柱1-3、下轭片1-4形成一个中心为口字型的闭合磁路。左磁芯中柱1-1、上轭片1-2、右磁芯中柱1-3、下轭片1-4均由若干个块状磁芯拼接而成。

为了防止由于气隙分布集中而引起的较大的漏磁和较大的气隙损耗大,本实施例采取了如下技术措施:

1、左磁芯中柱1-1、上轭片1-2、右磁芯中柱1-3、下轭片1-4上均至少留有一气隙,气隙的数量优选为2。

2、相邻气隙3的间距为该相邻气隙3所在边的长度的1/3,该边是指中心的口字的边。如图1中的第一气隙3-1和第二气隙3-2的间距为口字型第一边1-1-1的宽度的1/3。

3、左磁芯中柱1-1、上轭片1-2、右磁芯中柱1-3、下轭片1-4上的气隙3的气隙的宽度相同。如图1中的第一气隙3-1和第二气隙3-2宽度相同。

4、左磁芯中柱1-1和右磁芯中柱1-3上的气隙位置对应,如图1在的第一气隙3-1和第三气隙3-3位置对应。同理,上轭片1-2和下轭片1-4的气隙位置对应。

通过上述技术措施,使得气隙分散对称分布于整个磁路中,单个气隙小,可以使气隙位置漏磁小,降低气隙损耗。

本实施例的气隙填充有非导磁材料。

本实施例的气隙分散对称分布于整个磁路中,单个气隙小,可以使气隙位置漏磁小,降低气隙损耗。

另一实施例利用上述所述的口字型磁芯,给出了一种多线包电抗器,如图2所示,该多线包电抗器包括如上述所述的口字型磁芯1。左磁芯中柱1-1、上轭片1-2、右磁芯中柱1-3、下轭片1-4上的气隙3均被线包2包裹住。本实施例中的左磁芯中柱1-1、上轭片1-2、右磁芯中柱1-3、下轭片1-4上的线包2的数量均为1。

综上所述,本实用新型实施例具有如下的有益效果:

1、本实用新型实施例在上下轭片及两个磁芯中柱上均匀分布有线包,从而减小了漏磁,且成本低。

3、本实用新型实施例将多个线包并联,相同电流密度下,单个线包可以选用较细的线材,便于生产操作。

4、本实用新型实施例的口字型磁芯上每边均设置有线包,增大了线圈散热面积,降低温升。

需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

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