1.一种高频微带基片式隔离器，其特征在于：包括底座(1)、尖晶石铁氧体基片(4)、电阻膜层(2)、环行器微带电路(3)、S形微带线(6)和永磁体(5)，所述尖晶石铁氧体基片(4)的饱和磁矩为5000Gs，其上表面设置有电阻膜层(2)和环行器微带电路(3)，所述环行器微带电路(3)的一只引脚与S形微带线(6)连接，S形微带线(6)设置在电阻膜层(2)上，所述环行器微带电路(3)上设置有永磁体(5)，所述尖晶石铁氧体基片(4)固定在底座(1)上,所述S形微带线(6)的长度为8～10mm。
2.根据权利要求1所述的一种高频微带基片式隔离器，其特征在于：所述尖晶石铁氧体基片(4)的厚度为0.15-0.2mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种高频微带基片式隔离器，其特征在于：所述环行器微带电路(3)通过光刻技术电镀在所述尖晶石铁氧体基片(4)上表面。
4.根据权利要求1或2所述的一种高频微带基片式隔离器，其特征在于：所述电阻膜层(2)通过薄膜工艺设置在所述尖晶石铁氧体基片(4)上。
5.根据权利要求1或2所述的一种高频微带基片式隔离器，其特征在于：所述尖晶石铁氧体基片(4)通过焊锡焊接在底座(1)上。
6.根据权利要求1或2所述的一种高频微带基片式隔离器，其特征在于：所述永磁体(5)通过环氧树脂胶合在所述环行器微带电路(3)上。
7.根据权利要求2所述的一种高频微带基片式隔离器，其特征在于：所述尖晶石铁氧体基片(4)的厚度为0.15mm。