1.一种抗振动的耐高温二极管，其特征在于：包括第一底座(1)、第二底座(2)和二极管本体(3)，所述第一底座(1)的上表面设有和第二底座(2)相匹配的第一凹槽(6)，所述第二底座(2)的底部设有DAF膜(4)，所述第二底座(2)通过DAF膜(4)固定在第一凹槽(6)内，所述第二底座(2)的上表面设有和二极管本体(3)相匹配的第二凹槽(5)，所述二极管本体(3)的底部设有DAF膜(4)，所述二极管本体(3)通过DAF膜(4)固定在第二凹槽(5)内，所述第二凹槽(5)填充有环氧树脂层(7)，所述环氧树脂层(7)覆盖二极管本体(3)，所述第一凹槽(6)填充有硅橡胶层(8)，所述硅橡胶层(8)覆盖第二底座(2)，所述二极管本体(3)的上表面左右两侧分别设有引脚(32)，所述引脚(32)的尾部向外依次穿过环氧树脂层(7)和硅橡胶层(8)延伸至第一底座(1)的外部。
2.根据权利要求1所述的一种抗振动的耐高温二极管，其特征在于：所述二极管本体(3)包括芯片(31)、金属触点(33)和引线(34)，所述芯片(31)的上表面设有DAF膜(4)，所述引脚(32)通过DAF膜(4)固定在芯片(31)的上表面，所述芯片(31)的左右两侧分别设有金属触点(33)，所述芯片(31)的左侧的金属触点(33)通过引线(34)和左侧引脚(32)电性连接，所述芯片(31)的右侧金属触点(33)通过引线(34)和右侧引脚(32)电性连接。
3.根据权利要求2所述的一种抗振动的耐高温二极管，其特征在于：所述芯片(31)的外表面设有钝化材料层(37)。
4.根据权利要求1所述的一种抗振动的耐高温二极管，其特征在于：所述引脚(32)包括置于第二凹槽(5)内部的第一墩头(35)和第二墩头(36)，所述第一墩头(35)与芯片(31)接触。
5.根据权利要求4所述的一种抗振动的耐高温二极管，其特征在于：所述第一墩头(35)设为锥形凸头状，所述第二墩头(36)的厚度设置为0.15mm-1mm。
6.根据权利要求1所述的一种抗振动的耐高温二极管，其特征在于：所述DAF膜(4)设为耐高温绝缘膜。
7.根据权利要求1所述的一种抗振动的耐高温二极管，其特征在于：所述DAF膜(4)的厚度设为不大于25μm。