一种抗振动的耐高温二极管的制作方法

本实用新型涉及二极管技术领域，特别是涉及一种抗振动的耐高温二极管。

背景技术：

二极管的分类有很多种，其中一种是为了交流电的整流而使用的二极管，该类二极管也适用于机动车中的整流器。目前用于汽车的整流二极管，通过与汽车发动机连接起到整流作用。现有技术中的该类二极管的管芯均采用二次焊接的方式，这种二次焊接制作二极管的方法中又具体分为两种工艺制作。第一种为全环氧树脂实体封装方式，虽然环氧树脂与芯片及管座的热膨胀系数较匹配，在工作中具有一定的抑制热应力能力，但由于该种结构二极管管壳较薄，在压入极板的过程中压入应力极易传递至芯片，导致芯片受损，产品失效，因此采用全环氧封装的二极管抗机械应力能力较差，在二极管压入过程中易失效。第二种为全硅橡胶实体封装方式，其采用硅橡胶封装，虽然压入时能释放一定的机械应力；但由于硅橡胶与芯片及管座的热膨胀系数不匹配，导致长期工作时的抑制热应力能力较弱，因此其寿命水平较低。同时，由于二极管焊接到电路板上时，需要将引线弯折，这样就极易引起引线内部出现断裂、松动，使得产品失去电连接性能而成为废品。而即使采用了墩头结构，也由于墩头厚度不够造成墩头抗应力能力不足，导致应力传导到引线与芯片的直接接触面，造成芯片拉伤。

技术实现要素：

为了解决上述现有技术存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种抗振动的耐高温二极管，采用半环氧树脂半硅橡胶封装制作，使得该二极管同时具有良好的耐高温、抗振动、及抗引线弯曲能力；且其压入时应力释放能力较好，使用时具有较高的抑制应力能力，可以有效避免二极管压入及使用过程中失效，延长其使用寿命；同时，在引脚增加了墩头，增大了引脚的抗应力能力，避免应力直接传导到引线与芯片的直接接触面，防止二极管内部芯片拉伤和引线出现断裂、松动。

本实用新型采用的技术方案为：一种抗振动的耐高温二极管，包括第一底座、第二底座和二极管本体，所述第一底座的上表面设有和第二底座相匹配的第一凹槽，所述第二底座的底部设有DAF膜，所述第二底座通过DAF膜固定在第一凹槽内，所述第二底座的上表面设有和二极管本体相匹配的第二凹槽，所述二极管本体的底部设有DAF膜，所述二极管本体通过DAF膜固定在第二凹槽内，所述第二凹槽填充有环氧树脂层，所述环氧树脂层覆盖二极管本体，所述第一凹槽填充有硅橡胶层，所述硅橡胶层覆盖第二底座，所述二极管本体的上表面左右两侧分别设有引脚，所述引脚的尾部向外依次穿过环氧树脂层和硅橡胶层延伸至第一底座的外部。

作为优选方式，所述二极管底座包括芯片、金属触点和引线，所述芯片的上表面设有DAF膜，所述引脚通过DAF膜固定在芯片的上表面，所述芯片的左右两侧分别设有金属触点，所述芯片的左侧的金属触点通过引线和左侧引脚电性连接，所述芯片的右侧金属触点通过引线和右侧引脚电性连接。

作为优选方式，所述芯片的外表面设有钝化材料层，所述钝化材料层采用聚酰亚胺及添加物材料制成。更具体的，该添加物为一种稀释剂，其包括有羧基有机物。

作为优选方式，所述引脚包括置于第二凹槽内部的第一墩头和第二墩头，所述第一墩头与芯片接触。

作为优选方式，所述第一墩头设为锥形凸头状，所述第二墩头的厚度设置为0.15mm-1mm。

作为优选方式，所述DAF膜设为耐高温绝缘膜。

作为优选方式，所述DAF膜的厚度设为不大于25μm。

本实用新型的有益效果是：

1、采用半环氧树脂半硅橡胶封装制作，使得该二极管同时具有良好的耐高温、抗振动、及抗引线弯曲能力；且其压入时应力释放能力较好，使用时具有较高的抑制应力能力，可以有效避免二极管压入及使用过程中失效，延长其使用寿命。

2、芯片的引脚增加墩头，焊接中由于墩头的存在和尺寸的加厚，增大了引脚的抗应力能力，能够防止应力直接传导到引线与芯片的直接接触面，防止二极管内部芯片拉伤和引线出现断裂、松动；

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型二极管本体的结构示意图。

图3是本实用新型二极管本体的芯片的结构示意图。

其中：

第一底座-1 第二底座-2 二极管本体-3

DAF膜-4 第二凹槽-5 第一凹槽-6

环氧树脂层-7 硅橡胶层-8 芯片-31

引脚-32 金属触点-33 引线-34

第一墩头-35 第二墩头-36 钝化材料层-37

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本实用新型的技术方案进行说明。

参照图1、图2和图3所示，一种抗振动的耐高温二极管，包括第一底座1、第二底座2和二极管本体3，所述第一底座1的上表面设有和第二底座2相匹配的第一凹槽6，所述第二底座2的底部设有DAF膜4，所述第二底座2通过DAF膜4固定在第一凹槽6内，所述第二底座2的上表面设有和二极管本体3相匹配的第二凹槽5，所述二极管本体3的底部设有DAF膜4，所述二极管本体3通过DAF膜4固定在第二凹槽5内，所述第二凹槽5填充有环氧树脂层7，所述环氧树脂层7覆盖二极管本体3，所述第一凹槽6填充有硅橡胶层8，所述硅橡胶层8覆盖第二底座2，所述二极管本体3的上表面左右两侧分别设有引脚32，所述引脚32的尾部向外依次穿过环氧树脂层7和硅橡胶层8延伸至第一底座1的外部。采用半环氧树脂层7、半硅橡胶层8封装制作二极管，环氧树脂与芯片31及第一底座1、第二底座2的热膨胀系数较匹配,使二极管在工作中具有一定的抑制热应力能力,硅橡胶层8能在二极管压入时释放一定的机械应力的优点，使得该二极管同时具有良好的耐高温、抗振动、及抗引线弯曲能力，以及增强二极管压入时应力释放的能力，使得二极管在使用时具有较高的抑制应力能力，可以有效避免二极管压入及使用过程中失效，延长其使用寿命

所述二极管本体3包括芯片31、金属触点33和引线34，所述芯片31的上表面设有DAF膜4，所述引脚32通过DAF膜4固定在芯片31的上表面，所述芯片31的左右两侧分别设有金属触点33，所述芯片31的左侧的金属触点33通过引线34和左侧引脚32电性连接，所述芯片31的右侧金属触点33通过引线34和右侧引脚32电性连接。

所述芯片31的外表面设有钝化材料层37。

所述引脚32包括置于第二凹槽5内部的第一墩头35和第二墩头36，所述第一墩头35与芯片31接触。在引脚32增加了第一墩头35和第二墩头36，增大了引脚32的抗应力能力，避免应力直接传导到引线34与芯片31的直接接触面，防止二极管内部芯片31拉伤和引线34出现断裂、松动。

所述第一墩头35设为锥形凸头状，所述第二墩头36的厚度设置为0.15mm-1mm。通过设定第一墩头35的形状和第二墩头36的尺寸，增强引脚32的稳定性。

所述DAF膜4设为耐高温绝缘膜，保证了二极管的耐高温性。

所述DAF膜4的厚度设为不大于25μm，降低整体封装厚度。

上述实施例仅是显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。