一种半导体热板及半导体烘烤设备的制作方法

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体热板及半导体烘烤设备。

背景技术：

在半导体的制造过程中，常用热板对半导体进行加热，以使得半导体表面涂覆的材料固化。但是，传统的热板结构中，半导体边缘直接与热板接触，半导体边缘涂覆的半固态材料会沾污热板，而且由于沾污频率高，清洁难度大，严重影响半导体生产工艺的稳定性。

技术实现要素：

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种半导体热板及半导体烘烤设备，能够解决现有热板容易沾污的问题。

为了解决上述问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种半导体热板，包括：第一平台，具有第一表面，其外径小于所述半导体外径，用于支撑所述半导体；第二平台，具有第二表面，所述第二表面外径大于所述第一表面外径；其中，所述第一平台凸设于所述第二平台中，所述第一表面位于所述第一平台凸出处。

其中，所述第二平台中空，且套设于所述第一平台周围；或所述第二平台的所述第二表面内凹，所述第一平台一部分陷入所述第二平面内凹处；或所述第一平台和所述第二平台一体成型。

其中，所述第二平台的工作温度高于所述第一平台的工作温度，以使得所述放置于所述第一平台上的所述半导体加热均匀。

其中，所述半导体热板进一步包括至少三个定位件，所述至少三个定位件分散设置于所述第二平台边缘，均与所述第一平台间隔，限定所述半导体的最大偏移界限。

其中，所述定位件是定位销。

其中，所述定位销上设置有螺纹，所述第二平台边缘设置有螺纹孔，以使得所述定位销安装于所述第二平台上。

其中，所述定位销焊接于所述第二平台。

其中，所述第一表面的外径比所述半导体外径小至少3毫米。

其中，所述第一表面与所述第二表面平行且间隔至少3毫米。

为了解决上述问题，本实用新型采用的另一个技术方案是：提供一种半导体烘烤设备，包括上述任一种半导体热板。

本实用新型的有益效果是：区别于现有技术的情况，本实用新型中半导体热板第一平台的第一表面外径小于其支撑的半导体外径，第二平台的第二表面外径大于第一表面外径，并且第一平台凸设于第二平台中，第一表面位于第一平台凸出处，使得放置于第一表面的半导体边缘与第一表面和第二表面均不接触，从而使得半导体边缘涂覆的材料不沾污热板。

附图说明

图1是本实用新型半导体热板第一实施方式的截面示意图；

图2是图1中半导体热板放置半导体时的截面示意图；

图3是图2中半导体热板边缘的截面放大示意图；

图4是本实用新型半导体热板第二实施方式的截面示意图；

图5是本实用新型半导体热板第二实施方式的俯视示意图；

图6是图4中半导体热板放置半导体时半导体热板边缘的截面放大示意图；

图7是本实用新型半导体热板第三实施方式的截面示意图；

图8是图7中半导体热板放置半导体时半导体热板边缘的截面放大示意图；

图9是本实用新型半导体烘烤设备一实施方式的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，图1是本实用新型半导体热板第一实施方式的截面示意图。如图1所示，本实用新型半导体热板10包括：第一平台101和第二平台102。

第一平台101，具有第一表面1011，其外径小于半导体外径，用于支撑半导体；

第二平台102，具有第二表面1021，第二表面1021外径大于第一表面1011外径；

其中，第一平台101凸设于第二平台102中，第一表面1011位于第一平台101凸出处。

具体地，在一个应用例中，第二平台102中空，且套设于第一平台101周围，例如第二平台102是一个中空圆环，第一平台101是一个外径等于或小于第二平台102内径的圆台，以使得第二平台102套设于第一平台101周围；其中，第二平台102和第一平台101也可以是其他形状的结构，例如分别是中空的方形柱体和实心的方形柱体等，此处不做具体限定。

当然，在其他应用例中，第二平台102的第二表面1021可以内凹，第一平台101一部分陷入第二平面1021内凹处，其中，第一平台101和第二平台102可以通过焊接的方式固定连接，也可以将第一平台101直接放置与第二平台102的中空圆环或者内凹处，方便更换维修；或者第一平台101和第二平台102还可以是一体成型的，此处不做具体限定。

进一步地，在上述应用例中，第一表面1011的外径比半导体外径小至少3毫米，第一表面1011与第二表面1021平行且间隔至少3毫米。

具体地，结合图2和图3所示，放置于第一表面1011上的半导体100是半导体晶圆片，第一表面1011的外径L1比放置于第一表面1011上的半导体晶圆片100的外径L2小至少3毫米，第一表面1011与第二表面1021平行且二者之间的间隔h至少3毫米，使得半导体晶圆片100的边缘与第一表面1011、第二表面1021均不接触。

进一步地，第二平台102的工作温度高于第一平台101的工作温度，以使得放置于第一平台101上的半导体100加热均匀。

具体地，第一平台101和第二平台102均采用导热材料制成，例如不锈钢。其中，第一平台101和第二平台102可以采用同种导热材料制成，例如均采用不锈钢制成，此时，为了使第二平台102的工作温度高于第一平台101的工作温度，可以采用不同的加热部件分开控制第一平台101和第二平台102的工作温度；当然，第一平台101和第二平台102也可以采用不同导热材料制成，其中第一平台101采用的导热材料导热率小于第二平台102采用的导热材料，例如第一平台101采用不锈钢、第二平台102采用铝，此时，由于第一平台101的材料导热速度小于第二平台102的材料，可以采用同样的加热部件控制第一平台101和第二平台102的工作温度，也能够使得第二平台102的工作温度高于第一平台101的工作温度。

上述实施方式中，半导体晶圆片100一表面1001涂覆材料，例如光刻胶等，当使用半导体热板10对半导体晶圆片100进行加热时，将半导体晶圆片100放置于第一平台101上，半导体晶圆片100没有涂覆材料的另一表面1002与第一平台101的第一表面1021接触，并且由于第一表面1011外径小于半导体晶圆片100外径，半导体晶圆片100边缘与第一表面1011不接触，第二平台102的第二表面1021与第一平台101的第一表面1011平行且间隔至少3毫米，使得半导体晶圆片100边缘也不与第二表面1021接触，从而使得半导体晶圆片100边缘涂覆的半固态材料不沾污半导体热板10；此外，通过控制第一平台101和第二平台102的工作温度，可以使第二平台102的工作温度高于第一平台101的工作温度，从而使得放置于第一平台101上的半导体晶圆片100加热均匀。

在其他实施方式中，半导体热板还可以在边缘设置定位件，以限定半导体的最大偏移界限，使得半导体放置于热板的加热区域。

具体请参阅图4，图4是本实用新型半导体热板第二实施方式的截面示意图。图4与图1结构类似，此处不再赘述，不同之处在于半导体热板20进一步包括至少三个定位件203，所述至少三个定位件203分散设置于第二平台202边缘，均与第一平台201间隔，用于限定半导体的最大偏移界限。

具体地，结合图4和图5所示，在一个应用例中，第一平台201是一圆台，第二平台202是中空圆环，且套设于第一平台201四周，定位件203是定位销，数量为三，分散设置于第二平台202边缘。例如，两个相邻定位销203与第一平台201中心圆点的连线之间的夹角均为120度。如图6所示，定位销203上设置有螺纹，第二平台202边缘设置有螺纹孔，以使得定位销203安装于第二平台202上。定位销203用于限定放置于第一平台201上的半导体200的最大偏移界限，例如，采用机械臂放置半导体晶圆片200时，安装于第二平台202边缘的定位销203可以使得半导体晶圆片200的中心与第一平台201中心的偏移值为1～2毫米，以使得半导体晶圆片200位于半导体热板20的加热区域内，并且半导体晶圆片200的边缘不与定位销203接触，进一步避免沾污热板。当然，在其他应用例中，定位销203也可以焊接于第二平台202，数量可以是四个甚至更多，定位件203也可以是卡扣等其他部件，此处不做具体限定。

在其他实施方式中，第二平台边缘朝向第一平台方向也可以设置一中空圆环，用于限定半导体的最大偏移界限；第一平台的第一表面还可以设置支撑件，用于支撑半导体。

具体请参阅图7，图7是本实用新型半导体热板第三实施方式的截面示意图。图7与图1结构类似，此处不再赘述，不同之处在于第二平台302边缘朝向第一平台301方向设置一中空圆环3022，用于限定半导体的最大偏移界限；第一平台301的第一表面3011设置支撑件3012，用于支撑半导体。

具体地，结合图7和图8所示，在一个应用例中，第二平台302边缘朝向第一平台301方向设置有一中空圆环3022，中空圆环3022可以通过焊接的方式与第二平台302相对固定，也可以是与第二平台302一体成型，此处不做具体限定；中空圆环3022的高度高于第一平台301凸出第二平台302区域的高度，从而在将半导体放置于第一平台301上时，可以限定半导体的最大偏移界限，以使得半导体处于半导体热板的加热区域。

上述应用例中，第一平台301的第一表面3011设置有若干支撑件3012，例如在第一表面3011上分散设置四个支撑钉，用于在放置半导体时支撑半导体；支撑件3012可以通过第一平台301上的螺纹孔安装于第一平台301上，通过调节支撑件3012的高度可以调节半导体与第一表面3011的距离，使得半导体高度不超过中空圆环3022，从而仍然可以通过中空圆环3022限定半导体的最大偏移界限。例如，当半导体厚度较小时，可以将支撑件3012向远离第一表面3011方向旋转，以使得半导体与第一表面3011的距离增大；当半导体厚度较大时，可以将支撑件3012向接近第一表面3011方向旋转，以使得半导体与第一表面3011的距离减小。当然，在其他应用例中，支撑件3012也可以直接焊接于第一平台301上，此处不做具体限定。

请参阅图9，图9是本实用新型半导体烘烤设备一实施方式的结构示意图。如图9所示，本实用新型半导体烘烤设备90包括半导体热板901，其中，半导体热板901的具体结构可以参考本实用新型半导体热板第一、第二、第三实施方式中的任意一种结构，此处不再重复。

具体地，半导体烘烤设备90内部设置有加热块(图未示)，加热块与半导体热板901底部接触。半导体烘烤设备90工作时，加热块发热，半导体热板901传导热量，从而对放置于第一平台9011上的半导体进行加热。在一个应用例中，半导体热板901的第二平台9012套设于第一平台9011四周，通过两个加热块分别控制第一平台9011和第二平台9012的工作温度，从而放置于第一平台9011上的半导体加热均匀。当然，在其他应用例中，第一平台9011和第二平台9012采用不同的导热材料制成时，也可以通过同一加热块使得第一平台9011和第二平台9012的工作温度不同，此处不做具体限定。

上述实施方式中，半导体烘烤设备的半导体热板第一平台的第一表面外径小于其支撑的半导体外径，第二平台的第二表面外径大于第一表面外径，并且第一平台凸设于第二平台中，第一表面位于第一平台凸出处，使得放置于第一表面的半导体边缘与第一表面和第二表面均不接触，从而使得半导体边缘涂覆的材料不沾污热板；并且通过控制加热块的加热温度或者通过第一平台和第二平台采用不同导热材料，可以使得第一平台的工作温度低于第二平台的工作温度，进而使得放置于第一平台上的半导体加热均匀。

以上所述仅为本实用新型的实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。