1.一种可配置ROM，其特征在于，包括电可编程反熔丝(42，44)以及通过掩蔽编程的反熔丝(46)。
2.根据权利要求1所述的可配置ROM，其特征在于，至少一个电可编程反熔丝包括电容器(1)，所述电容器与存取晶体管(3)串联连接，所述电容器包括驻留在绝缘材料层(23)上的极板(25)，电接触件被形成在所述存取晶体管的栅极(7)上、被形成在晶体管的与所述电容器相对的主区域(5)上以及被形成在所述电容器的极板(25)上。
3.根据权利要求2所述的可配置ROM，其特征在于，通过掩蔽编程的至少一个反熔丝包括电可编程反熔丝的部件，并且进一步包括在所述晶体管(3)和所述电容器(1)之间在衬底(11)上的电接触件。
4.根据权利要求2所述的可配置ROM，其特征在于，所述电接触件中的每个电接触件经由通孔连接至在第一金属化层中形成的电极。
5.根据权利要求4所述的可配置ROM，其特征在于，电可编程反熔丝的所述电容器(1)的电极的形状和尺寸与通过掩蔽编程的反熔丝的电容器(1)的电极的形状和尺寸等同。
6.根据权利要求2所述的可配置ROM，其特征在于，所述绝缘材料层具有与所述存取晶体管的栅极绝缘体层相同的厚度，并且由与所述存取晶体管的栅极绝缘体层相同的材料制成。
7.根据权利要求6所述的可配置ROM，其特征在于，所述绝缘材料层和所述栅极绝缘体层具有在从1nm至10nm范围内的厚度。