具有切割栅极应力源的FinFET的制作方法

公开领域

本申请一般涉及晶体管结构并且尤其涉及鳍场效应晶体管(鳍fet或即finfet)器件。

背景技术：

已知向finfet器件的沟道区中的晶格施加某些应力可降低栅极延迟并提高开关速度。还已知对于n沟道(nmos)finfet和p沟道(pmos)finfet而言，应力的方向与所得的性能变化(即，改进或降级)之间的相应关系可能是相反的。例如，在nmosfinfet中，沿沟道方向(即，鳍的延伸方向)的张应力可增加电子移动性，并且因此改进finfet速度。然而，在pmosfinfet中，相反情况可以成立，即张应力可使性能降级而压应力增加电子移动性。

常规应力源元件技术因此可包括在结构和材料方面彼此显著不同的nmosfinfet应力源和pmosfinfet应力源，以分别引入相反的应力。结构和材料方面的差异可增加制造工艺的成本。

概述

本概述标识一些示例方面，且不是所公开的主题的穷尽性描述。无论特征被包括在本概述中还是从本概述中省略都不旨在指示相对重要性。描述了附加特征和方面，并且这些附加特征和方面将在阅读以下详细描述并查看形成该详细描述的一部分的附图之际变得对本领域技术人员显而易见。

公开了finfet器件，并且finfet器件中的一者或多者的示例特征可包括由半导体形成的鳍，该鳍被配置成在鳍方向上延伸并具有沟道区。各特征还可包括例如横贯鳍方向延伸的栅极应力源部件，其由金属制成且具有栅极面，并且栅极面可被配置成在沟道区中骑跨并啮合该鳍。各特征还可包括至少两个横向应力源部件，每一横向应力源部件由金属制成且被配置成在沟道区外部的相应至少两个区域处骑跨并啮合该鳍。在一方面，栅极应力源部件可被配置成具有部分切口，并且该部分切口可被配置成形成与该鳍相邻且与该鳍间隔开切割距离的部分切割边缘。在一附加方面，栅极应力源部件可被进一步配置成在该鳍中贯穿栅极面促生具有一量级的横向应力。在另一方面，至少两个横向应力源部件可被配置成在沟道区外部的至少两个相应区域处在该鳍中促生至少两个附加横向应力。在一方面，该量级可至少部分地基于切割距离，并且其中该量级和该鳍中的该至少两个附加横向应力的组合在沟道区中引发纵向压应变。

公开了用于选择性地设置finfet鳍沟道区中的纵向应变的各种方法。在一方面，各种方法中的一者或多者中的操作可包括例如：形成与给定公共轴平行延伸的一组鳍，其中该组鳍中的每一鳍可包括沟道区；以及形成一组过程中栅极(in-processgate)，其中该组过程中栅极中的每一过程中栅极可由金属形成，并且其中该组过程中栅极中的各个过程中栅极可被配置成骑跨并啮合该组鳍中的各个鳍。在另一方面，各操作可包括例如在该组过程中栅极中的所选过程中栅极中形成部分切口的图案，其中部分切口的图案可被配置成形成与来自该组鳍中的一鳍相邻并间隔开相应距离的部分切割边缘，其中相应距离可被配置成至少部分地设定所选过程中栅极在鳍中促生的横向应力。

公开了附加finfet器件，并且附加finfet器件中的一者或多者的示例特征可包括由半导体形成的鳍，该鳍被配置成在鳍方向上延伸。附加特征可包括例如沟道区和横贯鳍方向延伸的栅极应力源部件，该栅极应力源部件由金属制成且具有栅极面，其中栅极面可被配置成在沟道区中骑跨并啮合该鳍。各特征还可包括例如至少两个横向应力源部件，该至少两个横向应力源部件由金属制成且被配置成在沟道区外部的相应区域处骑跨并啮合该鳍。在一方面，栅极应力源部件可被配置成在该鳍中贯穿栅极面促生具有横向应力量级的横向应力。在另一方面，该至少两个切口可被配置成形成与鳍相邻且间隔开相应切割距离的相应边缘。在一方面，该至少两个横向应力源部件可被进一步配置成在沟道区外部的相应区域处在该鳍中促生具有相应量级的相应附加横向应力，并且该相应量级可至少部分地基于相应切割距离。在又一方面，相应切割距离可被设置，其中横向应力量级和相应量级的组合可在沟道区中引发纵向拉伸应变。

公开了一种用于选择性地设置finfet鳍沟道区中的纵向应变的方法，并且各操作可包括例如形成与给定公共轴平行延伸的一组鳍，并且该组鳍中的每一鳍可包括一沟道区。在一方面，各操作还可包括例如形成一组虚栅极，并且该组虚栅极中的每一虚栅极可由多晶硅形成，并且该组虚栅极中的每一虚栅极可被配置成骑跨并啮合该组鳍中的每一鳍。在一方面，各操作还可包括例如在该组虚栅极中的所选虚栅极中形成部分切口的图案，其中部分切口的图案可被配置成形成与该组鳍中的每一鳍相邻并间隔开相应距离的部分切口多晶硅边缘。在一方面，各操作还可包括例如用金属替换该组虚栅极中的每一虚栅极以形成一组过程中金属栅极部件，其中该组过程中金属栅极部件可包括与所选虚栅极相对应的过程中金属栅极部件。在一方面，与所选虚栅极相对应的过程中金属栅极部件可被配置成在该组鳍中的每一鳍中促生横向应力，其中该组鳍中的每一鳍中的横向应力可具有与距该一组鳍中的每一鳍的相应距离相对应的量级。

附图简要说明

附图被呈现以辅助各方面的描述，并且被提供来仅用于根据各方面并示出各方面的解说性示例，并且不是这些示例的限制。

图1a是根据一个或多个方面的部分切割栅极(pcg)受应力鳍pmosfinfet器件的一个示例集合的顶部投影视图。

图1b是图1的顶部投影视图，其中移除了各个组件以使受遮挡结构可见。

图1c是从图1a的切面1-1来看的图1a的pcg受应力鳍pmosfinfet器件集合的剖面正投影视图。

图1d是从图1a的切面2-2来看的图1a的pcg受应力鳍pmosfinfet器件的剖面正投影视图。

图1e是从图1a的切面3-3来看的图1a的pcg受应力鳍pmosfinfet器件的剖面正投影视图。

图1f是来自与图1a相同的顶部投影的mcg受应力鳍pmosfinfet器件100的放大视图，其中一些结构以透明骨架形式来呈现以便可见并且注释有某些应力和应变的图形表示。

图2a是根据一个或多个方面的一个示例pcg受应力鳍nmosfinfet器件的顶部投影视图。

图2b是从图2a的切面4-4来看的图2a的pcg受应力鳍nmosfinfet器件的剖面正投影视图。

图3是根据一个或多个方面的一个示例pcg受应力鳍nmos/pmosfinfet的顶部投影视图。

图4a-7b按照快照序列示出制造一个示例pcg受应力鳍nmos/pmosfinfet器件的过程的一部分中的示例操作。

图4a示出根据一个或多个方面的包括p沟道鳍的一个示例集合和n沟道鳍的一个示例邻集合的一个过程中结构的顶部投影视图。

图4b是从图4a的正投影切面7-7来看的图4a的过程中结构的剖面正投影视图。

图5a示出在形成过程中栅极之后包括图4a-4b过程中结构的一个后续过程中结构的顶部投影视图。

图5b是从图5a的切面8-8来看的图5a的后续过程中结构的剖面正投影视图。

图6a示出在形成用于pcg受应力沟道nmosfinfet和pcg受应力沟道pmosfinfet的掩模之后的下一后续过程中结构(包括图5a-5b过程中结构)的顶部投影视图。

图6b是从图6a的切面9-9来看的图6a的下一后续过程中结构的剖面正投影视图。

图7a示出通过使用图6a过程中结构的掩模部分地蚀刻来形成的一个最终(相对于制件的所解说部分)过程中结构700的顶部投影视图。

图7b是从图7a的切面10-10来看的图7a的最终过程中结构的剖面正投影视图。

图8a-10按照快照序列示出用于形成部分切口的一个另选过程的一部分中的示例操作。

图8a示出具有多晶硅虚栅极的过程中结构的顶部投影视图，其中虚栅极中有部分栅极切口。

图8b是从图8a的切面11-11来看的图8a的过程中结构的剖面正投影视图。.

图9示出从图8a的切面来看的通过ild沉积和平坦化以填充多晶硅虚栅极中的图8a-8b部分切口来形成的下一过程中结构。

图10示出从图8a的切面来看的通过移除图8a-9b多晶硅虚栅极并应用替换金属栅极工艺来形成的下一过程中结构。

图11示出根据一个或多个方面的一个示例个人通信和计算设备的功能示意图。

详细描述

在以下描述和相关附图中公开了各个方面。在阅读本公开之际，没有背离所公开的方面的范围的各种替换方案可变得明显。另外，在某些示例应用、实现以及与其相关的操作的描述中，从所描述的上下文中显式地或隐式地标识了各实例，其中已知常规技术可被采用以用于某些组件和动作。在这样的实例中，所采用的常规技术的详细描述可被省略以便不混淆本发明的相关细节。

措辞“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何方面或其示例配置不必被解释为优于或胜过其他方面或配置。同样，相关于措辞“本发明的各方面”来讨论的特征、优点或操作模式不暗示本发明的所有方面都包括所讨论的特征、优点或操作模式。

本文所使用的术语仅出于描述特定方面的目的，而并不旨在限定本发明。如本文所使用的，单数形式的“一”、“某”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。另外，术语“包括”、“具有”、“包含”和/或“含有”在本文中使用时指明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元素、和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或其群组的存在或添加。

此外，某些方面是根据示例操作来描述的。将理解，除非另有描述，这些操作能由专用电路(例如，专用集成电路(asic))、由正被一个或多个处理器执行的程序指令、或由这两者的组合来执行。另外，专用电路(例如，asic)、处理器以及由它们中的一者或多者执行的程序指令可被描述为“配置成执行所描述的操作和动作的逻辑”。另外，本文中所描述的动作序列可被认为是完全体现在任何形式的计算机可读存储介质内，该计算机可读存储介质内存储有一经执行就将使相关联的处理器执行本文所描述的功能性的相应计算机指令集。由此，各个方面可以用数种不同的形式来体现，所有这些形式都被构想落在所要求保护的主题内容的范围内。

根据各方面的一个示例部分切割栅极(pcg)finfet器件可包括半导体鳍，该半导体鳍在鳍方向上延伸并具有第一远端区和第二远端区之间的沟道区。示例pcgfinfet可包括由金属形成且横贯鳍方向延伸的栅极应力源部件，其具有在沟道区处骑跨该鳍的栅极面。在一方面，示例pcgfinfet可包括由金属形成且与栅极应力源部件平行延伸的第一横向应力源部件。第一横向应力源部件可被配置成形成在第一远端区处骑跨该鳍的第一远端啮合面。在又一方面，示例pcgfinfet可包括由金属形成且与栅极应力源部件平行延伸的第二横向应力源部件。第二横向应力源部件可被配置成形成在第二远端区处骑跨该鳍的第二远端啮合面。

在示例pcgfinfet中，栅极应力源部件可以在沟道区内产生或促生至少部分地贯穿栅极面的沟道区横向应力。出于本说明书的目的，“横向”在被用来标记或描述应力或应变时，意指横贯鳍方向、并且与鳍的侧壁正交的方向。沟道区横向应力可具有沟道区横向应力量级。在一方面，第一横向应力源部件可被配置成在该鳍的第一远端区内贯穿第一远端啮合面促生具有第一远端横向应力量级的第一远端横向应力。在一相似方面，第二横向应力源部件可被配置成在该鳍的第二远端区内贯穿第二远端啮合面促生具有第二远端横向应力量级的第二远端横向应力。

根据各方面，pcgfinfet的栅极应力源部件、第一横向应力源部件以及第二横向应力源部件中的一者或多者可以形成有所选布置和分布的部分切口，每一部分切口距鳍具有一相应距离。在一方面，栅极应力源部件、第一横向应力源部件以及第二横向应力源部件可被配置成使得部分切口的布置和分布的调整或变化可至少部分地造成沟道区横向应力量级、第一远端横向应力量级以及第二远端横向应力量级的数值的关系的对应调整或变化。

在一方面，部分切口的一个或多个布置和分布可将数值的关系建立在第一预定关系处，这可导致或促生沟道区中的纵向拉伸应变。在另一方面，部分切口的一个或多个其他布置和分布可将数值的关系建立在第二预定关系处，这可导致或促生沟道区中的纵向压应变。.

图1a是根据一个或多个方面的部分切割栅极(pcg)受应力鳍pmosfinfet器件100的一个示例集合的顶部投影视图。

参考图1a，在一方面，pcg受应力鳍pmosfinfet器件100可包括例如由半导体材料形成且全部平行于鳍方向ax延伸的三个鳍，诸如第一鳍102-1、第二鳍102-2和第三鳍102-3。为了在描述各示例特征和操作时简明起见，第一鳍102-1、第二鳍102-2和第三鳍102-3将被统称为“鳍102”(这是在图1a上没有分开地可见的参考标号)。将理解，三个鳍只是一个示例数量，并且不旨在限制任何方面的范围。例如，在阅读本公开之际，本领域普通技术人员将容易理解所公开的概念和方面可以使用两个或甚至一个鳍102和/或通过使用四个或更多鳍102来实施。

参考图1a，pcg受应力鳍pmosfinfet器件100可包括栅极应力源部件104和多个横向应力源部件(诸如第一横向应力源部件106和第二横向应力源部件108，它们中的每一者在图1a中部分可见)。栅极应力源部件104可以沿横贯鳍方向ax的轴gx来延伸，且可被配置成在电气上充当具有鳍102的最终产品(在图1中不是完全可见的)中的操作finfet栅极的多鳍栅极。

图1b是从与图1a相同的顶部投影来看的pcg受应力鳍pmosfinfet器件100的视图，其中栅极应力源部件104、第一横向应力源部件106以及第二横向应力源部件108被移除。参考图1b，第一鳍102-1可以自(或贯穿)第一鳍第一远端区102r-1延伸至(或贯穿)第一鳍第二远端区102s-1，并且可包括居间区(第一鳍沟道区102c-1)。第二鳍102-2可以类似地包括第二鳍沟道区102c-2、第二鳍第一远端区102r-2和第二鳍第二远端区102s-2，且第三鳍102-3可包括第三鳍沟道区102c-3、第三鳍第一远端区102r-3和第三鳍第二远端区102s-3。

图1c是从图1a的正投影切面1-1来看的图1a的pcg受应力鳍pmosfinfet器件100的剖面正投影视图。

参考图1c，栅极应力源部件104可以提供可在第一鳍沟道区102c-1中骑跨并啮合第一鳍102-1的第一鳍栅极面104g-1、可在第二鳍沟道区102c-2中骑跨并啮合第二鳍102-2的第二鳍栅极面104g-2、以及可在第三鳍沟道区102c-3中骑跨并啮合第三鳍102-3的第三鳍栅极面104g-3。在一方面，伴随它们的配置，第一鳍栅极面104g-1、第二鳍栅极面104g-2、第三鳍栅极面104g-3可以实现栅极应力源部件104与鳍102中的每一者的栅极区102g的机械啮合。在一方面，第一横向应力源部件106-1可被构造成实现其与鳍102中的每一者的第一远端区102r的类似机械啮合。第一横向应力源部件106-1。类似地，第二横向应力源部件108可被构造成实现其与鳍102中的每一者的第二远端区102s的机械啮合。现在将描述这些结构的非限制性示例。

在一方面，参考图1a和1c，栅极应力源部件104可包括具有全厚度t的各区域(可见但没有分开地标记)，且可包括例如与鳍102中的每一者相关联的至少一个部分切口——诸如与第一鳍102-1相关联的第一部分切口110-1。参考图1a和1c，栅极应力源部件104中的部分切口可具有第一部分切口110-1和第二部分切口110-2。第一鳍102-1可被布置在第一部分切口110-1和第二部分切口110-2之间，且第二部分切口110-2被布置在第一鳍102-1和第二鳍102-2之间。部分切口还可包括第三部分切口110-3和第四部分切口110-4。第三部分切口110-3可被布置在第二鳍102-2和第三鳍102-3之间，且第三鳍102-3可被布置在第三部分切口110-3和第四部分切口110-4之间。为简明起见，第一部分切口110-1、第二部分切口110-2、第三部分切口110-3以及第四部分切口110-4将被统称为“部分切口110”(在附图中没有作为分开的参考标号显式地可见)。

为避免不与基本概念相关的细节的不必要的复杂化，对部分切口110的各示例方面的描述将假定栅极应力源部件104、第一横向应力源部件106以及第二横向应力源部件108分别被构造成使得在没有形成部分切口110的情况下，每一者将在各自啮合的鳍102的相应区域处导致或引发相同量的压应力。在一方面，栅极应力源部件104中的部分切口的功能性可包括降低在没有部分切口110的情况下栅极应力源部件104将施加到鳍102的应力。

在一方面，第一部分切口110-1可被配置成形成与第一鳍102-1相邻且与第一鳍102-1间隔开距离s1的第一部分切割边缘。第二部分切口110-2可被配置成形成与第一鳍102-1相邻且与第一鳍102-1间隔开距离s2的第二部分切口第一边缘，以及形成与第二鳍102-2相邻且与第二鳍102-2间隔开距离s3的第二部分切口第二边缘第三部分切口110-3可被配置成形成与第二鳍102-2相邻且与第二鳍102-2间隔开距离s4的第三部分切口第一边缘。第三部分切口110-3还可被配置成形成与第三鳍102-3相邻且与第三鳍102-3间隔开距离s5的第三部分切口第二边缘。最后，对于这一示例，第四部分切口110-4可被配置成形成与第三鳍102-3相邻且与第三鳍102-1间隔开距离s6的第四部分切割边缘。

参考图1a，可以看到，每一鳍102在一侧上具有与该鳍相邻且与该鳍间隔开第一部分切割距离的鳍第一部分切口，并且在另一侧上具有与该鳍相邻且与该鳍间隔开第二部分切割距离的鳍第二部分切口。鳍第一部分切割距离和鳍第二部分切割距离可以相等。相应地，查看图1a，距离s1可被称为“第一鳍切割距离”s1；距离s2可被称为“第一鳍第二切割距离”s2；距离s3可被称为“第二鳍第一切割距离”s3；以及距离s4可被称为“第二鳍第二切割距离”s4。距离s5可被称为“第三鳍第一切割距离s5”；且距离s6可被称为“第三鳍第二切割距离s6”。为简明起见，第一鳍切割距离s1、第一鳍第二切割距离s2、第二鳍第一切割距离s3、第二鳍第二切割距离s4、第三鳍第一切割距离s5以及第三鳍第二切割距离s6将被统称为部分切口110的相应距离。在一方面，部分切口110的相应距离可全部相等(处理变化除外)。在另一方面，部分切口110的相应距离可以例如根据值或标称值集合。

图1d是从图1a的正投影切面2-2来看的图1a的pcg受应力鳍pmosfinfet器件的剖面正投影视图。

参考图1d，在一方面，第一横向应力源部件106可被配置成具有配置成在第一鳍第一远端区102r-1骑跨并啮合第一鳍102-1的第一鳍第一远端啮合面106r-1。第一横向应力源部件106还可被配置成形成配置成在第二鳍第一远端区102r-2骑跨并啮合第二鳍102-2的第二鳍第一远端啮合面106d-2，以及形成配置成在第三鳍第一远端区102r-3骑跨并啮合第三鳍102-3的第三鳍第一远端啮合面106r-3。

继续参考图1d，第一鳍第一远端啮合面106r-1可被构造成例如基本上与栅极应力源部件104的第一鳍栅极面104g-1相同。诸如被提供用于栅极面104g的工作功能层(在附图中没有显式地可见)之类的差异与本文公开的各方面不相关且因此省略进一步详细描述。以相同的方式，第二鳍第一远端啮合面106r-2可具有基本上复制第二鳍栅极面104g-2的结构，且第三鳍第一远端啮合面106r-3可基本上复制第三鳍栅极面104g-3。为简明起见，第一鳍第一远端啮合面106r-1、第二鳍第一远端啮合面106r-2、以及第三鳍第一远端啮合面106r-3将被统称为“诸第一远端啮合面106r”且一般地被称为“第一远端啮合面106r”(其中“106r”是没有在附图中分开地可见的参考标号)。

在一方面，第一横向应力源部件106可被配置成贯穿每一第一远端啮合面在鳍102中的每一者的第一远端区102r中促生第一远端横向应力。第一横向应力源部件106可被配置成其中第一远端横向应力可具有第一远端横向应力量级。

图1e是从图1a的正投影切面3-3来看的图1a的pcg受应力鳍pmosfinfet器件集合100的剖面正投影视图。在一方面，第二横向应力源部件108可以提供配置成在第一鳍第二远端区102s-1骑跨并啮合第一鳍102-1的第一鳍第二远端啮合面108s-1，并可以提供配置成在第二鳍第二远端区102s-2骑跨并啮合第二鳍102-2的第二鳍第二远端啮合面108s-2，以及配置成在第三鳍第二远端区102s-3骑跨并啮合第三鳍102-3的第三鳍第二远端啮合面108s-3。为简明起见，第一鳍第二远端啮合面108s-1、第二鳍第二远端啮合面108s-2以及第三鳍第二远端啮合面108s-3将被统称为“诸第二远端啮合面108s”(没有在附图中分开地可见的参考标号)且一般地被称为“第二远端啮合面108s”。

在一方面，第二横向应力源部件108可被配置成贯穿每一第二远端啮合面108s在鳍102中的每一者的第二远端区102s中促生第二远端横向应力。第二横向应力源部件108可被配置成其中第二远端横向应力可具有第二远端横向应力量级。

图1f是从与图1a相同的顶部投影来看的pcg受应力鳍pmosfinfet器件100的放大视图，其中栅极应力源部件104、第一横向应力源部件106以及第二横向应力源部件108以透明骨架形式呈现以便可见并且注释有某些应力和应变的图形表示。

参考图1f，在一方面，第一横向应力源部件106和第二横向应力源部件108可被配置成处于相似的纵向压应力(相对于它们的延伸方向)状态中。第一横向应力源部件106中的压应力由标记为“cd1”的箭头来表示，而在第二横向应力源部件108中由标记为“cd2”的箭头表示压应力cd1和cd2的相应量级可以但不必相等。

无需订阅任何理论，压应力cd1的效果可包括到第一鳍第一远端啮合面106r-1的应力推动或转移，具有至少朝向第一鳍第一远端区102r-1的各相对横向面的分量。这进而可导致或促生第一鳍第一远端区102r-1中的第一横向应力。第一鳍第一远端区102r-1中的第一横向应力可被称为“第一鳍第一横向应力”。参考图1f，标记为“tr1”的箭头是这样的应力的图形表示。第一压应力cd1可同样贯穿第二鳍第一远端啮合面106r-2和第三鳍第一远端啮合面106r-3导致或促生在第二鳍第一远端区102r-2中的第二鳍第一横向应力以及在第三鳍第一远端区102r-3中的第三鳍第一横向应力。标记为“tr2”和“tr3”的箭头是这样的应力的相应图形表示。

参考图1f，压应力cd2的效果可例如贯穿第二横向应力源部件108的第二远端啮合面108s包括或促生在第二远端区102s中的任一者中的第二横向应力。例如，压应力cd2的效果可包括引发第一鳍第二远端区102s-1中的第一鳍第二横向应力、第二鳍第二远端区102s-2中的第二鳍第二横向应力、以及第三鳍第二远端区102s-3中的第三鳍第二横向应力。标记为“ts1”、“ts2”和“ts3”的箭头是这样的应力的相应图形表示。”为简明起见，由标记为“tr1”、“tr2”、“tr3”、“ts1”、“ts2”和“ts3”的箭头表示的横向压应力将被统称为“远端区沟道横向应力tr/ts”(在附图中没有分开地可见的标记)。

参考图1f，在一方面，栅极应力源部件104可以例如贯穿栅极面104g在沟道区102c中的每一者中促生横向应力。横向应力可包括第一鳍沟道区横向应力tc1、第二鳍沟道区横向应力tc2、以及第三鳍沟道区横向应力tc3。第一鳍沟道区横向应力tc1具有第一鳍沟道区横向应力量级，第二鳍沟道区横向应力tc2具有第二鳍沟道区横向应力量级，且第三鳍沟道区横向应力tc3具有第三鳍沟道区横向应力量级。第一鳍沟道区横向应力tc1、第二鳍沟道区横向应力tc2、以及第三鳍沟道区横向应力tc3将被统称为“沟道区横向应力tc”(在附图中没有分开地可见的标记)。

参考图1a，pcg受应力鳍pmosfinfet器件100示出了部分切口110的一个示例布置和分布，这对于沟道区102c中的每一者将部分切口110的至少一个边缘与该沟道区的各相对横向侧(可见但未被分开地标记)相邻地布置。如上所述，距部分切口110的与沟道区相邻的各边缘的相应距离的示例是第一鳍切割距离s1、第一鳍第二切割距离s2、第二鳍第一切割距离s3、第二鳍第二切割距离s4、第三鳍第一切割距离s5以及第三鳍第二切割距离s6。这些可笼统地引用为部分切口110的相应距离。

在一一般方面，在构造为pcg受应力鳍pmosfinfet器件100的器件中，对于鳍102中的每一者，降低部分切口110的相应距离可对应地降低该鳍的沟道区102c中的横向压应力。类似地，增加部分切口110的相应距离可对应地增加该鳍的沟道区中的横向压应力——高达在省略部分切口110的情况下将得到的最大值。在一方面，pcg受应力鳍pmosfinfet器件100中的部分切口110的布置和分布包括根据相邻鳍102之间的间隔来设置部分切口110的宽度(一个示例标记为“w1”)。在一方面，增加和降低部分切口110的深度d1可造成沟道区压应力tc的对应降低和增加。但是，随着深度d1增加，栅极应力源部件104的电阻增加。

在一方面，在诸如示例pcg受应力鳍pmosfinfet器件100之类的结构中，在沟道区横向压应力tc低于远端区横向压应力tr/ts时，可在鳍102的沟道区102c中建立纵向压应变。

参考图1f，图1示例pcg受应力鳍pmosfinfet假定配置了部分切口110，例如部分切口110的深度d1和相应距离被设定，以使得沟道区横向压应力tc显著低于远端区横向压应力tr/ts，以在沟道区102c中建立纵向压应变。如普通技术人员在阅读本公开之际将理解的，在利用pcg受应力鳍pmosfinfet器件100的可操作pmosfinfet器件中，纵向压应变增加它们沟道(即，利用沟道区102c的结构)中的电子移动性。

关于满足应用需求所必需的纵向压应变的具体数值范围，普通技术人员在阅读本公开之际将理解，因应用而异的变量的量值和范围可在理论上致使这样的数值的估计是没有帮助的。但是，普通技术人员在面对特定应用的范围时可以在阅读本公开之际并采用常规技术(例如，这些人员已知的仿真工具)确定应用部分切口110的这样的数值范围和对应的参数，而无需过度的实验。

pcg受应力鳍pmosfinfet器件100被描述为具有三个鳍102。pcg受应力鳍pmosfinfet器件100的配置被设想为具有例如一个鳍。在单鳍配置(在附图中没有显式地可见)的一个示例中，栅极应力源部件可被配置成具有配置成骑跨并啮合该鳍的鳍沟道区的鳍栅极面，并被配置成促生横向应力，例如针对三鳍示例pcg受应力鳍pmosfinfet器件100所描述的。另外，在单鳍配置的一个示例中，栅极应力源部件被配置成具有部分切口。在单鳍配置的其他示例中，栅极应力源部件可被配置成具有部分切口。在一方面，该部分切口被配置成形成与鳍相邻且与该鳍间隔开部分切割距离的部分切割边缘。在另一方面，部分切口可被配置成形成与鳍相邻、且与该鳍间隔开部分切割距离的部分切割边缘。

继续以上单鳍示例，部分切口可以是第一部分切口，且切割距离可以是第一切割距离。栅极应力源部件可被进一步配置成具有第二部分切口，该第二部分切口可被配置成形成与该鳍相邻、且与该鳍间隔开第二切割距离的部分切割边缘。

上述pcg受应力鳍pmosfinfet器件100是pmos器件，并且相应地，根据其各方面的方法和机制可以提供沟道纵向压应变。

在另一方面，可提供pcg受应力nmosfinfet器件。各示例可包括由半导体形成的鳍，其被配置成在鳍方向上延伸并包括沟道区。各特征可包括栅极应力源部件，它可由金属构成并可横贯鳍方向延伸，并且具有配置成在沟道区中骑跨并啮合鳍的栅极面。栅极应力源部件可被配置成在鳍的栅极区中贯穿栅极面促生具有横向应力量级的横向应力。pcg受应力nmosfinfet器件还可包括至少两个横向应力源部件，它们中的每一者由金属形成。在一方面，配置成在沟道区外部的相应至少两个区域处骑跨并啮合鳍。在一方面，该至少两个横向应力源部件可被配置成在沟道区外部的相应区域处在鳍中促生附加横向应力。在一方面，该至少两个横向应力源部件中的每一者可被配置成包括相应部分切口。在一方面，相应部分切口可被配置成形成与鳍相邻且间隔开相应切割距离的相应边缘。在又一方面，附加横向应力可具有附加横向应力量级，这可至少部分地基于相应切割距离。在一方面，相应切割距离可被设置成使得对于每一鳍，横向应力量级和附加横向应力量级的组合可在沟道区中引发纵向拉伸应变。

根据各方面，该鳍可以来自可彼此平行且相邻的一组鳍，并且栅极应力源部件可另外配置有骑跨并啮合该组鳍中的每一鳍的鳍沟道区的鳍栅极面。栅极应力源部件可被另外配置成在该组鳍中的每一鳍中贯穿鳍栅极面促生横向应力。根据一方面，可存在至少两个横向应力源部件，每一横向应力源部件由金属制成且每一横向应力源部件被配置成在沟道区外部的相应至少两个区域处骑跨并啮合该鳍。在进一步方面，该至少两个横向应力源部件可被配置成具有相应多个横向应力源部分切口。在一方面，相应多个横向应力源部分切口可被配置成对于该组鳍中的每一鳍形成与该鳍相邻并间隔开相应距离的部分切割边缘。根据又一方面，该组鳍中的每一鳍中的附加横向应力可具有相应量级，并且该相应量级可至少部分地基于该相应距离。在一方面，对于该组鳍中的每一鳍，由至少两个横向应力源部件中的每一者促生的横向应力的相应量级与由栅极应力源部件促生的横向应力的组合在鳍沟道区中引发纵向拉伸应变。

图2a示出根据一个或多个方面的一个示例pcg受应力鳍nmosfinfet器件200的顶部投影视图。图2b示出从图2a的正投影切面4-4来看的图2a的pcg受应力鳍pmosfinfet器件的剖面正投影视图。

参考图2a，pcg受应力鳍nmosfinfet器件200可包括平行于鳍方向(在图2a-2b中可见但没有分开地标记)延伸的一组鳍，例如第一n鳍202-1、第二n鳍202-2以及第三n鳍202-3。第一n鳍202-1、第二n鳍202-2以及第三n鳍202-3将被统称为“n鳍202”(在图2a-2b中没有分开地出现的参考标号)。n鳍202中的每一者可以由可根据nmosfinfet技术掺杂的半导体材料形成。n鳍202中的每一者可包括沟道区(在图2a中可见但没有分开地标记)。将理解，名称“n鳍202”中的“n”指示用于避免各示例之间的混淆(例如，与上述“鳍102”的混淆)的命名，并且没有内在含义。还将理解，包括三个鳍的n鳍202只是一个示例数量，并且不旨在限制任何方面的范围。

pcg受应力鳍nmosfinfet器件200可包括栅极应力源部件，栅极应力源元件204。栅极应力源元件204可由金属形成，它可以是与pcg受应力鳍pmosfinfet器件100中的栅极应力源部件104相同的金属。栅极应力源元件204可被构造成诸如栅极应力源部件104，除略去部分切口110之外。换言之，栅极应力源元件204可被配置成在鳍的沟道区中骑跨n鳍202中的每一者并且具有两个功能性。功能性之一是充当具有至少一个鳍(例如，n鳍202之一)的器件的finfet操作中的栅极。另一功能性是在n鳍202中的每一者的沟道区中促生横向应力。

参考图2a，pcg受应力鳍nmosfinfet器件200可包括第一横向应力源元件206和第二横向应力源元件208。第一横向应力源元件206可被配置成具有多个部分切口，诸如第一横向应力源第一部分切口210-1、第一横向应力源第二部分切口210-2、第一横向应力源第三部分切口210-3以及第一横向应力源第四部分切口210-4。第二横向应力源元件208可包括另外多个部分切口，诸如第二横向应力源第一部分切口212-1、第二横向应力源第二部分切口212-2、第二横向应力源第三部分切口212-3以及第二横向应力源第四部分切口212-4。第一横向应力源第一部分切口210-1、第一横向应力源第二部分切口210-2、第一横向应力源第三部分切口210-3以及第一横向应力源第四部分切口210-4将被统称为“第一横向应力源部分切口210”(在图2a-2b中没有分开地可见的参考标号)。第二横向应力源第一部分切口212-1、第二横向应力源第二部分切口212-2、第二横向应力源第三部分切口212-3以及第二横向应力源第四部分切口212-4将被统称为“第二横向应力源部分切口212”(在图2a-2b中没有分开地可见的参考标记)。第一横向应力源部分切口210和第二横向应力源部分切口212可具有深度(诸如图2b中示出的代表性深度d2)和宽度(诸如代表性宽度w2)。

参考图2a，第一横向应力源元件206可被类似地构造并且包括与参考图1a-1f描述的第一横向应力源部件106相同的材料，但就第一横向应力源部分切口210作了修改。第二横向应力源元件208可被类似地构造且就第二横向应力源部分切口212作了类似修改。例如，第一横向应力源元件206可包括配置成骑跨并啮合n鳍202中的每一者的结构，例如在n鳍202顶部(相对于图2a图像)或第一远端区(可见但没有分开地标号)。第二横向应力源元件208可包括配置成骑跨并啮合n鳍202中的每一者的结构，例如在n鳍202底部(相对于图2a图像)或第二远端区(可见但没有分开地标号)。

在一方面，第一横向应力源部分切口210和第二横向应力源部分切口212可具有相应布置，该布置与栅极应力源元件204相组合可实现在n鳍102的沟道区中的纵向压应力，与参考图1f描述的鳍102的沟道区102c中的纵向压应力相反。

参考图2a，在一方面，第一横向应力源部分切口210可被配置成形成与n鳍202中的每一者相邻并间隔开相应距离的部分切割边缘。在一类似方面，第二横向应力源部分切口212可被配置成形成与n鳍202中的每一者相邻并间隔开相应距离的部分切割边缘。

在一方面，如在图2a中可见但没有分开地标记的，第一横向应力源第一部分切口210-1可被配置成形成与第一n鳍202-1相邻并与第一n鳍202-1间隔开第一鳍第一横向应力源第一切割距离r1的第一横向应力源部分切割边缘。以类似方式，第二横向应力源第一部分切口212-1可被配置成形成与第一n鳍202-1相邻并与第一n鳍202-1间隔开第一鳍第二横向应力源第一切割距离r2的第二横向应力源部分切割边缘。

将描述由第一横向应力源第二部分切口210-2以及由第二横向应力源第二部分切口212-2形成的部分切割边缘(在图2a中可见但没有分开地标记)。参考图2a，第一横向应力源第二部分切口210-2可被配置成形成与第一n鳍202-1相邻并与第一n鳍202-1间隔开第一鳍第一横向应力源第二切割距离r3的第一横向应力源第二部分切口第一边缘。以类似方式，第二横向应力源第二部分切口212-2可被配置成形成与第一n鳍202-1相邻并与第一n鳍202-1间隔开第一鳍第二横向应力源第二切割距离r4的第二横向应力源第二部分切口第一边缘，以及形成与第二n鳍202-2相邻并与第二n鳍202-2间隔开第一鳍第二横向应力源第一切割距离r6的第二横向应力源第二部分切口第二边缘。

参考图2a，第一横向应力源第三部分切口210-3可被配置成形成与第二n鳍202-2相邻并与第二n鳍202-2间隔开第二鳍第一横向应力源第二切割距离r7的第一横向应力源第三部分切口第一边缘，以及形成与第三n鳍202-3相邻并与第三n鳍202-3间隔开第三鳍第一横向应力源第一切割距离r9的第一横向应力源第三部分切口第二边缘。以类似方式，第二横向应力源第三部分切口212-3可被配置成形成与第二n鳍202-2相邻并与第二n鳍202-2间隔开第二鳍第二横向应力源第二切割距离r8的第二横向应力源第三部分切口第一边缘，以及形成与第三n鳍202-3相邻并与第三n鳍202-3间隔开第三鳍第二横向应力源第一切割距离r10的第二横向应力源第三部分切口第二边缘。

参考图2a，第一横向应力源第四部分切口210-4可被配置成形成与第三n鳍202-3相邻并与第三n鳍202-3间隔开第三鳍第一横向应力源第二切割距离r11的第一横向应力源第四部分切割边缘。最后，对于这一示例，第二横向应力源第四部分切口212-4可被配置成形成与第三n鳍202-3相邻并与第三n鳍202-3间隔开第三鳍第二横向应力源第二切割距离r12的第二横向应力源第四部分切割边缘。

为简明起见，第一鳍第一横向应力源第一切割距离r1、第一鳍第二横向应力源第一切割距离r2、第一鳍第一横向应力源第二切割距离r3、第一鳍第二横向应力源第二切割距离r4、第二鳍第一横向应力源第一切割距离r5、第二鳍第二横向应力源第一切割距离r6、第二鳍第一横向应力源第二切割距离r7、第二鳍第二横向应力源第二切割距离r8、第三鳍第一横向应力源第一切割距离r9、第三鳍第二横向应力源第一切割距离r10、第三鳍第一横向应力源第二切割距离r11、以及第三鳍第二横向应力源第二切割距离r12将被统称为“应力源部分切口的相应距离210/212”。在一方面，应力源部分切口210/212的相应距离可全部相等(处理变化除外)。在另一方面，应力源部分切口210/212的相应距离可以例如根据值或标称值集合。

参考图1f和2a，将理解，应力源部分切口210/212的相应距离可被设置成在n鳍沟道区(在图2a中未被标记，但在位置上对应于图1a-1f沟道区102c)内获得一定量级的横向应力，该横向应力的量级比n鳍第一远端区和第二远端区内的横向应力的量级大第二差。在一方面，增加第二差可以增加鳍沟道区中的纵向拉伸应变，而降低第二差可降低纵向拉伸应变。将理解，第二差可被调整，例如通过调整宽度d2和/或通过调整第一横向应力源部分切口210以及第二横向应力源部分切口212的相应定位(并且因此调整应力源部分切口210/212的相应距离)。

pcg受应力鳍nmosfinfet器件200被描述为具有三个鳍202。设想了具有例如一个鳍的配置。在一个示例单鳍配置中(在附图中没有显式地可见)，栅极应力源部件可被配置成具有可配置成骑跨并啮合该鳍的鳍沟道区的鳍栅极面，并被配置成促生横向应力，例如针对三鳍示例pcg受应力鳍nmosfinfet器件200所描述的。另外，在一个示例单鳍配置中，第一横向应力源元件可被配置成只具有一个部分切口(它可被称为“第一横向应力源部分切口”)，且第二横向应力源元件可被配置成只具有一个部分切口(它可被称为“第二横向应力源部分切口”)。第一横向应力源部分切口可被配置成形成与该鳍相邻并与该鳍间隔开第一横向应力源切割距离的第一横向应力源部分切割边缘。同样，第二横向应力源部分切口可被配置成形成与该鳍相邻并与该鳍间隔开第二横向应力源切割距离的第二横向应力源部分切割边缘。

在具有pcg受应力鳍nmosfinfet器件200的各方面的另一示例单鳍配置中，第一横向应力源元件部分切口可以是第一横向应力源元件第一部分切口，且第一横向应力源元件可被进一步配置成具有第一横向应力源元件第二部分切口。类似地，第二横向应力源元件部分切口可以是第二横向应力源元件第一部分切口，且第二横向应力源元件可被进一步配置成具有第二横向应力源元件第二部分切口。同样，在一个这样的示例中，第一横向应力源切割距离可以是第一横向应力源第一切割距离，且第一横向应力源元件第二部分切口可被配置成形成与该鳍相邻并与该鳍间隔开第一横向应力源第二切割距离的部分切割边缘。以类似方式，第二横向应力源切割距离可以是第二横向应力源第一切割距离，且第二横向应力源元件第二部分切口可被配置成形成与该鳍相邻并与该鳍间隔开第二横向应力源第二切割距离的部分切割边缘。

图3是根据一个或多个方面的一个示例pcg受应力鳍nmos/pmosfinfet器件300的顶部投影视图。pcg受应力鳍nmos/pmosfinfet器件300可以是具有根据pcg受应力鳍pmosfinfet器件100的结构和根据pcg受应力鳍nmosfinfet器件200的结构的一个示例组合。参考图3，pcg受应力鳍nmos/pmosfinfet器件300可包括一组pmosfinfet器件鳍302(此后称为“p-鳍302”)和一组nmosfinfet器件鳍304(此后称为“n-鳍304”)。在一方面，pcg受应力鳍nmos/pmosfinfet器件300可包括共享栅极应力源部件306、共享第一横向应力源部件308以及共享第二横向应力源部件310。共享栅极应力源部件306可以由金属形成。共享栅极应力源部件306可被配置成形成一组鳍栅极面(图3中没有显式地可见)，这可包括针对p-鳍302中的每一者的鳍栅极面(该鳍栅极面在p-鳍302中的每一者的相应沟道区(在图3中没有显式地可见)中骑跨p-鳍302中的每一者)以及针对n-鳍304中的每一者的鳍栅极面(该鳍栅极面在n-鳍304中的每一者的相应沟道区(在图3中没有显式地可见)中骑跨n-鳍304中的每一者)。共享第一横向应力源部件308和共享第二横向应力源部件310可各自由金属形成，在一方面，该金属是与共享栅极应力源部件306相同的金属。共享第二横向应力源部件310可被配置成骑跨并啮合p-鳍302中的每一者和n-鳍304中的每一者，例如在第一远端区处(在图3中可见但没有分开地标记)。共享第二横向应力源部件310同样可被配置成骑跨并啮合p-鳍302中的每一者和n-鳍304中的每一者，例如在第二远端区处(在图3中可见但没有分开地标记)。

继续参考图3，pcg受应力鳍nmos/pmosfinfet器件300，共享栅极应力源部件306可被形成有在p-鳍302上延伸的pmos配置区域(在图3中可见但没有分开地标记)和在n-鳍304上延伸的nmos配置区域(在图3中可见但没有分开地标记)。共享栅极应力源部件306的pmos配置区域可被配置成具有多个部分切口，一般地标记为“312”，它可被例如配置成参考图1a-1f描述的部分切口110。类似地，共享第一横向应力源部件308和共享第二横向应力源部件310可各自形成有在p-鳍302上延伸的pmos配置区域(在图3中可见但没有分开地标记)和在n-鳍304上延伸的nmos配置区域(在图3中可见但没有分开地标记)。共享第一横向应力源部件308的pmos配置区域和共享第二横向应力源部件310的pmos配置区域可包括相应多个部分切口，诸如一般标记为“314”和“316”的示例。一般标记为314的示例和一般标记为316的示例可被分别配置成例如参考图2a-2b描述的多个第一横向应力源部分切口210和多个第二横向应力源部分切口212。

参考图3，诸如pcg受应力鳍nmos/pmosfinfet器件300等器件提供的特征可包括一种制件，该制件可形成与共享栅极应力源部件306、共享第一横向应力源部件308以及共享第二横向应力源部件310相对应的一组公共过程中部件(图3中没有显式地可见)，这可例如以统一配置在nmos鳍集合和pmos鳍集合两者上延伸。在进一步特征中，制件可选择性地在不同区域中形成部分切口，例如通过调适常规掩模和蚀刻操作。掩模和蚀刻可被执行以提供部分切口，这些部分切口可获得nmos专用(拉伸)和pmos专用(压缩)沟道应变这两者以及另外可提供沟道应变的量级的因设备而异的调节。

图4a-10b按照快照序列示出在制造多个切割栅极受应力沟道finfet器件的示例集合的一个过程中根据各方面的示例性操作。示例性操作可包括调适某些常规finfet处理技术。为避免混淆，省去这些技术的详细描述，除了所描述的操作可能顺带提及一些细节之外。

图4a示出根据一个或多个方面的包括p沟道鳍402的一个示例集合和n沟道鳍404的一个示例相邻集合的一个过程中结构400的顶部投影视图。图4b是从图4a的正投影切面7-7来看的图4a的过程中结构400的剖面正投影视图。p沟道鳍402可以例如被构造成与pcg受应力鳍pmosfinfet器件100的鳍102相同。n沟道鳍404可以例如被构造成与pcg受应力鳍nmosfinfet器件200的鳍202相同。在一示例实现中，p沟道鳍402和n沟道鳍404可应用常规finfet设计和制造技术来设计并制造。例如，处理可包括常规鳍图案化和蚀刻、氧化物填充、化学机械平坦化(cmp)、以及形成凹陷406，并非必然因所描述的方面而异并且因此略去进一步详细描述。

图5a示出在形成平行过程中栅极502的一个示例集合之后包括图4a-4b过程中结构的一个后续过程中结构500的顶部投影视图。过程中栅极502可以是金属。图5b是从图5a的正切面8-8来看的图5a的后续过程中结构500的剖面正投影视图。

参照图5a-5b，将理解，只有中间的过程中“栅极”502-2将最终作为实际电气栅极。过程中栅极502-1和过程中栅极502-3将被处理以形成横向应力源，诸如与pcg受应力鳍pmosfinfet器件100和pcg受应力鳍nmosfinfet器件200相关联地描述的示例。在一方面，过程中栅极502可以通过调适常规finfet栅极制造技术来被制成。可被调适的常规技术可包括例如常规多晶硅(多晶si)沉积；栅极图案化和蚀刻；层间电介质(ild)沉积和平坦化；此后调适常规技术替换金属栅极工艺；多晶硅移除；高k氧化物沉积、金属栅极沉积以及cmp。参考图5b，常规技术高k氧化物沉积可以形成高k电介质506。该调适可以是直接的，即形成如上所述地平行延伸并分隔开的三个“栅极”，代替常规一个栅极。

图6a示出在形成用于pcg受应力沟道nmosfinfet的一个集合的一个示例切割图案的掩模602和用于pcg受应力沟道pmosfinfet的一个集合的一个示例切割图案的掩模604之后，包括图5a-5b过程中结构500的下一后续过程中结构600的顶部投影视图。图6b是从图6a的正投影切面9-9来看的图6a的下一后续过程中结构600的剖面正投影视图。掩模602例如可以是配置成形成上述pcg受应力鳍pmosfinfet器件100的部分切口110的阻抗开口。阻抗开口的一个示例被标记为“602-1”且在图6a和6b两者中可见。参照图6b，阻抗被示为606。掩模604例如可以被配置成形成上述pcg受应力鳍nmosfinfet器件200的部分切口210。

图7a示出通过包括使用掩模602和604的部分蚀刻、阻抗带、ild沉积和平坦化的操作来形成的一个最终(相对于该制件的所解说的部分)过程中结构700的顶部投影视图。图7b是从图7a的正投影切面10-10来看的图7a的最终过程中结构700的剖面正投影视图。参照图7b，部分蚀刻可以形成标记为702的完全可见的部分切口702和部分可见的部分切口(其未被标记)。深度d2相对于全部厚度t2例如可以如针对pcg受应力鳍pmosfinfet器件100中的对应结构的深度d1和厚度t所描述的那样。ild沉积可以形成ild层704并填充部分切口702。

图8a-10按照快照序列示出用于形成根据各方面的部分切口的一个另选过程的一部分中的示例操作。

参照图8a，这示出了具有跨p沟道鳍804和n沟道鳍806形成的多晶硅虚栅极802-1、802-2和802-3的过程中结构800的顶部投影视图。图8b是从图8a的切面11-11来看的图8a的过程中结构800的剖面正投影视图。参照图8a，示出了形成在横跨虚p沟道鳍804的多晶硅虚栅极802-2的区段(可见但未必分开地标记)中的部分栅极切口的示例分布和布置。这些部分切口中的相应一个被标记为“808”。参照图8b，部分切口808可具有与例如pcg受应力鳍pmosfinfet器件100的栅极应力源部件104中形成的部分切口110的深度d1相对应的深度(可见但未分开地标记)。参照图8a，示出了形成在横跨虚n沟道鳍806的多晶硅虚栅极802-1和802-3的相应平行区段(可见但未必分开地标记)中的部分栅极切割(在图8a中可见但在图8b在不可见)的示例分布和布置。这些部分切口中的相应一个被标记为“810”。

图9示出从图8a的切面来看的通过ild沉积和平坦化以填充图8a-8b部分切口808和810来形成的下一过程中结构900。参照图9，多晶硅虚栅极802-2的可见的部分由多晶硅形成。

图10示出从图8a的切面来看的通过移除图8a-9b多晶硅虚栅极并应用替换金属栅极工艺来形成的下一过程中结构。替换金属栅极工艺可例如包括常规finfet替换金属栅极工艺的调适。这样的操作的示例可包括移除多晶硅、沉积高k电介质、然后沉积金属栅极。

图11解说了可以如本文描述地被配置成利用参照图1a-10描述的pcg受应力鳍器件的个人通信和计算设备1100的一个示例。参照图11，个人通信和计算设备1100可包括系统总线1102以及耦合到系统总线1102的一个或多个cpu1104。cpu1104可包括例如一个或多个处理器或cpu1106以及一个或多个高速缓存存储器1108。cpu1106可由例如一个或多个可编程计算设备(诸如但不限于一个或多个arm型处理设备)(未在图11中单独可见)来实现。cpu1106可以能够作为主控设备来执行。cpu1106可以例如通过系统总线1102互耦合到各种主控和从动设备。根据常规通信协议，cpu1104可通过在系统总线1102上交换地址、控制、以及数据信息来与这些其他设备通信。尽管在图11中未解说，但是可以提供多个系统总线1102。在具有多个系统总线1102的示例中，每一系统总线1102可构成不同的织构。

参照图11，cpu1104可将总线事务请求传达至作为从动设备的一个示例的存储器系统1112的存储器控制器1110。

参照图11，其它主控和从动设备的示例可包括一个或多个输入设备1114、一个或多个输出设备1116、一个或多个网络接口设备1118以及一个或多个显示控制器1120。输入设备1114若被采用则可包括任何类型的输入设备，包括但不限于输入键、开关、语音处理器等。输出设备1116若被使用则可包括任何类型的输出设备，包括但不限于音频、视频、其他视觉指示器等。网络接口设备1118若被使用则可以是配置成允许往来于网络1122的数据交换的任何类型的网络接口设备。网络1122可以是任何类型的网络，包括但不限于：有线或无线网络、私有或公共网络、局域网(lan)、广域网(wlan)、以及因特网。(诸)网络接口设备1118可以被配置成支持所期望的任何类型的通信协议。

继续参照图11，cpu1104还可被配置成在系统总线1102上访问显示控制器1120以控制发送至一个或多个显示器1124的信息。显示控制器1120可以向显示器1124发送信息以便例如经由一个或多个视频处理器1126来显示。视频处理器1126可以例如将要显示的信息处理成适用于显示器1124的格式。显示器1124若被使用则可包括任何类型的显示器，例如有源或无源液晶显示器(lcd)、等离子显示器、和阴极射线管(crt)。

上文所公开的器件和功能性可被设计和配置在存储于计算机可读介质上的计算机文件(例如，rtl、gdsii、gerber等)中。一些或全部此类文件可被提供给基于此类文件来制造器件的制造处理者。结果得到的产品包括半导体晶片，其随后被切割成半导体管芯并被封装成半导体芯片。这些芯片随后被用在以上描述的设备中。

本领域技术人员将领会，信息和信号可使用各种不同技术和技艺中的任何一种来表示。例如，贯穿上面说明始终可能被述及的数据、指令、命令、信息、信号、比特、码元、以及码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子、或其任何组合来表示。

此外，本领域技术人员将领会，结合本文中所公开的方面描述的各种解说性逻辑块、模块、电路、和算法步骤可被实现为电子硬件、计算机软件、或两者的组合。为清楚地解说硬件与软件的这一可互换性，各种解说性组件、块、模块、电路、以及步骤在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整体系统的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性，但此类实现决策不应被解读为致使脱离本发明的范围。

结合本文所公开的各方面描述的方法、序列和/或算法可直接在硬件中、在由处理器执行的软件模块中、或在这两者的组合中体现。软件模块可驻留在ram存储器、闪存、rom存储器、eprom存储器、eeprom存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、cd-rom或者本领域中所知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读写信息。在替换方案中，存储介质可以被整合到处理器。

尽管前面的公开示出了本公开的解说性方面和示例实现，但是应当注意，在其中可作出各种变更和修改而不会脱离如所附权利要求定义的本发明的范围。根据方法权利要求的功能、步骤和/或动作不必以任何特定次序执行。此外，尽管本发明的要素可能是以单数来描述或主张权利的，但是复数也是已料想了的，除非显式地声明了限定于单数。