技术特征：
技术总结
在所描述的示例中，高压晶体管(HVT)结构(140)使低压晶体管(LVT)(110)适于高压环境。HVT结构(140)包括漏极节点(152)、源极节点(154)、控制栅极(156)和场电极(162、164)。漏极节点(152)和源极节点(154)限定导电沟道(163、165)，其中通过控制栅极(156)调节迁移的电荷。当与控制栅极(156)隔离时，场电极(162、164)被配置为响应于场电压，传播迁移的电荷。场电极(162、164)被构造和布线以防止与漏极节点(152)、源极节点(154)或控制栅极(156)中的任一个共享电荷。有利地，所隔离的场电极(162、164)使控制栅极(156)与漏极节点和源极节点(152、154)的电容最小化，使得HVT(140)可在高压环境中以较小的功率损耗和更健壮的性能进行切换。
技术研发人员：S·R·巴尔;M·D·西曼
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：2016.06.22
技术公布日：2018.04.17