本申请对2015年8月31日申请的日本特愿2015-170647号，主张优先权，并通过参照将其全部内容包括于本文件中。
本发明涉及光电转换元件。
背景技术：
近年来，尤其从地球环境问题的观点出发，将太阳光能直接转换为电能的太阳能电池作为下一代能源的期待急剧提高。其中，现在制造以及销售最多的太阳能电池是在太阳光入射一侧的面即受光面和受光面的相反侧即背面分别形成电极的结构的太阳能电池。
然而，在受光面形成了电极的情况下，由于有电极的太阳光的反射以及吸收，所以入射的太阳光的减少量相应于电极的面积的量。因此，正在推进只在背面形成了电极的背结型太阳能电池的开发(例如，参照专利文献1)。
图15中，示出在专利文献1中记载的以往的背结型太阳能电池的示意性的截面图。如图15所示的背结型太阳能电池具有如下的结构：在具有n型或p型的导电型的晶体半导体基板111的受光面上，依次层叠有i型非晶态半导体层117i、n型非晶态半导体层117n及绝缘层116。
在晶体半导体基板111的背面形成有in层叠体112，in层叠体112在晶体半导体基板111上具有依次层叠有i型非晶态半导体层112i及n型非晶态半导体层112n的结构。
此外，在晶体半导体基板111的背面形成有ip层叠体113，ip层叠体113在晶体半导体基板111上具有依次层叠有i型非晶态半导体层113i及p型非晶态半导体层113p的结构。
n侧电极114及p侧电极115分别按如下方式形成。即，首先，通过等离子体cvd法等cvd(chemicalvapordeposition，化学气相沉积)法、溅射法等薄膜形成法来在晶体半导体基板111的整个背面侧形成导电层(未图示)。接下来，通过光刻法等来分割导电层。其后，在导电层上形成镀膜。另外，n侧电极114及p侧电极115通过在晶体半导体基板111的背面的绝缘层118上设置的槽119来电性隔离。
如图15所示，在以往的背结型太阳能电池中，n层电极114及p侧电极115没有分别在晶体半导体基板111的背面的端缘部110a2形成，而仅在除了端缘部110a2以外的区域110a1形成。这是由于在n侧电极114及p侧电极115形成时，作为用于固定晶体半导体基板111的区域而需要未形成有电极的端缘部110a2。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-219065号公报
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题
然而，在本技术领域中，期望与以往的背结型太阳能电池相比提高光电转换效率。
解决问题的手段
在此公开的实施方式是如下的光电转换元件：该光电转换元件包括：n型的半导体基板；半导体基板的第一面侧及侧面上的p型非晶态半导体膜；半导体基板的第一面侧的n型非晶态半导体膜；p型非晶态半导体膜上的p电极；以及n型非晶态半导体膜上的n电极，p电极位于被配置在半导体基板的第一面侧及侧面上的p型非晶态半导体膜上。
发明效果
根据在此公开的实施方式，与以往的背结型太阳能电池相比能够提高光电转换效率。
附图说明
图1是实施方式1的异质结型背接触电池的背面的示意性的放大俯视图。
图2是图1所示的实施方式1的异质结型背接触电池的背面的外周端部附近的示意性的放大截面图。
图3是对是实施方式1的异质结型背接触电池的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的示意性的截面图。
图4是对是实施方式1的异质结型背接触电池的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的示意性的截面图。
图5是对是实施方式1的异质结型背接触电池的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的示意性的截面图。
图6是对是实施方式1的异质结型背接触电池的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的示意性的截面图。
图7是对是实施方式1的异质结型背接触电池的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的示意性的截面图。
图8是实施方式2的异质结型背接触电池的背面的外周端部附近的示意性的放大截面图。
图9是对是实施方式2的异质结型背接触电池的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的示意性的截面图。
图10是对是实施方式2的异质结型背接触电池的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的示意性的截面图。
图11是对是实施方式2的异质结型背接触电池的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的示意性的截面图。
图12是对是实施方式2的异质结型背接触电池的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的示意性的截面图。
图13是实施方式3的异质结型背接触电池的背面的外周端部附近的示意性的放大截面图。
图14是对是实施方式3的异质结型背接触电池的制造方法的一例的制造工序的一部分进行图解的示意性的截面图。
图15是以往的背结型太阳能电池的示意性的截面图。
具体实施方式
以下，对作为在此公开的实施方式的光电转换元件的一例的实施方式1～3的异质结型背接触电池进行说明。另外，在本实施方式的说明所使用的附图中，设为相同的参照标记表示相同部分或者相当部分。
[实施方式1]
＜异质结型背接触电池的结构＞
图1中，示出实施方式1的异质结型背接触电池的背面的示意性的放大俯视图。如图1所示，实施方式1的异质结型背接触电池在作为n型半导体基板1的第一面的一例的背面一侧具有p电极7和n电极8。
在图1所示的例中，n电极8是矩形的岛状，且两个n电极8以隔着间隔在同一方向上延伸的方式被配置。p电极7以与各个n电极8隔着间隔并围绕各个n电极8的方式被配置，构成一个电极。另外，在p电极7和n电极8之间的区域，p型非晶态半导体膜3和n型非晶态半导体膜5露出。
图2中，示出图1所示的实施方式1的异质结型背接触电池的背面的外周端部附近的示意性的放大截面图。在n型半导体基板1的背面1a的外周端部1d上，依次配置有第一i型非晶态半导体膜2、p型非晶态半导体膜3、p电极7。第一i型非晶态半导体膜2、p型非晶态半导体膜3及p电极7经过n型半导体基板1的背面1a的外周端部1d，延伸到n型半导体基板1的侧面1c的受光面1b侧的端部为止，并且位于n型半导体基板1的侧面1c上。
另外，本实施方式中，对在n型半导体基板1的背面1a的全部的外周端部1d上，依次配置有第一i型非晶态半导体膜2、p型非晶态半导体膜3及p电极7的结构进行说明，但并不限定于该结构。此外，在本实施方式中，n型半导体基板1的背面1a的外周端部1d是n型半导体基板1的背面1a与侧面1c的交线上的点。此外，在图2所示的例中，在n型半导体基板1的侧面1c，第一i型非晶态半导体膜2及p型非晶态半导体膜3以比p电极7长出长度l的方式延伸。
在n型半导体基板1的背面1a的外周端部1d侧(外侧)的相反侧的内侧的区域上，依次配置有第二i型非晶态半导体膜4、n型非晶态半导体膜5及n电极8。在此，第二i型非晶态半导体膜4和n型非晶态半导体膜5的层叠体的外侧的周缘覆盖第一i型非晶态半导体膜2和p型非晶态半导体膜3的层叠体的内侧的周缘。
在作为n型半导体基板1的第二面的受光面1b上，依次配置有第三i型非晶态半导体膜9和第二n型非晶态半导体膜10，其中，作为n型半导体基板1的第二面的受光面1b位于作为n型半导体基板1的第一面的背面1a的相反侧。
在图2所示例中，p型非晶态半导体膜3的一端3a与第三i型非晶态半导体膜9相接，p型非晶态半导体膜3的另一端3b与第二i型非晶态半导体膜4相接。此外，第二n型非晶态半导体膜10的一端10a没有与其他部件相接。
＜异质结型背接触电池的制造方法＞
以下，参照图3～图7的示意性截面图，对实施方式1的异质结型背接触电池的制造方法的一例进行说明。首先，如图3所示，以与n型半导体基板1的整个背面1a相接，并且经过n型半导体基板1的背面1a的背面1a的外周端部1d，延伸到侧面1c的受光面1b侧的端部为止的方式，来形成第一i型非晶态半导体膜2，接着，形成p型非晶态半导体膜3。第一i型非晶态半导体膜2及p型非晶态半导体膜3的形成方法没有特别限定，但能够使用例如等离子体cvd法。
作为n型半导体基板1，可适当地使用n型单晶硅基板，但并不限定于n型单晶硅基板，能够适当地使用例如以往公知的n型半导体基板。
作为第一i型非晶态半导体膜2，可适当地使用i型非晶态硅膜，但并不限定于i型非晶态硅膜，也能够使用例如以往公知的i型非晶态半导体膜。
另外，在本实施方式中，“i型”的意思是，不仅包括完全本征的状态，只要浓度足够低(n型杂质浓度不足1×1015个/cm3，并且p型杂质浓度不足1×1015个/cm3)，则还包括混入有n型或者p型的杂质的状态。
另外，在本实施方式中，设为在“非晶态硅”中，不仅包括硅原子的悬空键(悬挂键)没有以氢封端的非晶硅，还包括氢化非晶态硅等硅原子的悬空键以氢封端的非晶态硅。
作为p型非晶态半导体膜3，可适当地使用p型非晶态硅膜，但并不限定于p型非晶态硅膜，也能够使用例如以往公知的p型非晶态半导体膜。
作为p型非晶态半导体膜3中包含的p型杂质，例如可使用硼。此外，在本实施方式中，“p型”的意思是，p型杂质浓度为1×1015个/cm3以上的状态。
接下来，如图4所示，除去第一i型非晶态半导体膜2和p型非晶态半导体膜3的层叠体的一部分。在这里，除去n型半导体基板1的背面1a的内侧的第一i型非晶态半导体膜2和p型非晶态半导体膜3的层叠体的一部分。由此，例如如图4所示，露出n型半导体基板1的背面1a的内侧的区域的一部分。
接下来，如图5所示，以分别与n型半导体基板1的背面1a的露出面、以及第一i型非晶态半导体膜2和p型非晶态半导体膜3的层叠体相接的方式形成第二i型非晶态半导体膜4，接着，形成n型非晶态半导体膜5。第二i型非晶态半导体膜4及n型非晶态半导体膜5的形成方法没有特别限定，但能够使用例如等离子体cvd法。另外，第二i型非晶态半导体膜4以p型非晶态半导体膜3的另一端3b与第二i型非晶态半导体膜4相接的方式形成。
作为第二i型非晶态半导体膜4，可适当地使用i型非晶态硅膜，但并不限定于i型非晶态硅膜，也能够使用例如以往公知的i型非晶态半导体膜。
作为n型非晶态半导体膜5，可适当地使用n型非晶态硅膜，但并不限定于n型非晶态硅膜，也能够使用例如以往公知的n型非晶态半导体膜。
另外，作为构成n型非晶态半导体膜5的n型非晶态硅膜中包含的n型杂质，例如可使用磷。此外，在本实施方式中，“n型”的意思是，n型杂质浓度为1×1015个/cm3以上的状态。
接下来，如图6所示，除去第二i型非晶态半导体膜4和n型非晶态半导体膜5的层叠体的一部分。在这里，除去n型半导体基板1的背面1a的外侧的第二i型非晶态半导体膜4和n型非晶态半导体膜5的层叠体的一部分。由此，在图6所示的例中，以从n型半导体基板1的背面1a的外周端部1d延伸到侧面1c的受光面1b侧的端部的方式露出p型非晶态半导体膜3、第二i型非晶态半导体膜4和n型非晶态半导体膜5的层叠体在n型半导体基板1的背面1a的内侧以矩形的岛状形成。
接下来，如图7所示，以与n型半导体基板1的受光面1b、以及n型半导体基板1的侧面1c上的第一i型非晶态半导体膜2和p型非晶态半导体膜3的层叠体的端面相接的方式形成第三i型非晶态半导体膜9，接着，形成第二n型非晶态半导体膜10。第三i型非晶态半导体膜9及第二n型非晶态半导体膜10的形成方法没有特别限定，但能够使用例如等离子体cvd法。在图7所示的例中，第三i型非晶态半导体膜9以p型非晶态半导体膜3的一端3a与第三i型非晶态半导体膜9相接的方式形成。
其后，如图1所示，在p型非晶态半导体膜3上形成p电极7，并且在n型非晶态半导体膜5上形成n电极8，由此能够制造实施方式1的异质结型背接触电池。
在这里，在本实施方式中，p电极7以经过n型半导体基板1的背面1a的外周端部1d并延伸到侧面1c的方式形成，但被形成为以延伸到不长于p型非晶态半导体膜3的方式来与p型非晶态半导体膜3相接。n电极8以与矩形的岛状的n型非晶态半导体膜5相接的方式形成。此外，p电极7以与n电极8隔着间隔并围绕n电极8的方式形成。
在实施方式1的异质结型背接触电池中，与图15所示的以往的背结型太阳能电池不同，p型非晶态半导体膜3及与p型非晶态半导体膜3电连接的p电极7以分别经过n型半导体基板1的背面1a的外周端部1d并延伸到侧面1c上的方式形成。因而，实施方式1的异质结型背接触电池与图15所示的以往的背结型太阳能电池相比，能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。与图15所示的以往的背结型太阳能电池相比，从提高电流的收集量并提高光电转换效率的观点出发，p型非晶态半导体膜3及p电极7经过n型半导体基板1的背面1a的外周端部1d，并延伸到n型半导体基板1的至少一个侧面1c的至少一部分的区域即可。
此外，在实施方式1的异质结型背接触电池中，在n型半导体基板1的背面1a的外周端部1d配置的p电极7以与n电极8隔着间隔并围绕n电极8的方式配置，因此能够在n型半导体基板1的背面1a的内侧进行p电极7和n电极8之间的电性隔离。由此，不需要以高精度将n型半导体基板1的背面1a的外侧的电极进行图案化，能够抑制位于n型半导体基板1的背面1a的外侧的电极的图案化不良所导致的短路的发生，因此导致光电转换效率的提高。
进而，在实施方式1的异质结型背接触电池中，在包含n型半导体基板1的背面1a的外周端部1d的周缘区域上形成p电极7，由此能够使n型半导体基板1的背面1a上的电极的形成面积变大。因此，在通过在n型半导体基板1的背面1a上形成非晶态半导体膜来形成pn结的类型的光电转换元件中，载流子收集效率上升并能够有效率地提取电流，并且能够使电极的电阻也变低。由此，能够提高实施方式1的异质结型背接触电池的光电转换效率。
[实施方式2]
图8中，示出实施方式2的异质结型背接触电池的背面的外周端部附近的示意性的放大截面图。实施方式2的异质结型背接触电池的特征在于，外周端部附近的结构与实施方式1的异质结型背接触电池不同。
如图8所示，在实施方式2的异质结型背接触电池中，第三i型非晶态半导体膜9及第二n型非晶态半导体膜10以延伸到n型半导体基板1的侧面1c上的方式形成。此外，在n型半导体基板1的侧面1c上依次配置有第三i型非晶态半导体膜9、第二n型非晶态半导体膜10、第一i型非晶态半导体膜2及p型非晶态半导体膜3。进而，p型非晶态半导体膜3的一端3a没有与第三i型非晶态半导体膜9相接，第二n型非晶态半导体膜10的一端10a与第一i型非晶态半导体膜2相接。
以下，参照图9～图12的示意性截面图，对实施方式2的异质结型背接触电池的制造方法的一例进行说明。首先，如图9所示，以与n型半导体基板1的整个受光面1b相接，并且经过受光面1b的外周端部1e，并延伸到侧面1c的端部为止的方式，来形成第三i型非晶态半导体膜9，接着，形成第二n型非晶态半导体膜10。第三i型非晶态半导体膜9及第二n型非晶态半导体膜10的形成方法没有特别限定，但能够使用例如等离子体cvd法。另外，n型半导体基板1的受光面1b的外周端部1e是受光面1b与侧面1c的交线上的点。
接下来，如图10所示，以覆盖n型半导体基板1的背面1a以及侧面1c上的第三i型非晶态半导体膜9和第二n型非晶态半导体膜10的层叠体的方式，形成第一i型非晶态半导体膜2，接着，形成p型非晶态半导体膜3。在这里，p型非晶态半导体膜3以p型非晶态半导体膜3的一端3a不与第三i型非晶态半导体膜9相接的方式形成，第一i型非晶态半导体膜2以第二n型非晶态半导体膜10的一端10a与第一i型非晶态半导体膜2相接的方式形成。
接下来，如图11所示，除去n型半导体基板1的背面1a的内侧的第一i型非晶态半导体膜2和p型非晶态半导体膜3的层叠体的一部分。由此，例如如图11所示，n型半导体基板1的背面1a的内侧的区域的一部分露出。
接下来，如图12所示，以分别与n型半导体基板1的背面1a的露出面、以及第一i型非晶态半导体膜2和p型非晶态半导体膜3的层叠体相接的方式形成第二i型非晶态半导体膜4，接着，形成n型非晶态半导体膜5。
其后，如图8所示，在p型非晶态半导体膜3上形成p电极7，并且在n型非晶态半导体膜5上形成n电极8，由此能够制造实施方式2的异质结型背接触电池。
实施方式2中的上述以外的说明与实施方式1是同样的，因此对该说明不做重复。
[实施方式3]
图13中，示出实施方式3的异质结型背接触电池的外周端部附近的示意性的放大截面图。实施方式3的异质结型背接触电池的特征在于，外周端部附近的结构与实施方式1及实施方式2的异质结型背接触电池不同。
如图13所示，在实施方式3的异质结型背接触电池中，第三i型非晶态半导体膜9及第二n型非晶态半导体膜10以延伸到n型半导体基板1的侧面1c上的方式形成。此外，在n型半导体基板1的侧面1c上依次配置有第一i型非晶态半导体膜2、p型非晶态半导体膜3、第三i型非晶态半导体膜9及第二n型非晶态半导体膜10。进而，p型非晶态半导体膜3的一端3a与第三i型非晶态半导体膜9相接，第二n型非晶态半导体膜10的一端10a虽没有与第一i型非晶态半导体膜2相接，但与p电极7相接。
以下，参照图14的示意性截面图，对实施方式3的异质结型背接触电池的制造方法的一例进行说明。图3～图6为止的工序与实施方式1相同。其后，如图14所示，以覆盖n型半导体基板1的受光面1b以及侧面1c上的第一i型非晶态半导体膜2和p型非晶态半导体膜3的层叠体的方式，形成第三i型非晶态半导体膜9，接着，形成第二n型非晶态半导体膜10。在这里，p型非晶态半导体膜3以p型非晶态半导体膜3的一端3a与第三i型非晶态半导体膜9相接的方式形成，第一i型非晶态半导体膜2以第二n型非晶态半导体膜10的一端10a不与第一i型非晶态半导体膜2相接的方式形成。
其后，如图13所示，在p型非晶态半导体膜3上形成p电极7，并且在n型非晶态半导体膜5上形成n电极8，由此能够制造实施方式3的异质结型背接触电池。
实施方式3中的上述以外的说明与实施方式1是同样的，因此对该说明不做重复。
[附录]
(1)在此公开的实施方式是如下的光电转换元件：该光电转换元件包括：n型的半导体基板；半导体基板的第一面侧及侧面上的p型非晶态半导体膜；半导体基板的第一面侧的n型非晶态半导体膜；p型非晶态半导体膜上的p电极；以及n型非晶态半导体膜上的n电极，p电极位于被配置在半导体基板的第一面侧及侧面上的p型非晶态半导体膜上。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(2)在此公开的实施方式的光电转换元件中，在半导体基板的侧面上，p型非晶态半导体膜也可以以比p电极长的方式延伸。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(3)在此公开的实施方式的光电转换元件中，n电极也可以是岛状。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(4)在此公开的实施方式的光电转换元件中，n电极也可以是矩形状。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(5)在此公开的实施方式的光电转换元件中，p电极也可以与n电极隔着间隔，并围绕n电极。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(6)在此公开的实施方式的光电转换元件也可以在半导体基板与p型非晶态半导体膜之间，还具备第一i型非晶态半导体膜，在半导体基板与n型非晶态半导体膜之间，还具备第二i型非晶态半导体膜。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(7)在此公开的实施方式的光电转换元件也可以在半导体基板的第一面的相反侧的第二面侧，还具备第二n型非晶态半导体膜。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(8)在此公开的实施方式的光电转换元件也可以在半导体基板与第二n型非晶态半导体膜之间，还具备第三i型非晶态半导体膜。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(9)在此公开的实施方式的光电转换元件中，p型非晶态半导体膜的一端也可以与第三i型非晶态半导体膜相接。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(10)在此公开的实施方式的光电转换元件中，p型非晶态半导体膜的另一端也可以与第二i型非晶态半导体膜相接。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(11)在此公开的实施方式的光电转换元件中，第二n型非晶态半导体膜及第三i型非晶态半导体膜也可以位于半导体基板的侧面上。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(12)在此公开的实施方式的光电转换元件中，也可以在半导体基板的侧面上，依次配置有第三i型非晶态半导体膜、第二n型非晶态半导体膜、第一i型非晶态半导体膜及p型非晶态半导体膜。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(13)在此公开的实施方式的光电转换元件中，也可以p型非晶态半导体膜的一端不与第三i型非晶态半导体膜相接，第二n型非晶态半导体膜的一端与第一i型非晶态半导体膜相接。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(14)在此公开的实施方式的光电转换元件中，也可以在半导体基板的侧面上，依次配置有第一i型非晶态半导体膜、p型非晶态半导体膜、第三i型非晶态半导体膜及第二n型非晶态半导体膜。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(15)在此公开的实施方式的光电转换元件中，也可以p型非晶态半导体膜的一端与第三i型非晶态半导体膜相接，第二n型非晶态半导体膜的一端不与第一i型非晶态半导体膜相接。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(16)在此公开的实施方式是如下的光电转换元件的制造方法：该光电转换元件的制造方法包含：在n型的半导体基板的第一面侧形成p型非晶态半导体膜的工序；在半导体基板的第一面侧形成n型非晶态半导体膜的工序；在p型非晶态半导体膜上形成p电极的工序；以及在n型非晶态半导体膜上形成n电极的工序，p电极及p型非晶态半导体膜以延伸到半导体基板的侧面上为止的方式形成。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(17)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，在半导体基板的侧面上，p型非晶态半导体膜也可以以比p电极延伸得长的方式形成。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(18)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，n电极也可以以岛状形成。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(19)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，n电极也可以以矩形状形成。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(20)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，p电极也可以以与n电极隔着间隔，并围绕n电极的方式形成。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(21)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，也可以形成p型非晶态半导体膜的工序包含在半导体基板的第一面侧依次形成第一i型非晶态半导体膜及p型非晶态半导体膜的工序，形成n型非晶态半导体膜的工序包含在半导体基板的第一面侧依次形成第二i型非晶态半导体膜及n型非晶态半导体膜的工序。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(22)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法也可以还包含在半导体基板的第一面的相反侧的第二面侧形成第二n型非晶态半导体膜的工序。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(23)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，形成第二n型非晶态半导体膜的工序也可以包含在半导体基板与第二n型非晶态半导体膜之间形成第三i型非晶态半导体膜的工序。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(24)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，形成第三i型非晶态半导体膜的工序在形成p型非晶态半导体膜的工序后进行，第三i型非晶态半导体膜也可以以p型非晶态半导体膜的一端与第三i型非晶态半导体膜相接的方式形成。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(25)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，形成n型非晶态半导体膜的工序在形成p型非晶态半导体膜的工序后进行，第二i型非晶态半导体膜也可以以p型非晶态半导体膜的另一端与第二i型非晶态半导体膜相接的方式形成。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(26)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，第二n型非晶态半导体膜及第三i型非晶态半导体膜也可以以位于半导体基板的侧面上的方式形成。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(27)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，形成p型非晶态半导体膜的工序也可以在形成第三i型非晶态半导体膜的工序后进行，以在半导体基板的侧面上，依次配置有第三i型非晶态半导体膜、第二n型非晶态半导体膜、第一i型非晶态半导体膜及p型非晶态半导体膜的方式进行。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(28)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，也可以p型非晶态半导体膜以p型非晶态半导体膜的一端不与第三i型非晶态半导体膜相接的方式形成，第一i型非晶态半导体膜以第二n型非晶态半导体膜的一端与第一i型非晶态半导体膜相接的方式形成。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(29)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，形成p型非晶态半导体膜的工序也可以在形成第三i型非晶态半导体膜的工序前进行，以在半导体基板的侧面上，依次配置有第一i型非晶态半导体膜、p型非晶态半导体膜、第三i型非晶态半导体膜及第二n型非晶态半导体膜的方式进行。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
(30)在此公开的实施方式的光电转换元件的制造方法中，也可以p型非晶态半导体膜以p型非晶态半导体膜的一端不与第三i型非晶态半导体膜相接的方式形成，第一i型非晶态半导体膜以第二n型非晶态半导体膜的一端不与第一i型非晶态半导体膜相接的方式形成。这种情况下，与以往的背结型太阳能电池相比，也能够提高电流的收集量，因此与以往相比能够提高光电转换效率。
以上对实施方式进行了说明，但将上述的各实施方式的结构适当组合也从最开始预定。
应当认为本次公开的实施方式在所有方面都只是例示，而不是限制。本发明的范围不是由上述的说明表示，而是由权利要求书表示，与权利要求书等同的意思和范围内的所有变更都包含在本发明的范围内。
产业上的可利用性
在此公开的实施方式能够在光电转换元件及光电转换元件的制造方法中利用，并有可能在太阳能电池及太阳能电池的制造方法中适当地利用，尤其有可能在异质结型背接触电池及异质结型背接触电池的制造方法中适当地利用。
符号说明
1n型半导体基板；1a背面；1b受光面；1c侧面；1d外周端部；2第一i型非晶态半导体膜；3p型非晶态半导体膜；3a一端；3b另一端；4第二i型非晶态半导体膜；5n型非晶态半导体膜；7p电极；8n电极；9第三i型非晶态半导体膜；10第二n型非晶态半导体膜；110a1区域；110a2端缘部；111晶体半导体基板；112in层叠体；112ii型非晶态半导体层；112nn型非晶态半导体层；113ip层叠体；113ii型非晶态半导体层；113pp型非晶态半导体层；114n侧电极；115p侧电极；116绝缘层；117ii型非晶态半导体层；117nn型非晶态半导体层；118绝缘层；119槽。