技术特征：
技术总结
该自旋流磁化反转元件包括：磁化方向可变的第一铁磁性金属层；和在与所述第一铁磁性金属层的法线方向即第一方向交叉的第二方向上延伸，并与所述第一铁磁性金属层(1)的第一面接合的自旋轨道转矩配线，自旋轨道转矩配线由与第一铁磁性金属层接合的纯自旋流产生部，和与第二方向的纯自旋流产生部(2A)的两端连接，并由电阻率比纯自旋流产生部小的材料形成的低电阻部构成，纯自旋流产生部以与第一方向正交的截面的面积随着在第一方向上远离与第一铁磁性金属层接合的接合面而连续地和/或阶梯地变大的方式而形成。
技术研发人员：盐川阳平;佐佐木智生
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：2016.11.25
技术公布日：2018.07.17