本发明涉及布线结构和用于成膜该布线结构中的al合金薄膜的溅射靶，特别是涉及氯化物离子耐性优异的布线结构。另外，本发明还涉及具有所述布线结构的显示装置、输入装置及触控板。
背景技术：
在液晶显示器、有机el显示器、触控板等的显示装置和输入装置等的电极材料所用的布线膜中，所使用的布线结构利用了al薄膜和以al为母材的al合金薄膜，以利用其电阻率低、容易微细加工这样的特长。
例如在专利文献1中，公开有一种抗突起性优异的半导体装置用电极或布线材料，其特征在于，由含有从ta、ti、nd、gd、fe、co、ni所构成的群中选择的一种以上，并且含有1～6.5原子％ar的al基合金构成。
另外在专利文献2中，公开有一种布线膜，其特征在于，含有如下元素：第一元素，其是从0.28～23原子％的范围的y、sc、la、ce、nd、sm、gd、tb、dy、er、th、sr、ti、zr、hf、v、nb、ta、mn、re、co、ir、pt、cu、si和b中选择的至少一种；第二元素，其是从相对于该第一元素的量，而处于1.8原子ppm～3000原子ppm的范围的c、10原子ppm～1500原子ppm的范围的o、19原子ppm～3000原子ppm的范围的n、和50原子ppm～3.9原子％的范围的h中选择的至少一种，余量实质上由al构成。
在专利文献3中，公开有一种al合金膜，其特征在于，在基板上具有用于布线膜或反射膜的al合金膜，该al合金膜中，含有ta和/或ti：0.01～0.5原子％，和稀土类元素：0.05～2.0原子％。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本国专利第2917820号公报
【专利文献2】日本国专利第4130418号公报
【专利文献3】日本国专利第5032687号公报
al合金膜在氯化物离子作用下，腐蚀容易进行。但是在专利文献1和2中，是以得到抗突起性、电阻率和蚀刻性等优异的al合金膜为目的，而完全没有涉及耐腐蚀性，特别是氯化物离子耐性的研究。
另外，在专利文献3中，虽然公开的是关于盐水耐受性优异的al－ta－稀土类合金和al－ti－稀土类合金，但是主要设想的是，以ito、层间绝缘膜层叠的情况为前提的气孔、裂缝的发生。
技术实现要素：
因此，本发明的目的在于，提供一种作为全新布线材料的布线结构，其可抑制显示装置、输入装置在制造工序或使用环境中，因氯化物离子造成的金属布线的腐蚀。
本发明者们反复锐意研究的结果发现，通过使al－ta合金薄膜，和形成于该al－ta合金薄膜上的al－ta氧化膜的组成等特定，能够解决上述课题，从而完成了本发明。
即，本发明涉及以下的[1]～[8]。
[1]一种布线结构，是在al－ta合金薄膜的至少表面和侧面的任意一方的面形成有al－ta氧化膜的布线结构，其特征在于，
所述al－ta合金薄膜的ta添加量为0.3～3.0原子％，且cu含量为0.03原子％以下，
所述al－ta氧化膜的膜厚为3～10nm，并且，
所述al－ta氧化膜中的ta的原子％浓度比al－ta合金薄膜中的ta的原子％浓度低。
[2]根据前述[1]所述的布线结构，其特征在于，所述al－ta合金薄膜含有0.05～3.0原子％的稀土类元素。
[3]根据前述[1]或[2]所述的布线结构，其特征在于，在所述al－ta氧化膜的表面，具有羧基和氨基的至少一者的官能基的有机化合物存在单分子层以上。
[4]根据前述[3]所述的布线结构，其特征在于，所述有机化合物是氨基酸。
[5]根据前述[1]～[4]中任一项所述的布线结构，其特征在于，作为布线结构的衬底层，具有含有从mo、mo合金、ti、ti合金及in所构成的群中选择的至少一种的透明导电膜。
[6]一种显示装置或输入装置，其具有所述[1]～[5]中任一项所述的布线结构。
[7]一种触控板，其具有所述[1]～[5]中任一项所述的布线结构。
[8]一种溅射靶，其用于成膜所述[1]～[5]中任一项所述的布线结构中的al－ta合金薄膜。
根据本发明，能够实现可抑制因氯化物离子造成的al合金薄膜的腐蚀的，具有高氯化物离子耐性的布线结构。
具体实施方式
＜布线结构＞
本发明的布线结构，其特征在于，在al－ta合金薄膜的至少表面和侧面的任意一者的面上形成有al－ta氧化膜，所述al－ta合金薄膜的ta添加量为0.3～3.0原子％，且cu含量为0.03原子％以下，所述al－ta氧化膜的膜厚为3～10nm，并且，所述al－ta氧化膜中的ta的原子％浓度比al－ta合金薄膜中的ta的原子％浓度低。
ta有助于al的表面氧化被膜的稳定化，能够提高al－ta合金薄膜，即布线结构的氯化物离子耐性。因此，使al－ta合金薄膜的ta添加量为0.3原子％以上。ta添加量优选为0.5原子％以上，更优选为0.8原子％以上。
另外，该al－ta合金薄膜一般是通过溅射成膜，但从用于该溅射的溅射靶的制造性的观点出发，优选为3.0原子％以下，更优选为2.0原子％以下。
在al－ta合金薄膜中，还在0.03原子％以下的范围内包含cu。可知cu作为提高al的抗电迁移性的元素发挥功能，但另一方面，会使氯化物离子耐性降低。由于cu含量为ta添加量的1/100(原子％)以下时对氯化物离子耐性没有影响，所以al－ta合金薄膜中的cu含量为0.03原子％以下，更优选为0.01原子％以下。另一方面，cu含量的下限优选为0.001原子％以上。
al－ta氧化膜至少形成于al－ta合金薄膜的表面和侧面的任意一者的面上。由于本发明的布线结构设想的是用于显示装置、输入装置，所以优选在al－ta合金薄膜的一侧的表面，或者在一侧的表面和露出的侧面的至少一部分区域上形成al－ta氧化膜。
从稳定性的方面出发，al－ta氧化膜的膜厚优选为3nm以上。另一方面，为了得到良好的加工性而优选为10nm以下。
al－ta氧化膜以al的氧化物为中心形成，但通过使al－ta氧化膜中的ta原子％浓度低于al－ta合金薄膜，则ta在al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜的界面稠化。由此，能够抑制cu从al－ta合金薄膜向al－ta氧化膜的扩散，能够得到氯化物离子耐性更高的布线结构。
具体来说，优选al－ta氧化膜中的ta的原子％浓度，比al－ta合金薄膜中的ta的原子％浓度低30％以上，更优选低50％以上。即，例如al－ta合金薄膜中的ta的原子％浓度为1原子％时，优选al－ta氧化膜中的ta的原子％浓度为0.7原子％以下，更优选为0.5原子％以下。
al－ta合金薄膜通过进一步添加稀土类元素，能够得到更高的氯化物离子耐性，因此优选。这被推测是由于，稀土类元素能够使al－ta氧化膜更加稳定化。
稀土类元素的含量优选为0.05原子％以上，更优选为0.1原子％以上。另外，从溅射靶的制造性的方面出发，上限优选为3.0原子％以下，更优选为2.0原子％以下。
作为稀土类元素，优选sc、y、镧系元素，其中更优选nd、la、gd。稀土类元素可以单独使用，也可以两种以上并用。
本发明的al－ta合金薄膜，只要不损害本发明的效果，也可以含有上述成分以外的其他元素，余量是al和不可避免的杂质。
作为不可避免的杂质，可例示fe、si、b等。优选不可避免的杂质的含量合计为0.1原子％以下。
al－ta合金薄膜的组成能够由icp发光分光法鉴别。
al－ta氧化膜，优选在表面具有羧基和氨基的至少任意一者的官能基的有机化合物存在单分子层以上。
若存在具有氨基的有机化合物，则在酸性和中性区域，氨基离子化为nh3+而与氯化物离子结合，由此能够进一步提高氯化物离子耐性。
另外，若存在具有羧基的有机化合物，则在中性和碱性区域，羧基离子化成coo－而维持al－ta合金薄膜表面邻域的电中性，因此该表面邻域的氯化物离子浓度降低，能够进一步提高氯化物离子耐性。
这些有机化合物只要是单分子层(一个分子层)即可，也可以是双分子以上的层。
作为表面具有氨基的有机化合物，例如可列举正丙胺、1,3－丙二胺、1－丙醇胺等。作为表面具有羧基的有机化合物，例如可列举丙酸、富马酸、酒石酸等。
另外，也可以是表面具有氨基和羧基两方的有机化合物，例如，可列举氨基酸等。
有机化合物更优选氨基酸程度的分子尺寸比较小的一方。另外，也可以是两个以上的有机化合物彼此结合后的形态。
有机化合物中，从共有氨基和羧基，且其分子尺寸小的角度出发，更优选氨基酸。氨基酸在分子内拥有氨基和羧基，从而对于溶液的ph值变化具有缓冲作用。
即，在氯化物离子与al的反应中，可知氢离子的发生会导致膜表面邻域变成酸性，但氨基酸存在时，在中性环境下离子化成coo－的羧基与氢离子结合，从而能够缓和膜表面邻域的ph值变化。
本发明中的al－ta氧化膜，只要不损害本发明的效果，则也可以包含上述成分以外的其他元素，余量是al和不可避免的杂质。
作为不可避免的杂质，可例示fe、si、b等。不可避免的杂质的含量优选合计为0.1原子％以下。
al－ta氧化膜的组成能够通过icp发光分光法鉴别。
在由al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜构成的布线结构中，al－ta合金薄膜形成于布线结构的衬底层上，这使al－ta氧化膜更致密化、稳定化，氯化物离子耐性进一步提高，因此优选。
衬底层优选是含有从mo、mo合金、ti、ti合金和in所构成的群中选择的至少一种的透明导电膜，优选至少具有一层该透明导电膜。
另外，衬底层可以存在于al－ta合金薄膜与基板之间，al－ta合金薄膜也可以存在于衬底层与基板之间，其顺序任意，但更优选在基板上形成衬底层，在其上形成al－ta合金薄膜。
＜制造方法＞
在本发明的布线结构中，al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜，优选以溅射法使用溅射靶形成。此外，也可以由蒸镀法等形成。
由溅射靶形成al－ta合金薄膜时，优选使用与al－ta合金薄膜为相同组成的溅射靶，即，ta添加量为0.3～3.0原子％，且cu含量为0.03原子％以下，ta原子％浓度比al－ta氧化膜中的ta的原子％浓度高。
由溅射靶形成al－ta氧化膜时，优选使用的溅射靶其ta原子％浓度比al－ta合金薄膜中的ta的原子％浓度低。
这些溅射靶的形状，包括根据溅射装置的形状和构造而加工成任意形状的(矩形平板状，圆形平板状，环形平板状，圆筒形等)。
溅射靶的获得方法可列举如下等：由熔铸法、粉末烧结法和喷射成形法，制造由al－ta合金构成的铸锭而得到的方法；制造由al－ta合金构成的预成型坯(得到最终的致密体之前的中间体)后，通过致密化手段使该预成型坯致密而得到的方法。
al－ta合金薄膜的最佳的膜厚能够根据用途和规格选择。例如，显示器的布线用途的情况下，优选al－ta合金薄膜的膜厚为100nm以上，更优选为150nm以上。另外，优选为2μm以下，更优选为1μm以下。
al－ta合金薄膜的膜厚在溅射法中，能够通过变更溅射的电流值和时间、压力、靶及基板间的距离等而进行调整。
al－ta氧化膜的膜厚在溅射法中，能够通过变更溅射的电流值和时间、压力、靶以及基板间的距离等进行调整。另外，也能够通过变更用于溅射的氩气和氧气的比率进行调整。al－ta氧化膜也可以在al－ta合金薄膜的制膜后，进行uv清洗和氧等离子体等的处理而形成。
所得到的al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜的膜厚，能够通过截面sem、sims深度分析、截面tem观察等进行测量。
另外，调制期望的有机化合物的盐的水溶液，在该水溶液中浸渍含al－ta氧化膜的布线结构，由此能够在al－ta氧化膜的表面形成该有机化合物的层。
作为有机化合物的盐，例如可列举钠盐、钙盐等，其中，从对水的溶解度和ph值的方面考虑，优选使用钠盐。另外，浸渍条件根据水溶液中的盐浓度等而有所不同，但例如在1％水溶液的情况下，优选浸渍10分钟～24小时。
浸渍后，适宜进行清洗和干燥。
布线结构的衬底层，能够由溅射法和蒸镀法形成。由溅射法形成时，能够使用与希望衬底层有相同组成的溅射靶通过溅射形成。例如，使用含有从mo、mo合金、ti、ti合金和in所构成的群中选择的至少一种的溅射靶，成膜含有从mo、mo合金、ti、ti合金和in所构成的群中选择的至少一种的透明导电膜作为衬底层。
形成两层以上的衬底层时，使用各层的组成的溅射靶，通过多次溅射形成。
另外，通过溅射成膜衬底层后，也可以进行用于结晶化的热处理。作为衬底层，例如形成ito(indiumtinoxide)膜时，优选在氮气氛中以150～250℃进行10分钟以上的热处理。
上述得到的本发明的布线结构，能够适用于显示装置或输入装置。其中，能够更适用于触控板。
作为具有本发明的布线结构的显示装置或输入装置，可列举具有具备该布线结构的薄膜晶体管(tft)、反射膜、有机el用阳极电极，触控板传感器等的显示装置或输入装置等。
在这些装置中，本发明的布线结构部分以外的其他的构成要件，在不损害本发明的效果的范围，也能够适宜选择在该技术领域通常使用的构成要件。例如作为用于tft基板的半导体层，可列举多晶硅和非晶硅。用于tft基板的基板也未特别限定，可更列举玻璃基板和硅基板等。
另外，还能够适用于具备反射阳极电极的有机el显示装置、具备薄膜晶体管的显示装置、具备反射膜的显示装置、在ito膜之上具备al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜的触控板等各种装置。
＜耐腐蚀性评价＞
本发明的布线结构的耐腐蚀性，能够通过盐水滴加试验进行评价。
具体来说，将1％氯化钠水溶液用滴管滴加到试样上，在室温环境下放置168小时并进行评价。经过168小时后对试样进行水洗，之后用光学显微镜进行观察。腐蚀面积越小越优选，但具体来说，优选为8％以下，更优选为5％以下，进一步优选为2％以下(1％盐水滴加试验)。
另外，用含有氨基酸钠盐的氯化钠水溶液进行耐腐蚀性试验也有效。这种情况下，与上述1％盐水滴加试验相比，能够进行模拟来自人体的盐分附着时的耐腐蚀性的评价。具体来说，除了使用添加有1％氨基酸钠盐的1％的氯化钠水溶液以外，均以1％盐水滴加试验同样的方式测量腐蚀面积。腐蚀面积越小越优选，优选为8％以下，更优选为5％以下，进一步优选为2％以下。
【实施例】
以下列举实施例更具体地说明本发明，但本发明不受这些实施例限定，在能够符合本发明的宗旨的范围可以加以变更实施，这些均包含在本发明的技术范围内。
[实施例1－1]
在无碱玻璃基板(直径4英寸、板厚0.7mm)上，通过dc磁控管溅射法，成膜al－ta合金薄膜。该al－ta合金薄膜的ta添加量为0.3原子％，cu含量为0.01原子％，余量是al和不可避免的杂质。
在成膜时，成膜前先使室内的气氛调整为到达真空度：3×10－6torr之后，使用具有与al－ta合金薄膜为相同的成分组成的直径4英寸的圆盘型溅射靶，按下述条件进行溅射。
(溅射条件)
ar气压：2mtorr
ar气流量：30sccm
溅射功率：500w
基板温度：室温
成膜温度：室温
膜厚：300nm
还有，所得到的al－ta合金薄膜的成分的鉴定通过icp发光分析法进行。
接着，通过对于al－ta合金薄膜表面进行uv清洗，在al－ta合金薄膜的表面上进行al－ta氧化膜的成膜。所得到的al－ta氧化膜中的ta原子浓度为0.1原子％，膜厚为3nm。
还有，得到的al－ta氧化膜的膜厚以布线截面的tem观察确认。
对于由所得到的al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜构成的布线结构，由光刻和湿法蚀刻进行图案化，制作布线宽10μm，布线间隔10μm的条纹状的布线图。
[实施例1－2～1－15和比较例1－1～1－4]
将al－ta合金薄膜的组成或al－ta氧化膜的组成和膜厚变更成表1所记述的，除此以外均与实施例1－1同样地得到布线结构，再制作布线图。
还有，在比较例1－4中，使al－ta氧化膜的膜厚为0nm，但将形成于al－ta合金薄膜的表面的自然氧化被膜在碱溶液(氢氧化四甲铵：tmah2.38％)中室温下浸渍30秒，由此将其除去。
还有，表中的“al合金种类”的数值表示各元素的原子％浓度。
对于上述得到的图案化后的布线结构，进行耐腐蚀性评价(1％盐水滴加试验)。
试验中用滴管滴加1％的氯化钠水溶液，在室温环境下放置168小时并进行评价。经过168小时后水洗试样后，以光学显微镜观察，测量腐蚀面积。在比较例1－4中，浸渍于碱溶液之后紧接着进行1％氯化钠水溶液的滴加试验。这时的al－ta氧化膜的膜厚不用通过tem观察进行测量，由于浸渍到碱溶液中除去自然氧化皮膜之后实施该滴加试验，所以判断为没有al－ta氧化膜(氧化膜厚0nm)。
评价结果显示在表1中。表1中，腐蚀面积在2％以下的为◎，高于2％并在5％以下为〇，高于5％并在8％以下为△，高于8％为×。另外，表中所谓“at％”与“原子％”同义。
[表1]
其结果发现，实施例1－1～实施例1－15，腐蚀面积率在8％以下，能够得到良好的耐腐蚀性。比较例1－1由于布线膜中没有al－ta合金薄膜，是纯al的薄膜，耐腐蚀性低，所以发生腐蚀。比较例1－2含有ta，但其含量少至0.2原子％，因此得不到预期的耐腐蚀性。比较例1－3因为cu含量多，所以得不到预期的耐腐蚀性。比较例1－4因为表面的al－ta氧化膜薄(不存在)，所以得不到预期的耐腐蚀性。
[实施例2－1]
与实施例1－1同样，成膜ta添加量0.3原子％、cu含量0.01原子％、余量是al和不可避免的杂质的al－ta合金薄膜(膜厚300nm)。
接着，与实施例1－1同样，在al－ta合金薄膜的表面上进行al－ta氧化膜的成膜。所得到的al－ta氧化膜中的ta原子浓度为0.1原子％，膜厚为3nm。
对于所得到的al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜所构成的布线结构，由光刻和湿法蚀刻进行图案化，制作布线宽10μm，布线间隔10μm的条纹状的布线图。
还有，与实施例1－1同样地进行al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜的鉴别和膜厚的测量。
接着，作为含有羧基和氨基的有机化合物的氨基酸的钠盐，调制l－甘氨酸钠的1％水溶液。还有，从水中的溶解度和ph值的观点出发，选择钠盐。在该水溶液中浸渍上述得到的试样1小时。浸渍后水洗1分钟，使之干燥。由此，成为在al－ta氧化膜的表面存在作为氨基酸的l－甘氨酸的布线结构。还有，氨基酸的厚度通过扫描型隧道显微镜确认有单分子层以上。
对于上述得到的布线结构，进行与实施例1－1同样的耐腐蚀性评价(1％盐水滴加试验)。
[实施例2－2～2－4]
作为含有羧基和氨基的有机化合物的氨基酸的钠盐，使用l－色氨酸钠的1％水溶液(实施例2－2)，l－天门冬氨酸钠的1％水溶液(实施例2－3)，或作为含有羧基的有机化合物使用酒石酸钠的1％水溶液(实施例2－4)，除此以外，均以与实施例2－1同样的方式得到各种布线结构，同样进行耐腐蚀性评价(1％盐水滴加试验)。
评价结果显示在表2中。表2中，腐蚀面积在2％以下的为◎，高于2％并在5％以下为〇，高于5％并在8％以下为△，高于8％为×。另外，表中所谓“at％”与“原子％”同义。
[表2]
其结果发现，实施例2－1～实施例2－4，腐蚀面积率均在2％以下，能够得到非常良好的耐腐蚀性。
[实施例3－1]
与实施例1－1同样，成膜ta添加量为0.3原子％、cu含量为0.01原子％、余量是al和不可避免的杂质的al－ta合金薄膜(膜厚300nm)。
接着，与实施例1－1同样，在al－ta合金薄膜的表面上进行al－ta氧化膜的成膜。得到的al－ta氧化膜中的ta原子浓度为0.1原子％，膜厚为3nm。
对于得到的al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜所构成的布线结构，通过光刻和湿法蚀刻进行图案化，制作布线宽10μm，布线间隔10μm的条纹状的布线图。
还有，al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜的鉴别和膜厚的测量与实施例1－1同样地进行。
接着，作为耐腐蚀性评价，进行盐水滴加试验。作为盐水，用滴管滴加1％的氯化钠水溶液中添加有l－甘氨酸钠1％的盐水，在室温环境下放置168小时进行评价。经过168小时后水洗试样，之后用光学显微镜观察，测量腐蚀面积。
[实施例3－2和3－3]
作为耐腐蚀性评价，将1％的氯化钠水溶液添加有l－甘氨酸钠1％的滴加试验溶液，替换成在1％的氯化钠水溶液中添加有l－色氨酸钠1％的滴加试验溶液(实施例3－2)，或在1％的氯化钠水溶液添加有l－天门冬氨酸钠1％的滴加试验溶液(实施例3－3)加以使用，除此以外均与实施例3－1同样而得到各种布线结构，进行耐腐蚀性评价。
评价结果显示在表3中。表3中，腐蚀面积在2％以下的为◎，高于2％并在5％以下为〇，高于5％并在8％以下为△，高于8％为×。另外，表中所谓“at％”与“原子％”同义。
[表3]
其结果发现，实施例3－1～实施例3－3，腐蚀面积率均在2％以下，能够得到非常良好的耐腐蚀性。
[实施例4－1]
在无碱玻璃基板(直径4英寸、板厚0.7mm)上，通过dc磁控管溅射法作为衬底层成膜纯mo膜30nm。成膜时，在成膜前先使室内的气氛调整为到达真空度：3×10－6torr之后，再使用直径4英寸的圆盘型纯mo溅射靶，以下述条件进行溅射。
(溅射条件)
ar气压：2mtorr
ar气流量：30sccm
溅射功率：500w
基板温度：室温
成膜温度：室温
膜厚：30nm
除了在其上成膜al－ta合金薄膜以外，均与实施例1－1同样，得到由al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜构成的布线结构，再通过光刻和湿法蚀刻进行图案化。
还有，al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜的鉴别和膜厚的测量与实施例1－1同样地进行。
对于得到的布线结构，与实施例1－1同样地进行耐腐蚀性评价(1％盐水滴加试验)。
[实施例4－2和4－3]
在无碱玻璃基板(直径4英寸、板厚0.7mm)上，通过dc磁控管溅射法作为衬底层而成膜纯mo膜30nm，在其上成膜al－ta合金薄膜，除此以外均与实施例1－2(实施例4－2)或实施例1－3(实施例4－3)同样，得到由al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜构成的布线结构，此外，再通过光刻和湿法蚀刻进行图案化。
还有，al－ta合金薄膜和al－ta氧化膜的鉴别和膜厚的测量与实施例1－1同样地进行。
对于所得到的布线结构，与实施例1－1同样进行耐腐蚀性评价(1％盐水滴加试验)。
[实施例4－4～4－6]
通过dc磁控管溅射法，分别成膜衬底层，使之为膜厚30nm的纯ti膜(实施例4－4)、膜厚30nm的mo－10原子％nb合金膜(实施例4－5)或膜厚30nm的ito膜(实施例4－6)，除此以外，均与实施例4－2同样分别得到布线结构，进行耐腐蚀性评价。
评价结果显示在表4中。表4中，腐蚀面积在2％以下的为◎，高于2％并在5％以下为〇，高于5％并在8％以下为△，高于8％为×。另外，表中所谓“at％”与“原子％”同义。
[表4]
其结果发现，实施例4－1～实施例4－6，腐蚀面积率均在5％以下，能够得到非常良好的耐腐蚀性。
详细并参照特定的实施方式说明了本发明，但不脱离本发明的精神和范围能够加以各种变更和修改，这对本领域技术人员来说很清楚。本申请基于2016年1月25日申请的日本专利申请(专利申请2016－011521)，其内容在此作为参照编入。