1.一种分布反馈激光器，其特征在于，所述分布反馈激光器为增益耦合分布反馈激光器，其至少包括：
衬底、周期性半导体器件、有源层、光波导槽；
所述增益耦合分布反馈激光器的激射波长满足公式：
Neff*Λ＝N*λ/2
其中，λ为激光器的工作波长，Λ为布拉格光栅周期，Neff为光波导有效折射率，N为激射的波长阶数，其中，N为大于2的正整数。
2.根据权利要求1所述的分布反馈激光器，其特征在于，所述周期性半导体器件沿所述光波导槽的延伸方向周期性排列。
3.根据权利要求2所述的分布反馈激光器，其特征在于，所述周期性半导体器件为三极管。
4.根据权利要求3所述的分布反馈激光器，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底表面的栅极；
位于所述栅极背离所述衬底表面的透明绝缘层，所述透明绝缘层上背离所述栅极的一侧开设有光波导槽；
位于所述透明绝缘层背离所述栅极的表面，且位于所述光波导槽两侧沿所述光波导槽延伸方向的周期性排布的源极和漏极；
位于所述源极、所述漏极背离所述透明绝缘层的表面，且填充所述光波导槽的有源层；
覆盖所述有源层的上包层。
5.根据权利要求3所述的分布反馈激光器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底的一个表面上开设有光波导槽；
位于所述衬底开设有所述光波导槽的表面，且位于所述光波导槽两侧沿所述光波导槽延伸方向的周期性排布的源极和漏极；
位于所述源极、所述漏极背离所述衬底的表面，且填充所述光波导槽的有源层；
覆盖所述有源层的透明绝缘层；
覆盖所述透明绝缘层的栅极。
6.根据权利要求2所述的分布反馈激光器，其特征在于，所述周期性半导体器件为发光二极管。
7.根据权利要求6所述的分布反馈激光器，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底表面的周期性电极；
位于所述周期性电极背离所述衬底表面的第一透明导电层，所述第一透明导电层背离所述周期性电极的表面开设有光波导槽；
覆盖所述第一透明导电层和填充所述光波导槽的有源层；
位于所述有源层背离所述衬底表面的第二透明导电层；
位于所述第二透明导电层背离所述有源层的面电极。
8.一种分布反馈激光器，其特征在于，所述分布反馈激光器为增益耦合分布反馈激光器，其至少包括：
衬底；
位于所述衬底上的周期性挡光层；
位于所述周期性挡光层背离所述衬底表面的透明介质层，所述透明介质层上开设有光波导槽；
覆盖所述透明介质层并填充所述光波导槽的有源层；
所述增益耦合分布反馈激光器的激射波长满足公式：
Neff*Λ＝N*λ/2
其中，λ为激光器的工作波长，Λ为布拉格光栅周期，Neff为光波导有效折射率，N为激射的波长阶数，其中，N为大于2的正整数。
9.一种分布反馈激光器的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1-8任意一项所述的分布反馈激光器，包括：
提供衬底；
制作周期性半导体器件或周期性挡光层；
制作形成有源层；
在所述衬底、所述周期性半导体器件的电极层或周期性挡光层、或所述有源层上制作光波导槽；
其中，制作所述衬底、所述周期性半导体器件或周期性挡光层、所述有源层和所述光波导槽时采用的制作工艺包括镀膜、光刻和刻蚀工艺。
10.一种分布反馈激光器阵列，其特征在于，所述分布反馈激光器为增益耦合分布反馈激光器，其至少包括：
衬底、有源层、光波导槽阵列和弯曲波导；
所述增益耦合分布反馈激光器的激射波长满足公式：
Neff*Λ＝N*λ/2
其中，λ为激光器的工作波长，Λ为布拉格光栅周期，Neff为光波导有效折射率，N为激射的波长阶数，其中，N为大于2的正整数；
所述弯曲波导的一端分别连接所述光波导槽阵列中的光波导槽，另一端合为一个，实现波分复用或光互连。