1.一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，包括以下步骤：
S11，在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层得到蓝宝石基GaN复合衬底；
S12，在蓝宝石基GaN复合衬底上的GaN外延层表面制备隔离保护层，使用粘接剂将隔离保护层连接到临时转移衬底上，去除原蓝宝石衬底；
S13，在GaN外延层和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，然后通过该键合介质层将GaN外延层和导热导电转移衬底进行键合，实现GaN外延层表面与导热导电转移衬底的键合；
S14，键合过程中临时转移衬底脱落，对所获得的复合衬底中的GaN外延层表面的隔离保护层，利用干法或湿法刻蚀工艺制备成图形化周期结构，得到具有隔离保护层的GaN基复合衬底。
2.一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，包括以下步骤：
S21，在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层得到蓝宝石基GaN复合衬底；
S22，在蓝宝石基GaN复合衬底上的GaN外延层表面制备隔离保护层，使用粘接剂将隔离保护层连接到临时转移衬底上，去除原蓝宝石衬底；
S23，在GaN外延层和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，然后通过该键合介质层将GaN外延层和导热导电转移衬底进行键合，实现GaN外延层表面与导热导电转移衬底的键合；
S24，键合过程中临时转移衬底脱落，对所获得的复合衬底GaN外延层表面进行腐蚀去除隔离保护层，得到去除隔离保护层的GaN基复合衬底。
3.根据权利要求1或2所述的用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，其特征在于，所述隔离保护层为单层、双层、多层或是成份渐变层结构，或者是具有图形的层状结构，或者是层状结构与图形结构相互结合的多层结构。
4.根据权利要求3所述的用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，其特征在于，所述隔离保护层是在衬底转移之前或是之后进行图形化处理，该隔离保护层的图形化为圆锥形、圆柱形、三角锥形、方锥形或方柱形。
5.根据权利要求4所述的用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，其特征在于，所述隔离保护层材料是AlN、ZnO、SiO2、SiNx、SiC、TiC和InN中的任意一种，或者是Mo、Au、Ti、Cu、Pd、W、Ni、Cr、Sn、In中的任意一种单质金属或两种或两种以上的合金。
6.根据权利要求5所述的用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，其特征在于，所述隔离保护层的厚度为1纳米至100微米，并且优选为10-2000纳米。
7.根据权利要求6所述的用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，其特征在于，所述隔离保护层是利用HVPE、MOCVD、PECVD、电子束蒸发、磁控溅射、电镀、真空热蒸发或湿法工艺，制备在GaN外延层的表面。