1.一种晶圆临时键合方法，其特征在于，包括：
提供并清洗器件晶圆和载片；
在所述载片和/或所述器件晶圆上滴液体；
利用所述液体的表面张力将所述载片和所述器件晶圆形成键合体；
对所述键合体中的器件晶圆进行背面工艺处理；
将所述载片与所述器件晶圆解键合。
2.根据权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述液体为去离子水。
3.根据权利要求2所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述去离子水的量为0.05mL-0.1mL，包括端点值。
4.根据权利要求3所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述在所述载片和/或所述器件晶圆上滴液体具体包括：
采用吸管吸取去离子水；
在所述载片和/或所述器件晶圆的中心位置滴所述去离子水。
5.根据权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述利用所述液体的表面张力将所述载片和所述器件晶圆形成键合体具体包括：
将所述器件晶圆安放到所述载片上，并调整所述器件晶圆的位置；
采用平板镊子在所述器件晶圆的表面均匀朝向所述载片施加压力，以调节所述器件晶圆的表面平整度。
6.根据权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述将所述载片与所述器件晶圆解键合具体包括：
采用气体枪对所述键合体边缘吹，使得所述载片与所述器件晶圆分离。
7.根据权利要求6所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述气体枪中的气体为惰性气体、氮气或惰性气体与氮气的混合气体。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述晶圆为硅片、锗片、绝缘体上硅或GaAs晶片。
9.根据权利要求8所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述载片材料为玻璃、蓝宝石或硅中的任意一种。