技术总结
本发明提供一种单向低电容TVS器件及其制造方法，通过半导体集成工艺形成单向低电容TVS器件由此可以提高单向低电容TVS器件的可靠性，降低单向低电容TVS器件的体积。进一步的，在单向低电容TVS器件中形成了第一普通二极管、第二普通二极管、第三普通二极管和稳压二极管，其中，所述第一普通二极管、所述第二普通二极管和所述稳压二极管串联并与所述第三普通二极管并联，由此，相较于现有技术的单向低电容TVS器件能够较大的减小电容，一般能够降低至现有电容的四分之三。
技术研发人员：张常军;邓晓虎
受保护的技术使用者：杭州士兰集成电路有限公司
文档号码：201710061268
技术研发日：2017.01.25
技术公布日：2017.05.31