技术特征：
技术总结
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区的基底上形成栅介质层以及位于栅介质层上的第一功函数层；对第一P区的第一功函数层下方的栅介质层进行还原处理，增加所述第一P区的栅介质层内的氧空位含量；在进行所述还原处理之后，在所述第一P区和第二P区的第一功函数层上形成第二功函数层；在所述第二N区的第一功函数层上、第一P区和第二P区的第二功函数层上形成第三功函数层；在所述第一N区的第一功函数层上、以及所述第三功函数层上形成N型功函数层。本发明降低了半导体结构形成工艺复杂性，节约了工艺步骤，减少了半导体结构所需的功函数层层数。
技术研发人员：贺鑫
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2017.02.03
技术公布日：2018.08.10