1.一种基于半模基片集成波导的混合电磁耦合双工器，其特征在于：包括介质基板(1)，设置于介质基板(1)下表面的金属接地层(2)，设置于介质基板(1)上表面的上金属层，该上金属层包括第一端口(3)、第二端口(6)和第三端口(7)，其中第一端口(3)为输入端口，第二端口(6)为低频段分支滤波器输出端口，第三端口(7)为高频段分支滤波器输出端口；
所述介质基板(1)的上金属层设置低通带滤波器(a)和高通带滤波器(b)，且二者并联形成混合电磁耦合双工器；所述上金属层设置由第一开路枝节线(5)和第二开路枝节线(9)加载而成的半模基片集成波导结构，低通带滤波器(a)包括一个半模结构连接一对对称的第一开路枝节线(5)，高通带滤波器(b)包括一个半模结构连接一对对称的第二开路枝节线(9)，每一对开路枝节线的末端均为平行的开路耦合线，该第一开路枝节线(5)和第二开路枝节线(9)共用一个对称轴，且该对称轴平行于开路耦合线；低通带滤波器(a)和高通带滤波器(b)之间设置一列金属化通孔(8)，该列金属化通孔(8)等间距分布且贯穿介质基板(1)。
2.根据权利要求1所述的基于半模基片集成波导的混合电磁耦合双工器，其特征在于：所述第一开路枝节线(5)和第二开路枝节线(9)的长度不同，第一开路枝节线(5)对应低通带滤波器(a)中心频率处的1/4波长，第二开路枝节线(9)对应高通带滤波器(b)中心频率处的1/4波长，所述第一开路枝节线(5)和第二开路枝节线(9)分别控制低通带滤波器(a)和高通带滤波器(b)的中心频率。
3.根据权利要求1或2所述的基于半模基片集成波导的混合电磁耦合双工器，其特征在于：所述半模基片集成波导结构中第一开路枝节线(5)和第二开路枝节线(9)的结构能够调节：通过改变第一开路枝节线(5)和第二开路枝节线(9)的长度和宽度，来改变低通带滤波器(a)、高通带滤波器(b)的中心频率；通过改变第一开路枝节线(5)和第二开路枝节线(9)长度以及开路耦合线之间的间距来改变低通带滤波器(a)、高通带滤波器(b)的电耦合强度。
4.根据权利要求1或2所述的基于半模基片集成波导的混合电磁耦合双工器，其特征在于：所述第一输入馈线(4)、第二输入馈线(10)、第一输出馈线(6)和第二输出馈线(7)均为50欧姆微带线；金属化通孔(8)的直径d为0.6mm，金属化通孔的孔间距p为1mm。
5.根据权利要求1或2所述的基于半模基片集成波导的混合电磁耦合双工器，其特征在于：所述第一输入馈线(4)的长度对应高通带分支滤波器(a)中心频率处的1/4波长；第二输入馈线(10)的长度对应高通带分支滤波器(a)中心频率处的1/4波长。