技术特征:
技术总结
本发明提供一种相变存储器及其形成方法,其中,相变存储器的形成方法包括:提供基底;在所述基底上形成加热层;在所述加热层侧壁表面形成相变层,所述加热层仅侧壁与所述相变层接触。在所述加热层侧壁表面形成相变层,由于在加热层的形成工艺中,能够使加热层的厚度较小,小于加热层表面的最小尺寸。由于加热层的厚度较小,所述相变层位于所述加热层侧壁表面,则可以使所述相变层与所述加热层的接触面积较小。所述相变层与所述加热层的接触面积小,在读写数据时发生相变的相变层材料较少,从而能够缩短相变时间,进而增加相变存储器的读写速度。
技术研发人员:张超;周儒领;张庆勇
受保护的技术使用者:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日:2017.03.17
技术公布日:2018.10.09