一种大功率平面栅D‑MOSFET结构设计的制作方法

技术特征：

1.一种大功率平面栅D-MOSFET结构设计，所述平面栅D-MOSFET为N-MOS结构或P-MOS结构，其特征在于，所述N-MOS结构的P-阱结构转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构；所述P-MOS结构的N-阱结构转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。

2.如权利要求1所述的大功率平面栅D-MOSFET结构设计，其特征在于，所述阶梯状结构至少包括2个子阶梯。

3.如权利要求1所述的大功率平面栅D-MOSFET结构设计，其特征在于，所述每个子阶梯的转角曲率相同或不同。

4.如权利要求1所述的大功率平面栅D-MOSFET结构设计，其特征在于，所述子阶梯中位于最下方的子阶梯弧度曲率最小。

5.如权利要求1所述的大功率平面栅D-MOSFET结构设计，其特征在于，所述子阶梯的外轮廓形状相同或不同。

6.如权利要求1所述的大功率平面栅D-MOSFET结构设计，其特征在于，所述子阶梯的外轮廓为弧形、曲线形、折线形或这三类形状的任意组合。

7.如权利要求1所述的大功率平面栅D-MOSFET结构设计，其特征在于，所述子阶梯的数量k需满足[0.5μm*(k-1)]<W_min；所述W_min为所述P-阱结构或所述N-阱结构的总深度W_y和总宽度W_x的较小值。

8.如权利要求7所述的大功率平面栅D-MOSFET结构设计，其特征在于，所述子阶梯为深度和宽度均为0.5μm的单一子阶梯。

9.如权利要求7所述的大功率平面栅D-MOSFET结构设计，其特征在于，所述每个子阶梯的深度和/或宽度不同，深度不超过W_y/k，宽度不超过W_x/k。

10.如权利要求1-9任一所述的大功率平面栅D-MOSFET结构设计，其特征在于，所述阶梯状结构通过至少两次掩模和/或保护层形成的离子注入窗进行离子注入形成，所述每次离子注入的注入能量不同，较大的离子注入窗配合较小能量的离子注入。