技术总结
本发明提供一种大功率平面栅D‑MOSFET结构设计，所述平面栅D‑MOSFET为N‑MOS结构或P‑MOS结构，所述N‑MOS结构的P‑阱结构转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构；所述P‑MOS结构的N‑阱结构转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。所述阶梯状结构降低了P‑阱结构和N‑阱结构转角区域的等效界面曲率，从而降低了该区域的最大电场强度，降低D‑MOSFET内部雪崩击穿的可能性，改善D‑MOSFET的可靠性，并提高D‑MOSFET的整体可用性。
技术研发人员：张学强;张振中;和巍巍;汪之涵
受保护的技术使用者：深圳基本半导体有限公司
文档号码：201710179873
技术研发日：2017.03.23
技术公布日：2017.06.20