技术特征：
技术总结
本发明公开了一种源‑漏复合场板垂直型电力电子器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极下方有两个注入区(8)，除肖特基漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(12)，电流阻挡层之间形成孔径(5)；电流阻挡层采用二级台阶结构，钝化层左右两边的上部和背面分别刻有整数个源阶梯和漏阶梯，阶梯上淀积有金属，分别形成源场板(13)和漏场板(14)，源场板与源极电气连接，漏场板与漏极电气连接。本发明双向击穿电压高、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
技术研发人员：毛维;丛冠宇;郝跃;杜鸣;张金风
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2017.03.29
技术公布日：2017.09.15