基片集成波导3‑dB宽壁小孔耦合器的制作方法

文档序号:11516926阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种基片集成波导3‑dB宽壁小孔耦合器,是由两块相同的基片集成波导通过接触组合而成的双层电路;改进的微带到基片集成波导的过渡电路通过梯形渐变接入基片集成波导;本发明在基片集成波导的公共地平面上开了两排共10个圆形小孔来实现小孔耦合的目的,并最终实现了3‑dB的强耦合效果。其中,基片集成波导是通过在印刷电路板上设计一系列金属过孔实现的。本发明能顺利实现双层基片集成波导之间的3‑dB耦合,同时实现了直通端与耦合端之间的90°相移,相对于同等技术的波导耦合器,本发明在减小耦合器面积的同时提高了耦合器的性能,制作工艺简单,成本低廉。

技术研发人员:许锋;刘水
受保护的技术使用者:南京邮电大学
技术研发日:2017.05.19
技术公布日:2017.10.17
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1