技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于反模的“I”型结构PDMS基体的制造方法。其步骤有：1.硅模具的制备，得到具有台阶状凸点的硅模具；2.PDMS反模具的制备；3.PDMS反模具的表面处理4.利用PDMS反模具倒模：将处理后的PDMS反模具固定在硅片上，旋涂、抽真空、再旋涂、热烘至固态，依次使用丙酮和无水乙醇超声清洗，分离PDMS反模具和“I”型结构PDMS基体，烘干，制得“I”型结构PDMS基体。制得的PDMS基体拥有特殊的“I”型结构图案化阵列，其在力学性能上具有明显的应变隔离效应，在物理性能上具有较强的表面疏水性，使得其在微机电系统、医疗诊断、生物材料等柔性可延展电子领域具有特殊的应用价值。
技术研发人员：赵晋生;师明星
受保护的技术使用者：西南交通大学
技术研发日：2017.06.01
技术公布日：2017.10.20