技术特征：
技术总结
本发明公开了一种提高N型BiTeSe半导体的热电优值及制备效率的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)以Bi，Te，Se颗粒和KI粉末为原料，按照Bi2Te3‑xSex+0.3wt％KI的化学计量比称量各原料，混合均匀后备用；(2)将混合均匀后的原料在特殊的熔炼工艺下熔炼，炉冷至室温得到母合金；(3)将母合金放置于高温度梯度的定向凝固炉中熔炼，以合适的抽拉速度实现母合金的定向凝固，即可获得高热电转换效率的N型BiTeSe半导体材料。与现有方法相比，本发明在大幅度提升热电优值的基础上，具有清洁无污染，操作简单，周期短，成本低等优点，特别适合于商业化大规模应用。
技术研发人员：祖方遒;朱彬;王小宇;余愿;高娜
受保护的技术使用者：合肥工业大学
技术研发日：2017.06.26
技术公布日：2017.10.20