背面密封晶片的方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种背面密封晶片的方法。

背景技术：

在晶片正面生长具有精确定义的电学和物理性质的外延层，是在晶片上制作各种器件的初始步骤。为了生长外延层，晶片通常配合基座的支撑放置在外延反应腔室中，提升反应腔室的温度，例如升温至800-1150摄氏度，通入反应气体，使该气体与晶片反应，在晶片正面形成外延层。为了在硅晶片上生长一层晶体硅，可以通入硅烷气体，如三氯氢硅(tcs)，使之流过硅晶片的正面。

在晶片正面淀积外延层之前，为了防止自掺杂，往往需要在外延淀积之前密封晶片背面。自掺杂通常是指从晶片背面释放掺杂物或污染物，以及在外延淀积过程中正面释放的掺杂物或污染物的沉积。在背面密封晶片缺失的情况下，由于外延淀积需要高温处理，在外延淀积过程中通常会发生自掺杂。自掺杂特别不利于器件的制作，因为在外延淀积期间沉积在晶片正面的掺杂物和污染物会改变外延层的电学特性，如改变电阻率等。掺杂物和污染物通常沉积在晶片正面相对于中心区域的边缘区域，因此，所得外延层的电学特性，由于自掺杂，会有方向上的变化。具体来说，由于自掺杂，额外的掺杂物会沿着晶片的某些区域沉积，从而导致外延层的电阻率会在晶片中心到这些区域的直径方向上发生变化。在实际应用中，如果要求外延层的电学特性在晶片的整个正面上相当均匀，那么由自掺杂引起的外延层电学特性的变化是非常不利的，并且可能导致所生产的晶片被废弃，特别是对于重掺杂的基片晶片。

现有的背面密封工艺一般采用在晶片衬底的双面形成多晶硅层或低温氧化层，然后在晶片的背面贴一层保护膜，再用湿法化学腐蚀方法将晶片正面的多晶硅层或低温氧化层去除。该工艺流程较复杂，且需要购置额外的贴膜设备。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术，本发明的目的在于提供一种背面密封晶片的方法，用于解决现有技术中外延晶片时出现自掺杂的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种背面密封晶片的方法，包括以下步骤：

提供一完成双面、边缘和切口抛光的晶片衬底；

在所述晶片衬底的背面形成氧化层；

采用边缘氧化物抛光的方法去除所述晶片衬底背面边缘斜角(bevel)处的氧化层；

对所述晶片衬底进行正面抛光和清洗。

可选地，采用硅胶分散浆料完成所述晶片衬底的双面、边缘和切口抛光。

可选地，所述氧化层为低温氧化层(lowtemperatureoxide，lto)。

可选地，所述氧化层采用低压化学气相沉积法得到。

可选地，采用包括氧化铈的化学机械研磨(cmp)浆料进行边缘氧化物抛光以实现边缘斜角清除。

进一步可选地，边缘斜角清除的厚度小于等于3mm。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明还提供一种外延晶片的方法，在进行外延生长之前，采用前述背面密封晶片的方法对晶片衬底进行背面密封，然后在所述晶片衬底的正面生长外延层。

如上所述，本发明的背面密封晶片的方法，具有以下有益效果：

本发明在晶片背面形成有氧化层作为密封层，并在形成氧化层后采用边缘氧化物抛光的方法对晶片背面边缘斜角进行清除，在外延生长前利用该方法对晶片背面进行密封即可有效防止外延晶片时出现自掺杂的问题，方法易于实施，简便实用。

附图说明

图1显示为本发明实施例提供的背面密封晶片方法的示意图。

图2a-2d显示为本发明实施例提供的背面密封晶片及生长外延层的工艺流程示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。

需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

现有的背面密封工艺一般采用在晶片衬底的双面形成多晶硅层或低温氧化层，然后在晶片的背面贴一层保护膜，再用湿法化学腐蚀方法将晶片正面的多晶硅层或低温氧化层去除。该工艺流程较复杂，且需要购置额外的贴膜设备。为了有效防止外延晶片时出现自掺杂的问题，本实施例将提供一种可用于外延生长的背面密封晶片的新方法。

请参阅图1，本实施例提供的一种背面密封晶片的方法，包括以下步骤：

s1提供一完成双面、边缘和切口抛光的晶片衬底；

s2在所述晶片衬底的背面形成氧化层；

s3采用边缘氧化物抛光的方法去除所述晶片衬底背面边缘斜角处的氧化层；

s4对所述晶片衬底进行正面抛光和清洗。

在外延工艺中，进行外延生长之前，可采用该方法对晶片衬底进行背面密封，然后再在所述晶片衬底的正面生长外延层，以避免自掺杂现象，从而有利于提高外延层在整个晶片衬底上电学和物理性质的均匀性。

下面结合附图进一步详细说明本实施例提供的背面密封晶片的方法。

首先，准备一片完成双面、边缘和切口抛光的晶片衬底。所述晶片衬底可以是半导体晶圆，如硅晶圆。

本实施例中，完成双面、边缘和切口抛光可以采用硅胶分散浆料或其他适合的抛光浆料。其中，晶片双面、边缘和切口抛光的工艺方法可以采用本领域技术人员的习知的技术手段，故在此不做赘述。

然后，在所述晶片衬底的背面形成氧化层。所述氧化层可以为低温氧化层(lowtemperatureoxide，lto)。形成所述氧化层可以采用化学气相沉积，如低压化学气相沉积(lpcvd)等方法。本实施例中，采用一低压化学气相沉积炉，于低温条件下，在所述晶片衬底的背面沉积一层低温氧化层。形成低温氧化层可以采用本领域技术人员习知的技术手段，具体条件和参数本领域技术人员可以根据实际情况进行选取。

如图2a所示，该步骤后，在晶片衬底100的背面沉积有低温氧化层200’。

接下来，如图2b所示，采用边缘氧化物抛光(edgeoxidepolishing)的方法去除所述晶片衬底100背面边缘斜角处的低温氧化层200’，最终在晶片衬底100背面所保留下来的低温氧化层即为氧化物密封层200。

具体地，可以采用包括氧化铈的化学机械研磨(cmp)浆料或其他适合的抛光浆料进行边缘氧化物抛光以实现边缘斜角清除。边缘斜角清除的厚度可以为0-3mm。

随后，对所述晶片衬底100进行正面抛光和清洗，得到可用于外延的背面密封晶片。如图2c所示，得到的背面密封晶片在背面设有氧化物密封层200，且在所述晶片的背面清除了边缘斜角。该步骤中的抛光和清洗方法可以采用本领域技术人员习知的技术手段，故在此不做赘述。

最后，如图2d所示，可以根据实际应用的需要，在所述晶片衬底100的正面生长外延层300。

综上所述，本发明在晶片背面形成有氧化层作为密封，并在形成氧化层后边缘氧化物抛光的方法对晶片背面边缘斜角进行清除，在外延生长前利用该方法对晶片背面进行密封即可有效防止外延晶片时出现自掺杂的问题，方法易于实施，简便实用。

所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。