一种用于芯片的离子注入设备的制作方法

本发明涉及离子注入技术领域，尤其涉及一种用于芯片的离子注入设备。

背景技术：

离子注入是指当真空中有一束离子束射向一块固体材料时，离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面，这个现象叫做溅射；而当离子束射到固体材料时，从固体材料表面弹了回来，或者穿出固体材料而去，这些现象叫做散射，另外有一种现象是，离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中的这一现象，在电子工业中，离子注入成为了微电子工艺中的一种重要的掺杂技术，也是控制mosfet阈值电压的一个重要手段。因此在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。目前的芯片离子注入设备在使用时，作业面积小只能对待注入基板进行单点注入，生产效率低下，且现有的离子注入设备结构复杂，生产成本高。

技术实现要素：

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种用于芯片的离子注入设备。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种用于芯片的离子注入设备，包括底座，所述底座的顶端一侧焊接有第一支柱，所述第一支柱的中部开设有水平设置的通孔，且通孔内套接有轴承，轴承的内壁套接有转动杆，所述转动杆远离第一支柱的一端通过螺丝固定有吸盘，所述底座的顶端一侧通过螺丝固定有伺服电机，所述底座的顶端外壁另一侧分别开设有第二电动导轨和第三电动导轨，所述第三电动导轨和第二电动导轨的中间处相垂直，且第三电动导轨和第二电动导轨相连通，所述第二电动导轨的内部镶嵌有第二滑块，所述第二滑块的顶端焊接有竖直设置的第二支柱，所述第二支柱相对第一支柱的一侧开设有第一电动导轨，所述第一电动导轨的内部镶嵌有第一滑块，所述第一滑块远离第一电动导轨的一端通过螺丝固定有离子发生器，所述离子发生器靠近吸盘的一端焊接有离子枪头，所述离子发生器的底端焊接有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆的底端通过螺丝固定有水平设置的承载台，且承载台的一端焊接在第二支柱的外侧壁。

优选的，所述转动杆贯穿第一支柱，且转动杆靠近第一支柱的一端通过v带和伺服电机的输出轴传动连接。

优选的，所述伺服电机通过导线连接有开关，且开关连接有控制器，控制器的型号为data-7311。

优选的，所述离子枪头的距离底座的高度和吸盘距离底座的高度相配合。

优选的，所述第一电动导轨的长度小于第二支柱的高度。

优选的，所述第二电动导轨和第三电动导轨的长度和宽度均小于底座的长度和宽度。

本发明的有益效果为：本设备结构简单，使用时，通过控制第二滑块在第二电动导轨和第三电动导轨内进行移动来调整离子枪头对待注入基板的水平位置，之后在驱动第一滑块在第一电动导轨内上下移动以此来调整离子枪头的竖直位置，通过伺服电机的带动使转动杆转动，吸盘可以将待注入基板牢牢吸附，这样就可以实现大面积的离子注入作业，提高生产效率，降低整个生产成本。

附图说明

图1为本发明提出的一种用于芯片的离子注入设备的结构示意图；

图2为本发明提出的一种用于芯片的离子注入设备的局部结构示意图。

图中：1底座、2伺服电机、3转动杆、4第一支柱、5吸盘、6离子枪头、7离子发生器、8第一滑块、9第一电动导轨、10电动伸缩杆、11第二支柱、12承载台、13第二滑块、14第二电动导轨、15第三电动导轨。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

参照图1-2，一种用于芯片的离子注入设备，包括底座1，底座1的顶端一侧焊接有第一支柱4，第一支柱4的中部开设有水平设置的通孔，且通孔内套接有轴承，轴承的内壁套接有转动杆3，转动杆3远离第一支柱4的一端通过螺丝固定有吸盘5，底座1的顶端一侧通过螺丝固定有伺服电机2，底座1的顶端外壁另一侧分别开设有第二电动导轨14和第三电动导轨15，第三电动导轨15和第二电动导轨14的中间处相垂直，且第三电动导轨15和第二电动导轨14相连通，第二电动导轨14的内部镶嵌有第二滑块13，第二滑块13的顶端焊接有竖直设置的第二支柱11，第二支柱11相对第一支柱4的一侧开设有第一电动导轨9，第一电动导轨9的内部镶嵌有第一滑块8，第一滑块8远离第一电动导轨9的一端通过螺丝固定有离子发生器7，离子发生器7靠近吸盘5的一端焊接有离子枪头6，离子发生器7的底端焊接有电动伸缩杆10，电动伸缩杆10的底端通过螺丝固定有水平设置的承载台12，且承载台12的一端焊接在第二支柱11的外侧壁。

本发明中，转动杆3贯穿第一支柱4，且转动杆3靠近第一支柱4的一端通过v带和伺服电机2的输出轴传动连接，伺服电机2通过导线连接有开关，且开关连接有控制器，控制器的型号为data-7311吗，离子枪头6的距离底座1的高度和吸盘5距离底座1的高度相配合，第一电动导轨9的长度小于第二支柱11的高度，第二电动导轨14和第三电动导轨15的长度和宽度均小于底座1的长度和宽度。

工作原理：使用时，通过控制第二滑块13在第二电动导轨14和第三电动导轨15内进行移动来调整离子枪头6对待注入基板的水平位置，之后在驱动第一滑块8在第一电动导轨9内上下移动以此来调整离子枪头6的竖直位置，通过伺服电机2的带动使转动杆3转动，吸盘5可以将待注入基板牢牢吸附，这样就可以实现大面积的离子注入作业。

以上所述仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种用于芯片的离子注入设备，包括底座，所述底座的顶端一侧焊接有第一支柱，所述第一支柱的中部开设有水平设置的通孔，且通孔内套接有轴承，轴承的内壁套接有转动杆，所述转动杆远离第一支柱的一端通过螺丝固定有吸盘，所述底座的顶端一侧通过螺丝固定有伺服电机，所述底座的顶端外壁另一侧分别开设有第二电动导轨和第三电动导轨，所述第三电动导轨和第二电动导轨的中间处相垂直。本发明通过驱动第一滑块在第一电动导轨内上下移动以此来调整离子枪头的竖直位置，通过伺服电机的带动使转动杆转动，吸盘可以将待注入基板牢牢吸附，这样就可以实现大面积的离子注入作业工作，提高生产效率降低整个生产成本。

技术研发人员：卓廷厚
受保护的技术使用者：厦门芯光润泽科技有限公司
技术研发日：2017.07.13
技术公布日：2017.11.14