悬置微带高抑制高通滤波器的制作方法

文档序号:13033144阅读:820来源:国知局
悬置微带高抑制高通滤波器的制作方法与工艺

本发明与微带高通滤波器有关。



背景技术:

现有的高通滤波器有微带高通滤波器和同轴高通滤波器,同轴高通滤波器可以实现4倍频率通带带宽,但是不能满足偏离带宽边缘频率300mhz之处抑制大于30db。已有微带高通滤波器可以实现高通滤波器的功能,通带带宽一般为3倍通带频率带宽,但是通带带宽不能满足9倍频率带宽。所以不能实现从2000mhz-18000mhz的通带频率。由于微带高通滤波器带宽要求宽。抑制频率要求近。已有微带高通滤波器产品体积大,通带带宽窄、近端抑制低、频率响应特性低。完全不能满足通信频段较高的信号处理和多信号处理系统的要求。



技术实现要素:

本发明的目的是提供一种体积小,带宽宽,近端抑制频率高,通信频率较近工作时无线信号相互不干扰的悬置微带高抑制高通滤波器。

本发明是这样实现的:

于同轴谐振腔下腔体1与同轴谐振腔上腔体2之间为微带高通谐振单元7,同轴谐振腔上、下腔体1、2分别有上下凹形槽构成上、下同轴谐振腔,上下凹形槽的轴向有上下交错齿10构成轴向两端开放的齿形槽,微带高通谐振单元7的上下面(分别见图5、4)分别有上、下微带高通单元谐振腔9,上、下微带高通单元谐振腔9有齿形槽分别与同轴谐振腔上下腔体的齿形槽仿形,上下微带高通单元谐振腔9的齿形槽周边均布微带高通接地孔11,上、下微带高通单元谐振腔9的齿形槽内分别悬置有绕成若干串联的丁字形的上下微带谐振器8,丁字形上下微带谐振器8的大端位于上下微带高通单元谐振腔9的轴线上,形成上下悬置微带同轴谐振腔,同轴谐振腔上下腔体1、2、微带高通谐振单元7对应的孔通过安装螺钉6固定,sma型连接器3通过安装螺钉4及弹垫5安装固定于同轴谐振腔体的轴向左、右两侧。

本发明的微带谐振腔9与同轴谐振腔10配合,从而减小体积的同时形成宽带高通滤波器,设计时根据调节微带高通单元丁字形微带线的宽度来满足近端的衰减度,从而达到技术指标。微带高通接地孔11主要用于同轴谐振腔上下腔体的接地。

本发明采用sma型接口,实现高频宽带的传输的功能。同时又采用同轴谐振腔10与微带谐振腔9的的结合形成悬置微带谐振腔,即丁字形微带谐振器8悬置于微带高通单元谐振腔9组成微带谐振腔,通过微带谐振腔、同轴谐振腔10的相互谐振实现宽带频率的传输功能,又能满足近端抑制的要求,采用上、下腔体对称排列的方式使得体积减小,通过微带谐振腔与同轴谐振腔10配合又能得到很高的品质因数,从而达到插损小抑制高的要求。

本发明是最新无线通信系统中关键的部件,解决了通信频率较近工作时的干扰,从而使无线信号相互不受影响。本发明结合同轴谐振腔下腔体1和同轴谐振腔上腔体2对应安置,中间放置微带线高通谐振单元7,形成悬置微带同轴谐振器,采用带通滤波器切比雪夫的方式实现了近端的抑制度,又能满足插损低谐振带宽宽的功能,可以使通带频率实现9次倍频带宽,从而满足了高抑制高通滤波的技术指标。

附图说明

图1为本发明总体结构图。

图2为图1的俯视图。

图3为同轴谐振腔上腔体(2)仰视图。

图4为微带高通单元谐振腔(9)的下面结构图。

图5为微带高通单元谐振腔(9)的下面结构图。

具体实施方式

于同轴谐振腔下腔体1与同轴谐振腔上腔体2之间为微带高通谐振单元7,同轴谐振腔上、下腔体1、2分别有上下凹形槽构成上、下同轴谐振腔,上下凹形槽的轴向有上下交错齿10构成轴向两端开放的齿形槽,微带高通谐振单元7的上下面(分别见图5、4)分别有上、下微带高通单元谐振腔9,上、下微带高通单元谐振腔9有齿形槽分别与同轴谐振腔上下腔体1、2的齿形槽仿形,上下微带高通单元谐振腔9的齿形槽周边均布微带高通接地孔11,上、下微带高通单元谐振腔9的齿形槽内分别悬置有绕成若干串联的丁字形的上下微带谐振器8,丁字形上下微带谐振器8的大端位于上下微带高通单元谐振腔9的轴线上,形成上下悬置微带同轴谐振腔,同轴谐振腔上下腔体1、2、微带高通谐振单元7,对应的孔通过安装螺钉6固定,sma型连接器3通过安装螺钉4及弹垫5安装固定于同轴谐振腔体的轴向左、右两侧。

悬置微带高抑制高通滤波器技术要求如下:

本发明实现频率2000-18000mhz的通带频率。由于通带偏移300mhz需要抑制30db.所以采用同轴谐振器与微带谐振腔方式结合设计,针对近端的频段进行衰减,从而达到产品技术指标要求。



技术特征:

技术总结
本发明为悬置微带高抑制高通滤波器,解决已有微带高通滤波器产品体积大,通带带宽窄、近端抑制低、频率响应特性低的问题。同轴谐振腔下腔体(1)与同轴谐振腔上腔体(2)之间为微带高通谐振单元(7),同轴谐振腔上、下腔体(1、2)分别有上下凹形槽构成上、下同轴谐振腔,上下凹形槽的轴向有上下交错齿(10)构成并轴向两端开放的齿形槽,微带高通谐振单元(7)的上下面分别有上、下微带高通单元谐振腔(9),上、下微带高通单元谐振腔(9)的齿形槽分别与同轴谐振腔上下腔体的齿形槽仿形,上下微带高通单元谐振腔(9)的齿形槽周边均布微带高通接地孔(11),上、下微带高通单元谐振腔(9)的齿形槽内悬置有绕成若干串联的丁字形的上下微带谐振器(8)。

技术研发人员:彭福
受保护的技术使用者:成都九洲迪飞科技有限责任公司
技术研发日:2017.07.14
技术公布日:2017.11.28
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