本发明属于gpp芯片生产技术领域，尤其是涉及一种gpp芯片镀金方法。
背景技术：
gpp主要应用于led、充电器、替代酸洗二极管(oj)、整流桥等领域，随着led市场的持续增长，充电器、整流桥市场趋于稳定，近年来，gpp芯片成本的持续降低，gpp将逐渐替代oj芯片，gpp芯片的市场需求持续呈增长趋势，在现有技术中，gpp的生产工艺有刀刮法、电泳法、光阻法，技术难度、产品品质依次升高，但整体的技术难度仍然偏低，投资低、上量迅速，随着市场需求增加，大量作坊式厂家进入，使产品供大于求导致市场进入恶性的降价倾销模式，gpp芯片的镀金及测试是gpp芯片生产过程中必不可少的部分，镀金效果的好坏，将直接影响后道gpp芯片焊接，测试的自动化程度，将影响gpp芯片的生产速率，测试的执行标准和结果，将影响整个芯片的使用可靠性，从而影响gpp芯片的使用寿命。
技术实现要素：
本发明的目的是提供gpp芯片镀金及测试方法，可靠性强，增加gpp芯片的使用寿命。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种gpp芯片镀金方法，包括以下步骤：
预处理：去除gpp芯片表面氧化层，使所述gpp芯片表面原子活化；
一次镀镍：在所述gpp芯片表面镀一次镍；
镍烧结：镍原子向所述gpp芯片内部扩散，镍层与硅层相互结合；
二次镀镍：在所诉gpp芯片表面镀二次镍；
镀金；在所述gpp芯片表面镀金；
进一步地，所述一次镀镍步骤，是在ph值为7-10的碱性环境下，调节温度到60-100℃，将gpp芯片浸泡于镀镍液中进行一次镀镍。
进一步地，所述镍烧结步骤，在温度为500-650℃的温度下对所述gpp芯片进行烧结。
进一步地，所述二次镀镍是在ph值为7-10的碱性环境下，调节温度到60-100℃，将所述gpp芯片浸泡于镀镍液中进行二次镀镍。
进一步地，所述镀金步骤，是在酸性条件下，温度调节到60-100℃，将所述gpp芯片浸泡于镀金液中进行镀金。
进一步地，还包括镀金步骤后的测试步骤，具体为：
根据芯片尺寸，设定电压值测试条件；
利用测试装置，根据所述测试条件测试芯片的电学特性；
测试装置利用脉冲信号对所述芯片进行电性测试，记录电性数据；
进一步地，所述测试装置为测试针板，所述测试针板包括测试针和固定测试针的底板，利用所述测试针板测试芯片的电学特性包括：
将测试针按照芯片上印刷的图形排列成对应形状并固定在底板上；
测试时将测试针通电，测试芯片的电学特性。
进一步地，还包括测试步骤后的划片步骤，从p面自动将芯片对准，利用皮秒激光器或飞秒激光器从n面进行划片，具体包括：
调整载片台的x，y方向以及θ角度，利用划片机上的图像传感器从p面将芯片对准，并记录产品信息；
根据所述产品信息，读取预存的划片参数，利用所述皮秒激光器或飞秒激光器从n面进行划片。
进一步地，还包括划片步骤后的裂片步骤，利用裂片棒对所述gpp芯片进行裂片，所述裂片棒对所述gpp芯片的裂片压力为5n～10n，所述裂片棒在所述gpp芯片上的裂片速度是80～200mm/s。
进一步地，所述预处理步骤中，还包括清洗步骤，所述清洗包括：
将去除氧化层后的所述gpp芯片在水槽中进行超声溢流清洗；
将所述gpp芯片用氢氟酸溶液对表面进行清洗，所述氢氟酸溶液的浓度为2％-10％，浸泡10-30min；
用纯水进行清洗。
本发明具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，gpp芯片镀金的过程中，电极面采用一次镀镍、烧结、二次镀镍以及镀金的工艺，二次镀镍可以有效地增加镍层与硅层的结合力，镀金有效的防止镍层氧化，镀镍金可以使gpp芯片与焊膏结合力更强，更有利于后道焊接，可靠性强，gpp芯片的使用寿命长。
具体实施方式
本实例一种gpp芯片镀金方法，包括以下步骤：预处理、一次镀镍、镍烧结、二次镀镍和镀金，具体地，
在预处理的工艺过程中，将装在花篮中的芯片浸泡到清洗槽中，在清洗槽中对芯片进行超声溢流清洗10-30min，去除芯片表面的污垢，然后采用清洗液为浓度为2％-10％的氢氟酸溶液进行清洗，去除芯片表面的轻微氧化层，优选地，氢氟酸溶液的浓度为5％，使芯片表面的硅原子更好地活化，然后用纯水进行清洗，去除芯片表面残留的清洗液，即氢氟酸溶液，防止芯片残留的清洗液带入到后一道工序中，污染下一步的药液。
在一次镀镍的工艺过程中，在ph值为7-10的碱性环境下进行一次镀镍工艺，优选地，在实际的工艺过程中控制碱性环境的ph在8-9，调节温度到60-100℃，将芯片浸泡于镀镍液中进行一次镀镍，镀镍液的主要成分为含有镍离子的溶液，可以根据实际生产需要选用镍离子的溶液，镍离子溶液可以是氯化镍或者硝酸镍。还可以加入还原剂，还原剂可以根据实际生产需要选取，本实例选用硝酸镍作为镀镍液，在芯片表面镀一次镍。。
在镍烧结的工艺过程中，将芯片立式摆放到石英舟上，其中，芯片与芯片之间间隔0.5-2mm，将石英舟逐步分段推至恒温区，烧结时间30～60min，到达工艺时间后，逐步分段出炉，在温度为500-650℃的温度下对芯片进行烧结，使镍原子向硅内部扩散，镍层与硅层相互结合。
在镍烧结之后需要进行硝酸清洗，去除表面被高温氧化部分，具体地，采用浓度为97％以上的硝酸对芯片进行清洗，反应原理为：
nio+4hno3＝ni(ho3)3+no2↑+2h2o。
然后用纯水清洗，防止芯片残留的硝酸带入到后一道工序中，污染下一步的药液，清洗之后需要再次对芯片表面进行活化，确保镀镍的均匀性，用主要成分是氯化金的活化液浸泡芯片30～90s，使芯片表面原子活化，确保镀镍均匀；最后采用纯水清洗，防止芯片残留的活化液带入到后一道工序中，污染下一步的药液。
在二次镀镍的工艺过程中，在ph值为7-10的碱性环境下进行二次镀镍，优选地，在实际的工艺过程中控制碱性环境的ph在8-9，调节二次镀镍的温度到60-100℃，将芯片浸泡于镀镍液中进行二次镀镍，镀镍液的主要成分为含有镍离子的溶液，可以根据实际生产需要选用镍离子的溶液，镍离子溶液可以是氯化镍或者硝酸镍。还原剂可以根据实际生产需要选取，本实例选用硝酸镍作为镀镍液,在芯片表面镀二次镍，二次镀镍可以有效地增加镍层与硅层的结合力，镀银有效的防止镍层氧化，镀镍银可以使芯片与焊膏结合力更强。
在芯片表面镀二次镍之后需要用盐酸清洗，具体地操作步骤为：用盐酸浸泡芯片1～3min，清洗中和芯片表面碱性残留；之后用纯水清洗，纯水清洗的目的是清除多余的盐酸残留，防止芯片上残留的盐酸带入到后一道工序中，污染下一步的药液。
化学镀金的具体步骤为：在酸性条件下，温度调节到60-100℃，将盛满芯片的花篮浸泡于镀金液中，对芯片进行镀金，摇动花篮使其反应均匀，镀金液为含有金离子的溶液，本实例根据实际生产需要选用亚金氰化钾溶液作为镀金液。然后纯水清洗，防止芯片上残留的镀金液带入到后一道工序中。gpp芯片烘干之后进入测试划片分选工序，gpp芯片镀金的过程中，芯片电极面采用一次镀镍、烧结、二次镀镍以及镀金的工艺，二次镀镍可以有效地增加镍层与硅层的结合力，镀金有效的防止镍层氧化，镀镍金可以使芯片与焊膏结合力更强，更有利于后道焊接，可靠性强，gpp芯片的使用寿命长
gpp芯片镀金的方法还包括包括测试、划片和裂片，其中：
测试是利用测试装置测试芯片的电学特性；测试过程中的具体步骤为：
根据gpp芯片的尺寸，设定电压值测试条件，具体地，根据随工单上注明gpp芯片尺寸和电压值设定相应的测试条件；
利用测试装置，根据设定的测试条件测试gpp芯片的电学特性；测试装置为测试针板，测试针板包括测试针和固定测试针的底板，利用测试针板测试芯片的电学特性，大幅提高测试效率，减少人工成本。
具体的工艺步骤包括：
根据设定测试条件，更换相对应的测试针板，具体地，将测试针按照芯片上印刷的图形排列成对应形状并固定在底板上；测试时将测试针通电，测试芯片的电学特性，优选地，测试时将测试针依次通电，来测试gpp芯片的电学特性；
测试的工作过程为：将盛装芯片的花篮上载到测试机的上料位置，gpp芯片沿皮带从花篮传送到测试区域，用机械手放到测试圆盘上；测试机利用ccd自动将gpp芯片对准，并记录产品批次信息，其中，图像识别自动分选结合皮带自动化传递，提高工作效率；针板下降接触gpp芯片，利用脉冲信号依次使测试针通电，对芯片进行电性测试，记录电性数据并保存；针板移开，根据测试结果由墨水针将不良芯片打上墨点，当芯片尺寸＜70mil，墨水针的直径为15mil，当芯片尺寸≥70mil，墨水针的直径为25mil，标记不良芯片，之后利用传送带传送到划片工序。
划片是从p面自动将芯片对准，利用皮秒激光器或飞秒激光器从n面进行划片，划片过程具体的工艺步骤包括：
芯片沿皮带传到划片区域，用机械手放到划片底座上，载片台可在x，y方向及θ角度进行调整，根据生产需要调整载片台的x，y方向以及θ角度，利用划片机上的图像传感器从p面将芯片对准，并记录产品信息，图像传感器采用ccd；根据所述产品信息，读取预存的划片参数，利用所述皮秒激光器或飞秒激光器从n面进行划片，划片方向采用p面划片，省去了n面做划片工序，节约成本，自动裂片效率更高，便于调节力度，崩边连芯比例更少，其中，飞秒激光器或皮秒激光器对芯片的切割速度≤450mm/s，飞秒激光器或皮秒激光器对芯片的切割宽度25μm～45μm，飞秒激光器或皮秒激光器对芯片的切割深度为芯片厚度的25％～50％。飞秒激光器或皮秒激光器的激光头功率：15w～25w，激光头发射频率60khz～80khz，划片完成后通过传输装置皮带，将芯片传送到下一工序。
裂片是利用裂片棒自动对芯片进行裂片，其中，所述裂片棒对芯片的裂片压力为5n～10n，裂片棒在芯片上的裂片速度是80～200mm/s。具体的步骤为：芯片沿皮带传到裂片区域的橡胶垫上；裂片棒沿x方向从左到右滚动一遍，沿x方向进行裂片，之后，橡胶垫旋转90°，裂片棒沿y方向从左到右滚动一遍，裂片棒沿y方向进行裂片；在实际的生产过程中，裂片压力过大导致芯片碎芯，压力过小无法全部裂开，裂片速度过快容易使芯粒发生位移，速度过慢无法满足产能需求，需要根据实际生产需要设定具体的裂片压力和裂片速度，裂片完成后通过皮带传送到下一工序。
裂片之后的gpp镀金芯片采用自动分选，自动将不良芯片去除，分选的具体步骤包括：镀金芯片沿皮带传送到分选区域，利用图像传感器从p面自动将芯片对准，其中，图像传感器为ccd，利用与芯片图形相匹配的工装压住芯片，将外圈边角余料去除，随后工装移开；利用ccd识别及机械手控制的真空吸嘴相配合，将外观不符合预存模板的芯片及墨点芯片摘除；将良品芯片传送到收纳盒里
本发明的有益效果是：gpp芯片镀金镀镍镀金的过程中，芯片电极面采用一次镀镍、烧结、二次镀镍以及镀金的工艺，更有利于后道焊接，可靠性强，gpp芯片的使用寿命长，电性性能测试，将芯片裂成需要的尺寸，剔除电性不良品的过程中人员干涉少，自动化程度高，避免人力资源的浪费，具有加工成本低、生产效率高等优点。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。