一种双芯片横向串联型的二极管封装结构和制造方法与流程

本发明涉及一种半导体器件技术领域，具体是一种双芯片横向串联型高耐压表面贴装的二极管封装结构和制造方法。

背景技术：

随着电子应用技术的不断发展，电子电路的集成度越来越高，集成电路板上的空间越来越有限，二极管所需承受的反向工作电压越来越高。但二极管内部pn结所能承受的电压有限，因此需要采用两只或以上二极管串联分压的模式来实现。在此基础上，若将两个或以上二极管通过内串联的方式集成到一个产品里，则可以有效的减少空间。

目前市场销售的大部分二极管为单芯片二极管，此类二极管为单芯片二极管，体积小，结构简单，但所能达到的电压值较小。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种双芯片横向串联型的二极管封装结构和制造方法。

本发明采用的技术方案是：

一种双芯片横向串联型的二极管封装结构，其特征在于：包括内引线、由外引线a、外引线b以及两个凸台组成的引线框架，所述外引线a、外引线b分别与载片台连为一体，所述两个载片台上均设有凸台，所述内引线底面设有两个凸台，所述两个载片台上的两个凸台与内引线底面的两个凸台之间设置第一芯片与第二芯片。

所述第一芯片的阳极面与内引线底面左侧的凸台焊接在一起，其阴极面与外引线a的载片台顶面的凸台焊接在一起。

所述第二芯片的阴极面与内引线底面右侧的凸台焊接在一起，其阳极面与外引线b的载片台顶面的凸台焊接在一起。

所述第一芯片和第二芯片是两个具有相同功能和尺寸的tvs、半导体放电管或普通整流二极管芯片。

一种双芯片横向串联型的二极管封装结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

a、将引线框架置于烧结模具上；

b、用对应的点胶头分别在外引线a、外引线b的载片台上涂覆适量的锡膏；

c、按阴极面朝下的方向将第一芯片贴装于外引线a的载片台上，按阳极面朝下的方向将第二芯片贴装于外引线b的载片台上；

d、用对应的点胶头分别在两个芯片上涂覆适量的锡膏；

e、在芯片上盖上内引线，内引线的两个凸台的中心分别与两个芯片的中心位置对齐；

f、将装配好的产品放入真空烧结炉或隧道炉内进行烧结；

g、烧结完成后，对产品进行包封、后固化、去塑料毛刺、切筋、镀锡、测试、印字、编带、检验、入成品库。

本发明的优点：用两个相同额定电压值的tvs等二极体芯片，采用串联方式的封装结构和制造方法，提高了二极管的电压值以及tvs等器件的功率；内引线为底面设有两个共面凸台的电极片分别与两芯片的阴极和阳极焊接，芯片厚度变化无需修改内引线；结构为双芯片横向串联，相同封装体厚度可容芯片的厚度尺寸大；本发明为双芯片横向串联二极管，作为整流器件若其中一个芯片被击穿，另一个芯片仍可继续工作。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细叙述。

图1为本发明的结构示意图；

图2为本发明引线框架的立体结构图；

图3为本发内引线的结构图；

图4为本发明内引线的立体图；

图5为本发明芯片的结构图。

其中：1、外引线a；2、外引线b；3、第一芯片；4、第二芯片；5、内引线；6凸台、；7、载片台；8、引线框架。

具体实施方式

如图1-5所示，一种双芯片横向串联型的二极管封装结构，包括内引线5、由外引线a1、外引线b2以及两个凸台6组成的引线框架8，外引线a1、外引线b2分别与载片台7连为一体，两个载片台7上均设有凸台6，内引线5底面设有两个凸台6，两个载片台7上的两个凸台6与内引线5底面的两个凸台6之间设置第一芯片3与第二芯片4。

第一芯片3的阳极面与内引线5底面左侧的凸台6焊接在一起，其阴极面与外引线a1的载片台7顶面的凸台6焊接在一起。

第二芯片4的阴极面与内引线5底面右侧的凸台6焊接在一起，其阳极面与外引线b2的载片台7顶面的凸台6焊接在一起。

第一芯片3和第二芯片4是两个具有相同功能和尺寸的tvs、半导体放电管或普通整流二极管芯片。

一种双芯片横向串联型的二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：

a、将引线框架8置于烧结模具上；

b、用对应的点胶头分别在外引线a1、外引线b2的载片台7上涂覆适量的锡膏；

c、按阴极面朝下的方向将第一芯片3贴装于外引线1a的载片台7上，按阳极面朝下的方向将第二芯片4贴装于外引线b2的载片台7上；

d、用对应的点胶头分别在两个芯片上涂覆适量的锡膏；

e、在芯片上盖上内引线5，内引线5的两个凸台的中心分别与两个芯片的中心位置对齐；

f、将装配好的产品放入真空烧结炉或隧道炉内进行烧结；

g、烧结完成后，对产品进行包封、后固化、去塑料毛刺、切筋、镀锡、测试、印字、编带、检验、入成品库。

本发明用两个相同额定电压值的tvs等二极体芯片，采用串联方式的封装结构和制造方法，提高了二极管的电压值以及tvs等器件的功率；内引线为底面设有两个共面凸台的电极片分别与两芯片的阴极和阳极焊接，芯片厚度变化无需修改内引线；结构为双芯片横向串联，相同封装体厚度可容芯片的厚度尺寸大；本发明为双芯片横向串联二极管，作为整流器件若其中一个芯片被击穿，另一个芯片仍可继续工作。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种双芯片横向串联型的二极管封装结构和制造方法，包括内引线、由外引线A、外引线B以及两个凸台组成的引线框架，外引线A、外引线B分别与载片台连为一体，两个载片台上均设有凸台，内引线底面设有两个凸台，两个载片台上的两个凸台与内引线底面的两个凸台之间设置第一芯片与第二芯片，制造方法包括：引线框架置于烧结模具上，将第一、第二芯片贴装于外引线的载片台上，芯片上盖上内引线，将装配好的产品进行烧结，本发明提高了二极管的电压值及TVS等器件的功率，芯片厚度变化无需修改内引线，可容芯片的厚度尺寸大，本发明为双芯片横向串联二极管，作为整流器件若其中一个芯片被击穿，另一个芯片仍可继续工作。

技术研发人员：李成军;王成森;薛治祥;姚霜霜;张松;倪亮亮
受保护的技术使用者：捷捷半导体有限公司
技术研发日：2017.08.07
技术公布日：2017.11.03