技术特征：
技术总结
可调谐激光器及其制备方法，可调谐激光器包括位于同一衬底上、等高且依次贴合的增益区、相位区和光栅区，其中：增益区，自下而上依次包括：下波导层、有源层及上波导层，有源层为多量子阱结构，该多量子阱结构包括交替叠置的阱层和垒层，阱层和垒层的主体材料均为InGaAlAs四元化合物；下波导层、有源区及上波导层的靠近相位区的侧面腐蚀形成为斜面；相位区和光栅区，均包括无源层，光栅区的无源层形成有光栅结构；相位区靠近所述斜面的侧面与斜面相吻合，以使增益区和相位区相贴合。增益区的侧壁腐蚀形成有斜面，能够有效防止相位区和光栅区在对接生长无源层材料时在对接界面形成的材料堆积，从而减小光的损耗和界面处的光反射。
技术研发人员：周代兵;赵玲娟;梁松;王圩
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2017.09.05
技术公布日：2017.12.22