技术特征：
技术总结
本发明公开了一种NEA‑GaAs纳米锥阵列光电阴极及制备方法，所述GaAs纳米锥阵列光电阴极包括衬底层以及位于衬底层表面的纳米锥阵列发射层，所述衬底为Si或者SiC等绝缘薄膜，纳米锥阵列发射层由若干p型GaAs纳米锥组成，并对生长的纳米锥阵列进行Cs/O激活。本发明提出的纳米锥阵列的有效折射率是渐变的，有效地减小了由于空气/GaAs电池界面折射率的不连续引起的光反射，在提高GaAs光电阴极量子效率的同时，降低了入射光角度对于吸收率的影响。
技术研发人员：刘磊;冯澍;刁煜;夏斯浩;陆菲菲
受保护的技术使用者：南京理工大学
技术研发日：2017.10.19
技术公布日：2018.03.20