本公开内容涉及超高密度透明平板显示器。特别地，本公开内容涉及具有超高密度的透明有机发光二极管显示器。
背景技术：
现今，开发了各种平板显示器(或“FPD”)以克服较重且体积庞大的阴极射线管(或“CRT”)的诸多缺点。平板显示装置包括液晶显示装置(或“LCD”)、场发射显示器(“FED”)、等离子显示板(或“PDP”)、电致发光装置(或“EL”)等等。
作为自发光显示装置，电致发光装置具有以下优点：响应速度非常快，亮度非常高，且视角大。电致发光装置可以被分类为无机发光二极管显示器和有机发光二极管显示器(或“OLED”)。由于具有良好的能量效率、较低的泄露电流和通过电流控制来表示颜色和亮度的容易性，所以更需要使用有机发光二极管的OLED。
图1是示出有机发光二极管的结构的图。如图1所示，有机发光二极管包括有机发光材料层以及彼此面对的阴极和阳极，其中，有机发光材料层介于阴极和阳极之间。有机发光材料层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。有机发光二极管由于来自在激发态下形成的激子的能量而发射光，其中，在激发态下空穴和电子在发射层EML重新组合。
有机发光二极管由于来自在激发态下形成的激子的能量而发射光，其中，在激发态下来自阳极的空穴和来自阴极的电子在发射层EML重新组合。有机发光二极管显示器可以通过控制从图1所示的有机发光二极管的发射层ELM生成并且发射的光的量(或“亮度”)来表示视频。
具有良好的能量效率的使用有机发光二极管的OLED可以被分类为无源矩阵有机发光二极管显示器(或PMOLED)和有源矩阵有机发光二极管显示器(或AMOLED)。
有源矩阵有机发光二极管显示器(或AMOLED)通过使用薄膜晶体管(或TFT)控制施加至有机发光二极管的电流来显示视频数据。在下文中，参照图2和图3，将关于根据相关技术的有机发光二极管显示器进行说明。
图2是示出有源矩阵有机发光二极管显示器(或AMOLED)中的一个像素的结构的示例性电路图。图3是示出根据相关技术的AMOLED的结构的平面图。图4是用于示出根据相关技术的底部发射型AMOLED的结构的沿切割线I-I’的截面图。
参照图2和图3，有源矩阵有机发光二极管显示器包括开关薄膜晶体管ST、连接至开关薄膜晶体管ST的驱动薄膜晶体管DT以及连接至驱动薄膜晶体管DT的有机发光二极管OLE。通过将扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD沉积在基底上，限定了像素区域。由于有机发光二极管沉积在像素区域内，所以其限定了发射区域。
开关薄膜晶体管ST被形成，在其形成的地方扫描线SL和数据线DL交叉。开关薄膜晶体管ST起作用以选择连接至开关薄膜晶体管ST的像素。开关薄膜晶体管ST包括从栅极线GL分支的栅电极SG、与栅电极SG交叠的半导体通道层SA、源电极SS和漏电极SD。驱动薄膜晶体管DT起作用以驱动布置在由开关薄膜晶体管ST选择的像素处的有机发光二极管OLE的阳极电极ANO。
驱动薄膜晶体管DT包括连接至开关薄膜晶体管ST的漏电极SD的栅电极DG、半导体通道层DA、连接至驱动电流线VDD的源电极DS、以及漏电极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD连接至有机发光二极管OLE的阳极电极ANO。在阳极电极ANO与阴极电极CAT之间，布置有机发光层OL。基础(或低)电压线VSS连接至阴极电极CAT。在驱动薄膜晶体管DT的栅电极DG与驱动电流线VDD之间，或者在驱动薄膜晶体管DT的栅电极DG与驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD之间，形成存储电容Cst。
参照图4，将关于底部发射型有机发光二极管显示器进行说明。在有源矩阵有机发光二极管显示器的基底SUB上，分别形成开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的栅电极SG和DG。在栅电极SG和DG上，沉积了栅极绝缘层GI。在与栅电极SG和DG交叠的栅绝缘层GI上，分别形成了半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上，形成了彼此面对且分离的源电极SS和DS以及漏电极SD和DD。开关薄膜晶体管ST的漏电极SD经由穿透栅极绝缘层GI的栅极触孔GH连接至驱动薄膜晶体管DT的栅电极DG。钝化层PAS沉积在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基底SUB上。
具有这些薄膜晶体管ST和DT的基底SUB的上表面并未处于平坦和/或光滑状况下，而是处于具有许多台阶的不平坦和/或粗糙状况下。为了得到最佳的发光效率，会将有机发光层OL沉积在平坦表面或平面表面上。因此，为使上表面处于平面和平坦状况下，将上涂层OC沉积在基底SUB的整个表面上。
然后，在上涂层OC上，形成有机发光二极管OLE的阳极电极ANO。在此，阳极电极ANO通过穿透上涂层OC和钝化层PAS的像素触孔PH连接至驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD。
在具有阳极电极ANO的基底SUB上，在具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT和各种线DL、SL和VDD的区域上形成堤部BN，以限定发光区域。阳极电极ANO的通过堤部BN的露出部分将是发光区域。有机发光层OL沉积在通过堤部BN露出的阳极电极ANO上。在有机发光层OL上，沉积了阴极电极CAT。
间隔物可以沉积在具有阴极电极CAT的基底SUB上。优选的是，间隔物沉积在堤部BN——非发射区域——上。利用间隔物，封装(en-cap)板接合在下部基底SUB上。为了附接封装板和下部基底SUB，将在其间沉积粘合层或粘合材料(未示出)。
对于底部发射型有机发光二极管显示器，来自有机发光层OL的光将被发射至下部基底SUB。因此，优选的是，将滤色器CF沉积在上涂层OC与钝化层PAS之间，并且阳极电极ANO包括透明导电材料。此外，阴极电极CAT优选地包括具有高反射特性的金属材料以将光从有机发光层OL反射至底侧。另外，有机发光层OL和阴极电极CAT将被沉积为以覆盖基底的整个表面。
阴极电极CAT被供应有有机发光二极管OLE的参考电压。为了确保有机发光二极管OLE的稳定操作，参考电压应当保持为稳定电压，而没有摇动。为了如此，优选的是，阴极电极CAT具有低电阻金属材料并且沉积在基底SUB的整个表面上。
当根据相关技术的有机发光二极管显示器使用了较长时间时，视频质量可能由于像素的电特性的变化而退化。检测电特性的变化需要用于恢复这些缺陷的补偿元件。
在这些补偿元件或电路安装在像素区域中的情况下，其可能引起开口率的降低，其中，开口率是发射区域与像素区域的比率。对于包括UHD或4K的超高分辨率显示器，像素区域包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和补偿薄膜晶体管，使得开口率显著减小。需要确保高开口率的具有超高密度分辨率的有机发光二极管显示器的新的结构。
另外，有机发光二极管显示器将应用于具有独特功能的特定显示器，例如利用显示器的背景视图来表示显示图像和/或信息的透明显示器。然而，与通用有机发光二极管显示器相比，专用显示器应当具有更多独特特征以实现他们特定的目的。例如，更加需要具有超高密度的透明有机发光二极管显示器。
技术实现要素：
为了克服上述缺点，本公开内容的目的是提供超高密度透明有机发光二极管显示器。本公开内容的另一目的是提供具有高开口率的超高密度透明有机发光二极管显示器。本公开内容的再一目的是提出虽然线之间的间隙较接近但是通过使线之间的影响最小化来提供较好视频质量的透明有机发光二极管显示器。
为了实现以上目的，本公开内容提供了一种透明平板显示器，包括：在基底上沿垂直方向走线的驱动电流线、数据线和感测线；在基底上沿水平方向走线的扫描线和水平感测线；发射区域，其布置在驱动电流线与数据线之间；以及透明区域，其布置在数据线与感测线之间。
在一个实施方式中，数据线包括第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线，第一发射区域和第二发射区域布置在第一数据线与第二数据线之间，以及第三发射区域和第四发射区域布置在第三数据线与第四数据线之间。
在一个实施方式中，透明显示器还包括：基础(base)电压线，其布置在数据线与透明区域之间。
在一个实施方式中，低电压线包括不透明的金属材料并且连接至阴极电极。
在一个实施方式中，数据线布置在驱动电流线的一侧，并且感测线布置在驱动电流线的另一侧。
在一个实施方式中，扫描线包括被布置为彼此接近的第一扫描线和第二扫描线，以及水平感测线从感测线分支并且布置在第一扫描线与第二扫描线之间。
在一个实施方式中，第一发射区域布置在通过第一数据线、第二数据线和第一扫描线限定的第一像素区域处，第二发射区域布置在通过第一数据线、第二数据线和第二扫描线限定的第二像素区域处，第三发射区域布置在通过第三数据线、第四数据线和第一扫描线限定的第三像素区域处，以及第四发射区域布置在通过第三数据线、第四数据线和第二扫描线限定的第四像素区域处。
在一个实施方式中，发射区域包括：开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、感测薄膜晶体管、存储电容以及有机发光二极管。
在一个实施方式中，开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、感测薄膜晶体管和存储电容布置在有机发光二极管之下。
在一个实施方式中，有机发光二极管包括：阳极电极，其连接至驱动薄膜晶体管并且包括不透明的反射金属材料；有机发光层，其布置在阳极电极上；以及阴极电极，其包括透明导电材料并且布置在有机发光层上。
根据本公开内容的有机发光二极管显示器包括补偿薄膜晶体管，其用于通过检测像素的退化来控制驱动薄膜晶体管和/或有机发光二极管的状况。在引起像素退化的刚性条件下，视频质量可以保持在较好状况下。根据本公开内容的透明有机发光二极管显示器涉及顶部发射型有机发光二极管显示器，在该顶部发射型有机发光二极管显示器中发射区域被限定为占据像素区域的所有区域中的大部分。透明区域被布置为与像素区域分离。因此，针对超高密度，可以使发射区域最大化，使得可以获取高开口率。另外，因为线之间的间隙随着像素密度变高而更接近，所以可以将感测线布置为与数据线远离。作为结果，感测信号不受频繁变化的数据电压影响，然后可以确保较好的视频质量。
附图说明
被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入并且构成本说明书的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式，并且与以下描述一起用于说明本公开内容的原理。
在附图中：
图1是示出根据相关技术的有机发光二极管的结构的图。
图2是示出根据相关技术的有源矩阵有机发光二极管显示器(或AMOLED)中的一个像素的结构的示例性电路图。
图3是示出根据相关技术的AMOLED中的一个像素的结构的平面图。
图4是用于说明根据相关技术的底部发射型AMOLED的结构的沿着切割线I-I’的截面图。
图5是示出根据本公开内容的具有补偿元件的有机发光二极管显示器中的一个像素的结构的等效电路图。
图6是示出根据本公开内容的第一实施方式的具有补偿元件的透明有机发光二极管显示器的结构的平面图。
图7是示出根据本公开内容的第二实施方式的透明有机发光二极管显示器的结构的平面图。
具体实施方式
参照附图，将说明本公开内容的优选实施方式。贯穿实施方式，相同的附图标记表示相同的元件。然而，本公开内容不受这些实施方式的限制，而是可以在不改变技术精神的情况下应用至各种改变或修改。在以下实施方式中，通过考虑说明的容易度来选择元件的名称，使得它们可能与实际名称不同。
在下文中，参照图5，将关于本公开内容进行说明。图5是示出根据本公开内容的具有补偿元件的有机发光二极管显示器中的一个像素的结构的等效电路图。
参照图5，有机发光二极管显示器的一个像素包括：开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、存储电容Cst、补偿元件以及有机发光二极管OLE。补偿元件可以以各种方法进行配置。此处，关于补偿元件包括感测薄膜晶体管ET和感测线REF的情况进行说明。
响应于从扫描线SL供应的扫描信号，开关薄膜晶体管ST用作用于将来自数据线DL的数据信号存储至存储电容Cst作为数据电压的开关操作。根据存储电容Cst中的数据电压，驱动薄膜晶体管DT用于在驱动电流线VDD(供应可变高电平电压)与基础电压线VSS(供应恒定低电平电压)之间供应驱动电流。有机发光二极管OLE根据由驱动薄膜晶体管DT形成的驱动电流来生成光。
感测薄膜晶体管ET是布置在像素区域内的用于补偿驱动薄膜晶体管DT的阈值电压的附加元件。感测薄膜晶体管ET连接在驱动薄膜晶体管DT的漏电极与有机发光二极管OLE的阳极电极(或感测节点)之间。感测薄膜晶体管ET用于将来自感测线REF的初始电压(或感测电压)供应至感测节点或者用于检测(或感测)感测节点处的电压或电流。
开关薄膜晶体管ST包括连接至数据线DL的源电极和连接至驱动薄膜晶体管DT的栅电极的漏电极。驱动薄膜晶体管DT包括连接至驱动电流线VDD的源电极和连接至有机发光二极管OLE的阳极电极的漏电极。存储电容Cst包括连接至驱动薄膜晶体管DT的栅电极的第一电极和连接至有机发光二极管OLE的阳极电极的第二电极。
有机发光二极管OLE包括连接至驱动薄膜晶体管DT的漏电极的阳极电极和连接至基础(或低)电压线VSS的阴极电极。感测晶体管ET包括连接至感测线REF的源电极和连接至感测节点(有机发光二极管OLE的阳极电极)的漏电极。
根据补偿算法，感测薄膜晶体管ET的操作时序可以与开关薄膜晶体管ST的操作时序有关。例如，如图5所示，开关薄膜晶体管ST和感测薄膜晶体管ET的栅电极可以共同连接至扫描线SL。此外，开关薄膜晶体管ST的栅电极连接至一条扫描线SL，并且感测薄膜晶体管ET的栅电极连接至其他扫描线(未示出)。
根据感测结果，可以补偿数字型数据信号、模拟型数据信号或者伽马(gamma)信号。用于基于感测结果生成补偿信号(或补偿电压)的补偿元件可以被配置为外部电路或者嵌入到数据驱动器或时序控制器的内部电路。
图5示出了具有包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、感测薄膜晶体管ET、存储电容Cst以及有机发光二极管OLE的3T1C式结构(三个薄膜晶体管和一个电容)的像素。此外，像素可以包括附加补偿元件，例如3T2C、4T2C、5T1C、6T2C等。
在下文中，将关于根据本公开内容的配置有如图5所示的电路图的透明有机发光二极管显示器的结构特征进行说明。根据像素的实际结构，开口率可能不同。作为分辨率的程度，开口率对于确定显示器的质量非常重要。随着显示器的分辨率的提高，单位像素区域变得更小。薄膜晶体管的尺寸和线的宽度不能做的无限小。像素区域越小，像素区域中的发射区域的比率越小。
此外，当补偿元件被包括在像素区域中时，开口率即发射区域与像素区域的比率小得多。另外，随着像素的数量的增加，缺陷像素的可能性也增加。缺陷像素是视频质量退化的主要原因。因此，优选地，使缺陷像素变暗，使得正常像素不受缺陷像素的影响。为了使缺陷像素变暗，优选地，切断薄膜晶体管与有机发光二极管之间的连接部分。在下文中，将关于根据本公开内容的有机发光二极管显示器的各种结构进行说明。
<第一实施方式>
参照图6，将关于本公开内容的第一实施方式进行说明。图6是示出根据本公开内容的第一实施方式的具有补偿元件的透明有机发光二极管显示器的结构的平面图。
根据本公开内容的第一实施方式的透明有机发光二极管显示器包括基底SUB上的感测线REF、数据线DL、驱动电流线VDD、水平感测线REFh、水平电流线VDDh以及扫描线SL。这些线限定像素区域。详细地，单位像素区域被限定为由两条邻近的水平感测线REFh、一条数据线DL以及一条驱动电流线VDD围绕的区域。这些线可以由不透明的金属材料制成。
透明有机发光二极管显示器包括透明(或透射)区域TRA和发射区域LEA。透明区域TRA是通过其透射地提供在显示器后面的背景视图的区域。例如，透明区域TRA是越过显示器像玻璃一样将背景视图透明地透射至位于显示器前方的观察者的区域。发射区域LEA是用于表示从显示器提供的图像信息或数据的区域。针对透明有机发光二极管显示器，发射区域包括有机发光二极管。
扫描线SL、水平感测线REFh以及水平电流线VDDh在基底SUB上沿水平方向走线。数据线DL、驱动电流线VDD以及感测线REF在基底SUB上沿垂直方向走线。水平感测线REFh经由感测触孔RH连接至感测线REF。水平电流线VDDh经由电流触孔VH连接至驱动电流线VDD。
在两个邻近的水平感测线REFh之间，布置有水平电流线VDDh和扫描线SL。上水平感测线REFh与水平电流线VDDh之间的区域被限定为具有透明区域TRA和发射区域LEA的图像区域。水平电流线VDDh与下水平感测线REFh之间的区域被限定为非发射区域。在发射区域LEA中，布置有机发光二极管OLE。在非发射区域中，布置有薄膜晶体管ST、DT和ET以及存储电容Cst。
开关薄膜晶体管ST包括：连接至数据线DL的开关源电极SS；在扫描线SL的一部分处限定的开关栅电极SG；开关半导体层SA；以及开关漏电极SD。通道区域被限定在开关半导体层SA与开关栅电极SG的交叠区域处。由于开关半导体层SA被布置为从下侧跨过扫描线SL至上侧，所以形成开关薄膜晶体管ST。
感测薄膜晶体管ET包括：连接至水平感测线REFh的感测源电极ES；在扫描线SL的一部分处限定的感测栅电极EG；感测半导体层EA；以及感测漏电极ED。通道区域限定在感测半导体层EA与感测栅电极EG的交叠区域处。由于感测半导体层EA被布置为从下侧跨过扫描线SL至上侧，所以形成感测薄膜晶体管ET。
驱动薄膜晶体管DT包括：在水平电流线VDDh的一部分处限定的驱动源电极DS；连接至开关漏电极SD的驱动栅电极DG；驱动半导体层DA；以及驱动漏电极DD。通道区域限定在驱动半导体层DA与驱动栅电极DG的交叠区域处。由于驱动半导体层DA被布置为从水平电流线VDDh跨过驱动栅电极DG至扫描线SL，所以形成驱动薄膜晶体管DT。驱动漏电极DD连接至驱动半导体层DA的一部分和感测半导体层EA的一部分。
存储电容Cst包括第一电极和第二电极。第一电极形成为开关栅电极SG的一些扩展部分。第二电极形成为驱动栅电极DG上的驱动半导体层DA的至扫描线SL的一些扩展部分。驱动薄膜晶体管DT和存储电容Cst布置在水平电流线VDDh与扫描线SL之间。驱动元件布置在水平电流线VDDh与水平感测线REFh之间。该区域被限定为非发射区域。
有机发光二极管OLE的阳极电极ANO通过像素触孔PH连接至驱动漏电极DG。阳极电极ANO被布置为覆盖图像区域中的发射区域LEA但不覆盖透明区域TRA。堤部BA的开口区域被限定为在发射区域LEA内露出阳极电极ANO的最大区域。
为了确保最大区域，阳极电极ANO占据发射区域LEA的大部分区域并且一些部分扩展至非发射区域。具体地，优选地，阳极电极ANO扩展至驱动漏极电极DG。此外，阳极电极ANO可以与存储电容Cst交叠。当难以利用驱动半导体层DA形成存储电容Cst的第二电极时，可以通过使阳极电极ANO扩展为与第一电极交叠来形成存储电容Cst的第二电极。
阳极电极ANO的大部分通过堤部BN露出。有机发光二极管OLE通过在堤部BN上堆叠有机发光层和阴极电极而形成。优选地，有机发光二极管OLE被形成为在像素区域内具有最大发射区域。另外，在透明区域TRA处，优选地，不布置有机发光层OL和阴极电极CAT。然而，当阴极电极由透明导电材料制成时，阴极电极CAT可以布置在透明区域TRA处。
具有感测薄膜晶体管ET的透明有机发光二极管显示器具有非常复杂的结构。因此，像素区域内的图像区域的比率非常低。图像区域被划分成透明区域TRA和发射区域LEA两个区域。因此，用于表示视频图像的开口率低得多。期望具有超高开口率的透明有机发光二极管显示器的新结构。
此外，图6所示的有机发光二极管显示器具有用于补偿元件的感测线REF。具体地，感测线REF被布置为靠近数据线DL。数据线DL用于提供根据视频图像频繁改变或变化的数据电压。因此，感测线REF可能容易受到这些频繁变化的电压影响。期望感测线REF与数据线DL电隔离或绝缘的结构。
为了实现超高密度显示，像素区域的尺寸变得更小，线路之间的间隙变得更窄。因此，针对超高密度透明有机发光二极管显示器，更期望用于将感测线REF与数据线DL电隔离或绝缘的结构。
<第二实施方式>
在下文中，参照图7，将关于第二实施方式进行说明。图7是示出根据本公开内容的第二实施方式的透明有机发光二极管显示器的结构的平面图。第二实施方式提供了以下结构：在该结构中，感测线与数据线之间的线间隙被最小化以实现超高密度透明有机发光二极管显示器。
参照图7，根据本公开内容的第二实施方式的透明有机发光二极管显示器包括在基底上沿垂直方向走线的驱动电流线VDD、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3、第四数据线DL4、基础(或低)电压线VSS以及感测线REF。透明有机发光二极管显示器还包括在基底上沿水平方向走线的第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和水平感测线REFh。这些线可以由不透明的金属材料制成。
第一数据线DL1至第四数据线DL4布置在驱动电流线VDD与基础(或低)电压线VSS之间。感测线REF布置在基础电压线VSS与下一驱动电流线VDD之间。
在驱动电流线VDD与基础电压线VSS之间，布置有发射区域LEA。在基础电压线VSS与感测线REF之间，布置有透明区域TRA。在另一情况下，基础电压线VSS并非布置在基底上。在该情况下，发射区域LEA可以布置在驱动电流线VDD与第四(最后的)数据线DL4之间。透明区域TRA可以布置在第四数据线DL4与感测线REF之间。
第一扫描线SL1和第二扫描线SL2与驱动电流线VDD、数据线DL1至DL4以及感测线REF交叉。第一扫描线SL1和第二扫描线SL2被布置为彼此接近。在第一扫描线SL1与第二扫描线SL2之间，布置有水平感测线REFh。
根据本公开内容的第二实施方式的透明有机发光二极管显示器包括具有四个子像素区域和两个透明区域的单位像素区域。单位像素区域布置在两个相邻的感测线REF之间。在两个相邻的感测线REF之间，布置有驱动电流线VDD、四个数据线DL1至DL4以及基础电压线VSS。
在第一数据线DL1与第二数据线DL2之间，布置有第一像素区域P1和第二像素区域P2。在第三数据线DL3与第四数据线DL4之间，布置有第三像素区域P3和第四像素区域P4。第一像素区域P1被限定为由第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一扫描线SL1和水平驱动线VDDh围绕。第二像素区域P2被限定为由第一数据线DL1、第二数据线DL2、第二扫描线SL2和水平驱动线VDDh围绕。第三像素区域P3被限定为由第三数据线DL3、第四数据线DL4、第一扫描线SL1和水平驱动线VDDh围绕。第四像素区域P4被限定为由第三数据线DL3、第四数据线DL4、第二扫描线SL2和水平驱动线VDDh围绕。
可以将红色子像素R分配在第一像素区域P1处，可以将绿色子像素G分配在第二像素区域P2处，可以将白色子像素W分配在第三像素区域P3处，以及可以将蓝色子像素B分配在第四像素区域P4处。在此，关于一个单位像素包括一个红色子像素R、一个白色子像素W、一个绿色子像素G和一个蓝色子像素B的情况进行说明。然而，不限于该方式，可以使用各种颜色的子像素布置。
在每个像素区域P1至P4处，布置有薄膜晶体管ST、DT和ET、存储电容STG和有机发光二极管OLE。根据第二实施方式的透明有机发光二极管显示器是顶部发射型，使得薄膜晶体管ST、DT和ET布置在有机发光二极管OLE之下。有机发光二极管OLE包括阳极电极ANO、有机发光层和阴极电极。阳极电极连接至驱动薄膜晶体管DT并且包括不透明反射金属材料。有机发光层沉积在阳极电极ANO上。阴极电极包括透明导电材料并且沉积在有机发光层上。为了确保发射区域LEA最大化，可以使一些线与有机发光二极管OLE交叠。
在此，主要关于第一像素区域P1进行说明。开关薄膜晶体管ST包括连接至第一数据线DL1的开关源电极SS、在第一扫描线SL1的一部分处限定的开关栅电极SG、开关半导体层SA和开关漏电极SD。开关半导体层SA与开关栅电极SG的交叠区域被限定为通道区域。因为开关半导体层SA被布置为从下侧跨过第一扫描线SL1至上侧，因此形成开关薄膜晶体管ST。
感测薄膜晶体管ET包括连接至水平感测线REFh的感测源电极ES、在第一扫描线SL1的另一部分处限定的感测栅电极EG、感测半导体层EA和感测漏电极ED。在感测半导体层EA与感测栅电极EG的交叠区域处限定通道区域。因为感测半导体层EA被布置为从下侧跨过第一扫描线SL1至上侧，因此形成感测薄膜晶体管ET。
驱动薄膜晶体管DT包括在从驱动电流线VDD分支的水平电流线VDDh的一部分处限定的驱动源电极DS、连接至开关漏电极SD的驱动栅电极DG、驱动半导体层DA和驱动漏电极DD。在驱动半导体层DA与驱动栅电极DG的交叠区域处限定通道区域。因为驱动半导体层DA被布置为从水平电流线VDDh跨过驱动栅电极DG至第一扫描线SL1，所以形成驱动薄膜晶体管DT。驱动漏电极DD连接至驱动半导体层DA的一部分和感测半导体层EA的一部分。
存储电容Cst包括第一电极和第二电极。第一电极被形成为开关栅电极SG的一些扩展部分。第二电极被形成为驱动栅电极DG的一些扩展部分。在第一扫描线SL1与水平电流线VDDh之间，布置有包括薄膜晶体管ST、DT和ET以及存储电容Cst的第一像素区域P1。
阳极电极ANO布置在第一像素区域P1处。虽然其在图中未示出，但是将平面层布置在具有薄膜晶体管ST、DT和ET以及存储电容Cst的基底的表面上，并且然后在平面层上形成阳极电极ANO。阳极电极ANO连接至驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD。阳极电极ANO可以具有覆盖第一像素区域P1的大部分的矩形形状。
在阳极电极ANO上，形成堤部BN以限定发射区域LEA。在堤部BN处形成的开口区域限定阳极电极ANO的发射区域LEA。在发射区域LEA上，沉积有机发光层。在有机发光层上，沉积阴极电极，以覆盖基底的整个表面。在发射区域LEA处，将有机发光二极管OLE形成为阳极电极ANO，并且顺序地堆叠有机发光层和阴极电极。
在根据第二实施方式的透明有机发光二极管显示器中，像素区域中的所有区域中的大部分会被限定为发射区域LEA。透明区域TRA被布置为与作为发射区域LEA的像素区域分离。具体地，如图7所述，将两个透明区域TRA布置为靠近四个像素区域P1至P4。
在图7中，感测线REF被布置为与数据线DL1至DL4分开。例如，基于驱动电流线VDD，将数据线DL1至DL4布置在驱动电流线VDD的一侧，并且将感测线REF布置在驱动电流线VDD的另一侧。与数据线DL1至DL4相比，感测线REF更接近于驱动电流线VDD。驱动电流线VDD供应总是具有恒定值的电压，使得感测线REF不受驱动电流线VDD的电压影响。此外，在感测线REF与数据线DL1至DL4之间，布置有透明区域TRA。因此，感测线REF不受数据线DL1至DL4影响。
根据本公开内容的第二实施方式的透明有机发光二极管显示器提供了以下结构：在该结构中，尽管线之间的间隙非常接近以实现超高密度结构，但是感测线REF被布置为与数据线DL1至DL4分开。作为结果，感测信号不受频繁变化的数据电压影响，然后可以确保较高的视频质量。
虽然已经参照附图详细描述了本公开内容的实施方式，但是本领域技术人员将理解的是本公开内容可以用其他特定形式来实现，并且不会改变本公开内容的技术精神或本质特征。因此，应当注意的是，前述实施方式在所有方面仅是说明性的，而不应解释为限制本公开内容。本公开内容的范围由所附权利要求而非由本公开内容的详细描述来限定。在权利要求的含义和范围内做出的所有改变或修改或它们的等价物应当被解释为落在本公开内容的范围内。
上述各个实施方式可以相组合以提供另外的实施方式。根据上面的详细描述可以对实施方式做出这些以及其他改变。通常，在所附权利要求中，使用的术语不应被解释为将权利要求限制于说明书和权利要求书中公开的特定实施方式，而是应被解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求有权享有的等价物的全部范围。因此，权利要求不受公开内容限制。