本发明的实施方式涉及在非显示状态下通过反射区用作反射镜的显示装置。
背景技术：
通常，诸如监视器、TV、膝上型计算机和数码相机这样的电器包括用于实现图像的显示装置。例如，显示装置可以包括液晶显示装置和有机发光显示装置。
显示装置可以包括显示特定颜色以实现图像的发射区。显示装置还可以包括在发射区之间的非发射区。显示装置可以在没有实现图像的非显示状态下用作反射镜。例如，显示装置的非发射区可以是其中在非显示状态下反射外部光的反射区。
然而，由于即使在实现图像的显示状态下，反射区也一直对外部光进行反射，因此显示装置具有由于被反射区反射的外部光而导致色觉劣化的问题。另外，当为了防止由于被反射的外部光而导致色觉劣化而将反射区的反射率降低时，显示装置不能在非显示状态下通过反射区来正确地执行反射镜功能。
技术实现要素：
因此，本发明的实施方式涉及基本上消除了由于相关技术的限制和不足而导致的一个或更多个问题的具有反射区的显示装置。
本发明的一个目的是提供能够防止由于被反射区反射的外部光而导致色觉劣化的显示装置。
本发明的另一个目的是提供其中反射区可以具有足够的反射率以在非显示状态下用作反射镜的显示装置。
本发明的额外优点、目的和特征将在随后的描述中部分地阐述，并且对于本领域的普通技术人员在阅读了下文之后将部分地变得显而易见，或者可以通过本发明的实践而得知。可以通过书面的说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点并且根据本发明的目的，如本文中实施和广义描述的，提供了一种显示装置，该显示装置包括下基板和与下基板相对的上基板。下基板包括发射区和反射区。发光结构设置在下基板的发射区上。在上基板上设置与下基板的反射区交叠的可变反射结构。可变反射结构包括依次堆叠在上基板上的第一可变电极、可变反射层和第二可变电极。
可变反射层可以包括被具有第一极性的第一材料和具有与所述第一极性不同的第二极性的第二材料填充的微胶囊。第二材料的反射率可以比第一材料的反射率高。
第一材料可以比第二材料暗。第一材料可以包含炭黑。
第二材料可以包含诸如铝(Al)或银(Ag)这样的金属。
可以在上基板上设置与下基板的发射区交叠的上绝缘图案。上绝缘图案的侧表面可以与可变反射结构直接接触。
上绝缘图案可以包含透明材料。
与发光结构交叠的滤色器可以设置在上基板上。上绝缘图案可以设置在上基板和滤色器之间。
滤色器可以包括与可变反射结构交叠的端部。
为了实现本发明的另一个目的，一种显示装置包括下基板和与下基板相对的上基板、下基板上的下发光电极。下发光电极的边缘被堤绝缘层覆盖。发光层设置在下发光电极的被堤绝缘层暴露的表面上。上发光电极设置在发光层上。在上基板上设置与堤绝缘层交叠的可变反射层。
可以在上基板上设置与可变反射层的侧表面接触的上绝缘图案。上绝缘图案的厚度可以与可变反射层的厚度相同。
反射图案可以设置在堤绝缘层和可变反射层之间。
可变反射层可以包括电泳器件(EPD)。
第一可变电极可以设置在上基板和可变反射层之间。第二可变电极可以设置在可变反射层和反射图案之间。第二可变电极可以与可变反射层的边缘交叠。
反射图案可以与可变反射层的被第二可变电极暴露的部分直接接触。
为了实现本发明的另一个目的，一种显示装置包括：下基板，该下基板包括发射区和反射区；上基板，该上基板与所述下基板相对；发光结构，该发光结构在所述下基板的所述发射区上；以及可变反射结构，该可变反射结构设置在所述上基板和所述下基板之间，并且与所述反射区交叠。
所述反射区的反射率可以根据所述可变反射结构的状态而改变。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并入并构成本申请的一部分，附图例示了本发明的实施方式并且与描述一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是示意性地示出根据本发明的实施方式的显示装置的视图；
图2A和图2B是图1中的区域P1的放大视图；
图3A和图3B是示出根据本发明的另一个实施方式的显示装置的可变反射结构的视图；
图4是示出根据本发明的另一个实施方式的显示装置的视图；
图5A和图5B是图4中的区域P2的放大视图；
图6、图7、图8和图9是分别示出根据本发明的实施方式的显示装置的各种示例的视图。
具体实施方式
下文中，通过参照附图进行的以下详细描述，将清楚地理解与本发明的实施方式的以上目的、技术配置和操作效果相关的细节，这些附图例示了本发明的示例实施方式。这里，提供了本发明的实施方式，以便使本发明的技术精神能够令人满意地提供给本领域技术人员，因此本发明可以按照其它方式来实施，而不限于下面描述的实施方式。
另外，在整个说明书中，相同或相似的元件可以用相同的附图标记来表示，并且在附图中，为了方便起见，可以夸大层和区域的长度和厚度。应该理解，当第一元件被称为在第二元件“上”时，尽管第一元件可以按照与第二元件接触的方式设置在第二元件上，但是可以在第一元件和第二元件之间插入第三元件。
这里，可以使用诸如(例如)“第一”和“第二”这样的术语来将任一个元件与另一个元件区分开。然而，可在不脱离本发明的技术精神的情况下根据本领域的技术人员的方便对第一元件和第二元件进行任意命名。
本发明的说明书中使用的术语仅用于描述特定实施方式，并不意图限制本发明的范围。例如，以单数形式描述的元件旨在包括多个元件，除非上下文另有明确指示。另外，在本发明的说明书中，还应该理解，术语“包括”或其变型指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合，但并不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有示例实施方式所属的本领域普通技术人员通常理解的相同的含义。还应该理解的是，诸如在通用字典中定义的术语这样的术语应被解释为具有与其在相关领域背景下的含义一致的含义，并且不应以理想化或过度正式的含义来解释，除非本文中如此明确定义。
图1是示意性地示出根据本发明的实施方式的显示装置的视图。
参照图1，根据本发明的实施方式的显示装置可以包括下基板110、薄膜晶体管120、发光结构140B、140R、140G和140W、上基板210、可变反射结构300和上绝缘图案400。
下基板110可以支承薄膜晶体管120以及发光结构140B、140R、140G和140W。下基板110可以包含绝缘材料。例如，下基板110可以包含玻璃或塑料。
下基板110可以包括发射区BEA、REA、GEA和WEA以及反射区RA。下基板110可以包括显示各种颜色的发射区BEA、REA、GEA和WEA。例如，下基板110可以包括显示蓝色的蓝色发射区BEA、显示红色的红色发射区REA、显示绿色的绿色发射区GEA和显示白色的白色发射区WEA。反射区RA可以设置在发射区BEA、REA、GEA和WEA之间。发射区BEA、REA、GEA和WEA中的每一个可以通过反射区RA与相邻的发射区BEA、REA、GEA和WEA分隔开。
薄膜晶体管120可以设置在下基板110上。薄膜晶体管120中的每一个可以包括栅极、栅绝缘层、半导体图案、源极和漏极。栅绝缘层可以设置在栅极和半导体图案之间。源极和漏极可以分别与半导体图案的相对端部电连接。薄膜晶体管120中的每一个还可以包括蚀刻阻挡件，蚀刻阻挡件覆盖半导体图案在源极和漏极之间的表面。
根据本发明的实施方式的显示装置被描述为每个薄膜晶体管120的半导体图案可以设置在栅极和源/漏极之间。然而，在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，薄膜晶体管120中的每一个可以包括设置在半导体图案和源/漏极之间的栅极。
根据本发明的实施方式的显示装置被描述为薄膜晶体管120与下基板110直接接触。然而，根据本发明的另一个实施方式的显示装置还可以包括下基板110和薄膜晶体管120之间的缓冲层。缓冲层可以包含绝缘材料。例如，缓冲层可以包含硅氧化物。
根据本发明的实施方式的显示装置还可以包括在薄膜晶体管120上的平整层130。平整层130可以消除由于薄膜晶体管120而导致的厚度差。薄膜晶体管120可以完全被平整层130覆盖。例如，平整层130的面对上基板210的上表面可以与下基板110的表面平行。平整层130可以包含绝缘材料。例如，平整层130可以包含有机绝缘材料。
根据本发明的实施方式的显示装置被描述为薄膜晶体管120与平整层130直接接触。然而，根据本发明的另一个实施方式的显示装置还可以包括薄膜晶体管120和平整层130之间的下钝化层。下钝化层可以包含绝缘材料。下钝化层可以包含与平整层130不同的材料。例如，下钝化层可以包含硅氧化物和/或硅氮化物。下钝化层可以具有多层结构。
发光结构140B、140R、140G和140W可以显示特定的颜色。发光结构140B、140R、140G和140W可以与下基板110的发射区BEA、REA、GEA和WEA交叠。例如，发光结构140B、140R、140G和140W可以包括与下基板110的蓝色发射区BEA交叠的蓝色发光结构140B、与下基板110的红色发射区REA交叠的红色发光结构140R、与下基板110的绿色发射区GEA交叠的绿色发光结构140G以及与下基板110的白色发射区WEA交叠的白色发光结构140W。
发光结构140B、140R、140G和140W中的每一个可以包括依次堆叠在下基板110上的下发光电极141B、141R、141G和141W、发光层142和上发光电极143。
可以通过与对应的发射区BEA、REA、GEA和WEA相关的薄膜晶体管120来控制发光结构140B、140R、140G和140W。例如，每个发光结构140B、140R、140G和140W的下发光电极141B、141R、141G和141W可以与对应的薄膜晶体管120电连接。发光结构140B、140R、140G和140W可以设置在平整层130上。例如，平整层130可以包括使每个薄膜晶体管120的一部分暴露的接触孔。
下发光电极141B、141R、141G和141W可以包含导电材料。下发光电极141B、141R、141G和141W可以包含反射率高的材料。例如，下发光电极141B、141R、141G和141W可以包含诸如铝(Al)和银(Ag)这样的金属。下发光电极141B、141R、141G和141W可以具有多层结构。例如，下发光电极141B、141R、141G和141W可以具有其中包含反射率高的金属的反射电极设置在包含诸如ITO和IZO这样的透明导电材料的透明电极之间的结构。
每个发光结构140B、140R、140G和140W的下发光电极141B、141R、141G和141W可以与邻近的发光结构140B、140R、140G和140W的下发光电极141B、141R、141G和141W电绝缘。例如，在蓝色发光结构140B和绿色发光结构140G之间的红色发光结构140R的红色下发光电极141R可以与蓝色发光结构140B的蓝光下发光电极141B和绿色发光结构140G的绿光下发光电极141G分隔开。
根据本发明的实施方式的显示装置还可以包括位于邻近的下发光电极141B、141R、141G和141W之间的堤绝缘层150。堤绝缘层150可以填充邻近的下发光电极141B、141R、141G和141W之间的空间。例如，堤绝缘层150可以覆盖每个下发光电极141B、141R、141G和141W的边缘。堤绝缘层150可以包含绝缘材料。例如，堤绝缘层150可以包含诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺和感光亚克力这样的有机绝缘材料。平整层130可以包含与堤绝缘层150不同的材料。
发光层142可以设置在由堤绝缘层150暴露的下发光电极141B、141R、141G和141W上。例如，发光层142可以与对应的发射区BEA、REA、GEA和WEA上的堤岸绝缘层150所暴露的下发光电极141B、141R、141G和141W的表面直接接触。
发光层142可以产生亮度与对应的发光结构140B、140R、140G和140W的下发光电极141B、141R、141G和141W和上发光电极143之间的电压差对应的光。例如，发光层142可以包含具有发光材料的发光材料层(EML)。所述发光材料可以包括有机材料、无机材料或混合材料。例如，根据本发明的实施方式的显示装置可以是具有有机发光层的有机发光显示装置。
为了提高发光效率，发光层142可以具有多层结构。例如，发光层142还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
上发光层143可以设置在发光层142上。上发光层143可以包含导电材料。上发光层143可以具有与下发光电极141B、141R、141G和141W不同的结构。例如，上发光层143可以是透明电极。
根据本发明的实施方式的显示装置还可以包括位于发光结构140B、140R、140G和140W上的上钝化层160。上钝化层160可以保护发光结构140B、140R、140G和140W免受外部湿气渗透和外部冲击的影响。上钝化层160可以延伸至堤绝缘层150上。上钝化层160可以包含绝缘材料。上钝化层160可以具有多层结构。例如，上钝化层160可以具有其中包含有机材料的有机层设置在包含无机材料的无机层之间的结构。
上基板210可以与下基板110相对。例如，上基板210可以设置在发光结构140B、140R、140G和140W上。上基板210可以包含绝缘材料。上基板210可以包含透明材料。例如，上基板210可以包含玻璃或塑料。
上基板210可以包括发射区BEA、REA、GEA和WEA以及反射区RA。上基板210的反射区RA可以与下基板110的反射区RA交叠。例如，上基板210的发射区BEA、REA、GEA和WEA可以通过上基板210的反射区RA分隔开。上基板210的发射区BEA、REA、GEA和WEA可以与下基板110的发射区BEA、REA、GEA和WEA交叠。例如，上基板210可以包括蓝色发射区BEA、红色发射区REA、绿色发射区GEA和白色发射区WEA。
可变反射结构300可以设置在上基板210上。例如，可变反射结构300可以设置在上基板210面对下基板110的下表面上。可变反射结构300可以设置在上基板210的反射区RA上。可变反射结构300可以与下基板110的反射区RA交叠。可变反射结构300可以与堤绝缘层150交叠。在本发明的实施方式中，可变反射结构300或组件可以与上基板210的反射区RA或下基板110的反射区RA准确地交叠，但是这不是必需的，并且可变反射结构300或其组件的尺寸可以不同于反射区RA的尺寸。
可变反射结构300可以分别包括依次堆叠在上基板210上的第一可变电极310、可变反射层320和第二可变电极330。
第一可变电极310可以靠近上基板210设置。例如，第一可变电极310可以与上基板210的下表面直接接触。第一可变电极310可以包含导电材料。第一可变电极310可以包含透明材料。例如，第一可变电极310可以包含ITO或IZO。
第二可变电极330可以设置在第一可变电极310上。第二可变电极330可以包含导电材料。第二可变电极330可以包含与第一可变电极310不同的材料。例如，第二可变电极330可以包含诸如铝(Al)和银(Ag)这样的反射率高的金属。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，能够防止或减少漏光。
可变反射层320可以设置在第一可变电极310和第二可变电极330之间。可变反射层320可以根据施加到第一可变电极310和第二可变电极330的电压而具有不同的反射率。例如，可变反射层320的反射率可以因发光结构140B、140R、140G和140W的状态而改变。在本发明的实施方式中，可变反射结构300可以与上基板210的反射区RA或下基板110的反射区RA准确地对齐，或者可以直接位于上基板210的反射区RA或下基板110的反射区RA的上方或下方，但是这不是必需的。例如，可变反射结构300的位置可以偏离反射区RA的位置。在本发明的实施方式中，第一可变电极310、可变反射层320和第二可变电极330的尺寸可以相对于彼此相同或不同。例如，可变反射层320的宽度可以与第一可变电极310和第二可变电极330中的至少一个不同。例如，可变反射层320的宽度可以比第一可变电极310和第二可变电极330中的至少一个宽或窄。在本发明的其它实施方式中，可变反射层320的宽度可以与第一可变电极310和第二可变电极330中的至少一个相同。
图2A和图2B是图1中的区域P1的放大视图。
参照图1、图2A和图2B，根据本发明的实施方式的显示装置的可变反射层320可以包括分散溶剂321和设置在分散溶剂321内的微胶囊322。
分散溶剂321可以包含能够根据施加到第一可变电极310和第二可变电极330的电压而使得微胶囊322能够自由移动的材料。分散溶剂321可以具有非极性性质。例如，分散溶剂321可以包含卤化溶剂、饱和烃、硅油、低分子量含卤聚合物、环氧化物、乙烯基醚、乙烯基酯、芳香烃、甲苯、萘、石蜡族液体或聚三氟氯乙烯聚合物。
微胶囊322中的每一个可以被具有第一极性的第一材料322C和具有与第一极性不同的第二极性的第二材料322M填充。微胶囊322中的第一材料的位置和第二材料的位置可以取决于施加到第一可变电极310和第二可变电极330的电压。例如，当第二极性的电压被施加到第一可变电极310并且第一极性的电压被施加到第二可变电极330时，第一材料322C可以朝着第一可变电极310移动，并且第二材料322M可以朝着对应的微胶囊322内的第二可变电极330移动，如图2A中所示。例如，当第一极性的电压被施加到第一可变电极310并且第二极性的电压被施加到第二可变电极330时，第一材料322C可以朝着第二可变电极310移动，并且第二材料322M可以朝着对应的微胶囊322内的第一可变电极310移动，如图2B中所示。
第二材料322M的反射率可以高于第一材料322C的反射率。例如，第二材料322M可以包含诸如铝(Al)和银(Ag)这样的金属。因此，根据本发明的实施方式的显示装置可以通过控制施加到第一可变电极310和第二可变电极330的电压来调整对应的微胶囊322内的第二材料322M的位置，以便改变上基板210的反射区RA上的可变反射结构300的反射率。
例如，可变反射层320的反射率可以根据发光结构140B、140R、140G和140W是否实现图像而改变。例如，在发光结构140B、140R、140G和140W没有实现图像的非显示状态下，根据本发明的实施方式的显示装置可以控制第二材料322M靠近对应的微胶囊322内的第一可变电极310设置，如图2A中所示。例如，在发光结构140B、140R、140G和140W实现了图像的显示状态下，根据本发明的实施方式的显示装置可以控制第一材料322C靠近对应的微胶囊322内的第一可变电极310设置，如图2B中所示。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，显示状态下的反射区RA的反射率可以相对低于非显示状态下的反射区RA的反射率。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，非显示状态下的反射区RA可以具有足够的反射率以用作反射镜，并且可以减小显示状态下的反射区RA的反射率，以便防止色觉劣化。
相比于第二材料322M，第一材料322C可以接近黑色。例如，第一材料322C可以包含炭黑。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，显示状态下的反射区RA可以因可变反射结构300的第一材料322C而变黑。也就是说，在根据本发明的实施方式的显示装置中，反射区RA可以在显示状态下用作黑底。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以提高显示状态下的图像质量。
上绝缘图案400可以设置在上基板210的发射区BEA、REA、GEA和WEA上。上绝缘图案400可以与下基板110的发射区BEA、REA、GEA和WEA交叠。上绝缘图案400可以与发光结构140B、140R、140G和140W交叠。
上绝缘图案400的侧表面可以与可变反射结构300直接接触。例如，上绝缘图案400可以设置在邻近的可变反射结构300的可变反射层320之间。邻近的可变反射层320可以通过上绝缘图案400而绝缘。因此，在本发明的实施方式的显示装置中，能够防止每个可变反射层320的微胶囊322受邻近的可变反射结构300的影响。
上绝缘图案400的厚度可以与可变反射层320的厚度相同。第一可变电极310可以在上基板210和上绝缘图案400之间延伸。第二可变电极330可以包括与上绝缘图案400的边缘交叠的端部。第二可变电极330可以完全覆盖可变反射层320的面对下基板110的下表面。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可变反射层320的分散溶剂321内的所有微胶囊322都可以被第一可变电极310和第二可变电极330利用。
上绝缘图案400可以包含绝缘材料。上绝缘图案400可以包含透明材料。例如，上绝缘图案可以包含硅氧化物。
在根据本发明的实施方式的显示装置中，发光结构140B、140R、140G和140W可以显示相同的颜色。例如，每个发光结构140B、140R、140G和140W的发光层142可以包含相同的材料。每个发光结构140B、140R、140G和140W的发光层142可以彼此连接。例如，发光层142可以延伸至堤绝缘层150上。发光层142可以显示容易转换成另一种颜色的颜色。例如，发光层142可以显示白色。上发光电极143可以沿着发光层142延伸。例如，每个发光结构140B、140R、140G和140W的上发光层143可以彼此连接。
根据本发明的实施方式的显示装置还可以包括滤色器500B、500R和500G。发射区BEA、REA、GEA和WEA中的每一个可以通过滤色器500B、500R和500G实现对应的颜色。滤色器500B、500R和500G可以不设置在实现与发光结构140B、140R、140G和140W的发光层142相同的颜色的发射区BEA、REA、GEA和WEA上。例如，滤色器500B、500R和500G可以包括与下基板110的蓝色发射区BEA交叠的蓝色滤色器500B、与下基板110的红色发射区REA交叠的红色滤色器500R和与下基板110的绿色发射区GEA交叠的绿色滤色器500G。
滤色器500B、500R和500G可以设置在发光结构140B、140R、140G和140W与上绝缘图案400之间。例如，滤色器500B、500R和500G可以设置在上绝缘图案400的面对下基板110的下表面上。滤色器500B、500R和500G可以延伸至可变反射结构300上。例如，滤色器500B、500R和500G中的每一个可以包括与可变反射层320的边缘交叠的端部。滤色器500B、500R和500G中的每一个可以完全覆盖对应的上绝缘图案400的下表面。因此，根据本发明的实施方式的显示装置能够防止漏光。
在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以用填充物600填充设置有发光结构140B、140R、140G和140W的下基板110与设置有可变反射结构300的上基板210之间的空间。例如，填充物600可以设置在上钝化层160与滤色器500B、500R和500G之间。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，能够防止发光结构300B、300R、300G和140W因外部冲击而受损。
因此，根据本发明的实施方式的显示装置可以根据发光结构140B、140R、140G和140W的状态来调整上基板210的反射区RA上的可变反射结构300的反射率，使得能够在显示状态下防止或减少由于被反射的外部光而导致的色觉劣化，并且非显示状态下的反射区RA具有足够的反射率。由此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，能够改善显示状态下的图像质量和非显示状态下的反射镜功能。
根据本发明的实施方式的显示装置被描述为每个可变反射结构300的可变反射层320可以包括被具有第一极性的第一材料322C和具有第二极性的第二材料322M填充的微胶囊322。然而，在根据本发明的实施方式的显示装置中，每个可变反射结构300的可变反射层320可以包括具有第一极性的第一带电粒子323和具有第二极性的第二带电粒子324。第一带电粒子323和第二带电粒子324可以被分散在分散溶剂中。例如，在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，可变反射层320可以包括电泳器件(EPD)。
第一带电粒子323可以是反射率相对高于第二带电粒子324的材料。第二带电粒子324可以比第一带电粒子323黑。根据本发明的另一个实施方式的显示装置可以控制施加到第一可变电极310和第二可变电极330的电压，使得第一带电粒子323在非显示状态下设置在第一可变电极310附近，如图3A中所示。另外，根据本发明的另一个实施方式的显示装置可以控制施加到第一可变电极310和第二可变电极330的电压，使得第二带电粒子324在非显示状态下设置在第一可变电极310附近，如图3B中所示。因此，在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，可以根据是否实现图像来调整反射区的反射率，使得能够改善显示状态下的图像质量和非显示状态下的反射镜功能。
根据本发明的实施方式的显示装置被描述为可变反射层320的反射率直接根据发光结构140B、140R、140G和140W的状态而改变。然而，根据本发明的另一个实施方式的显示装置可以通过调整可变反射层320的透射率来改变可变反射结构300的反射率。例如，在本发明的另一个实施方式的显示装置中，可变反射结构300中的每一个可以包括依次堆叠在上基板210上的第一可变电极310、可变反射层320、第二可变电极330和反射图案340。第二可变电极330可以使可变反射层320的面对下基板110的下表面部分地暴露。可变反射层320的被第二可变电极330暴露的下表面可以与反射图案340直接接触。
图5A和图5B是图4中的区域P2的放大视图。参照图4、图5A和图5B，在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，每个可变反射结构300的可变反射层320可以包括分散溶剂321和分散在分散溶剂321中的黑色带电粒子325。根据施加到第一可变电极310和第二可变电极330的电压，黑色带电粒子325可以朝着第一可变电极310或第二可变电极330移动。例如，根据本发明的另一个实施方式的显示装置可以向第二可变电极330施加极性与黑色带电粒子325的极性相反的电压，使得黑色带电粒子325可以聚集在第二可变电极330周围，如图5A中所示。另外，根据本发明的另一个实施方式的显示装置可以向第一可变电极310施加极性与黑色带电粒子325的极性相反的电压，使得黑色带电粒子325可以聚集在第一可变电极310周围，如图5B中所示。因此，根据本发明的另一个实施方式的显示装置可以通过施加到第一可变电极310和第二可变电极330的电压来改变可变反射层320的透射率。在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，当可变反射层320的透射率较高时，由于反射图案340而导致的外部光反射会增加。也就是说，在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，由于如图5A中所示因黑色带电粒子325移动到第二可变电极330周围而使由于反射图案340而导致的外部光反射增加，因此能够增加非显示状态下的反射区RA的反射率。另外，在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，由于如图5B所示黑色带电粒子325被设置成靠近第一可变电极310，因此反射区RA可以在显示状态下用作黑底。因此，在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，由于通过根据发光结构140B、140R、140G和140W的状态调整可变反射层320的透射率来改变可变反射结构300的反射率，使得能够有效地改善显示状态下的图像质量和非显示状态下的反射镜功能。
根据本发明的实施方式的显示装置被描述为通过包含具有一定极性的材料的可变反射层320来改变反射区RA的反射率。然而，在本发明的另一个实施方式的显示装置中，如图6中所示，可变反射结构300中的每一个可以包括透射率通过第一可变电极310和第二可变电极330之间的电压差而改变的可变透射层350。例如，可变透射层350可以包含液晶。在本发明的另一个实施方式的显示装置中，第二可变电极330可以完全覆盖可变透射层350的面对下基板110的下表面。在本发明的另一个实施方式的显示装置中，每个可变反射结构300可以包括第二可变电极330的面对下基板110的下表面上的反射图案340。在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，第二可变电极330可以是透明电极。因此，根据本发明的另一个实施方式的显示装置可以使用第一可变电极310和第二可变电极330之间的电压差来改变可变反射层320的反射率，使得能够高效地改善显示状态下的图像质量和非显示状态下的反射镜功能。
根据本发明的实施方式的显示装置被描述为上基板210和可变反射层320之间的第一可变电极310沿着上基板210的表面延伸。然而，在如上所述的根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，可变反射层320的面对下基板110的下表面和上绝缘图案400的面对下基板110的下表面上的第二可变电极330可以是公共电极，如图7中所示。
根据本发明的实施方式的显示装置被描述为滤色器500B、500R和500G设置在上绝缘图案400上。然而，根据本发明的另一个实施方式的显示装置可以包括上钝化层160上的滤色器170B、170R和170G，如图8中所示。在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，滤色器170B、170R和170G中的每一个可以设置在由于堤绝缘层150而导致的厚度差内。根据本发明的另一个实施方式的显示装置还可以包括位于滤色器170B、170R和170G上的器件钝化层180。器件钝化层180可以包含绝缘材料。例如，器件钝化层180可以包含硅氧化物和/或硅氮化物。器件钝化层180可以具有多层结构。
根据本发明的实施方式的显示装置被描述为发光结构140B、140R、140G和140W的发光层142彼此连接。然而，在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，发光结构140B、140R、140G和140W中的每一个可以包括分隔开的发光层142B、142R、142G和142W，如图9中所示。例如，在根据本发明的另一个实施方式的显示装置中，蓝色发光结构140B可以包括蓝色发光层142B，红色发光结构140R可以包括红色发光层142R，绿色发光结构140G可以包括绿色发光层142G，并且白色发光结构140W可以包括白色发光层142W。
结果，根据本发明的实施方式的显示装置能够根据发光结构的状态来控制反射区的反射率。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，能够防止或减少由于被反射区反射的外部光而导致的色觉劣化。另外，在根据本发明的实施方式的显示装置中，反射区可以在非显示状态下具有足够的反射率。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，能够改善显示状态下的图像质量和非显示状态下的反射镜功能。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年11月29日提交的韩国专利申请No.10-2016-0160043的优先权权益，该韩国专利申请的全部内容以引用方式并入到本文中。