本发明涉及半导体散热领域，其中所涉及一种高功率半导体激光器散热方法。
背景技术：
随着激光的问世，激光技术在各个技术领域得到了广泛的应用，由于半导体激光器具有体积小、功率大、性能稳定等优点，在工业、医学、军事等各领域都得到了广泛的应用。随着激光器封装技术的不断成熟，所需激光器功率不断增大，激光器封装难度也越来越高。针对激光器大功率的需求，一般有两种解决方法，将半导体芯片并联或串联。并联的方法是将金属热沉作为基底上面焊接半导体芯片以达到半导体芯片并联目的。但是并联方法封装的激光器有大电流小电压的特点，不利于激光器的后续使用。
技术实现要素：
本发明为了解决上述问题，从而提供一种高功率半导体激光器散热方法。
本发明基于结构函数法的热阻仪测量sic和aln封装f-mount器件的热阻值,得到sic器件的总热阻约为3.0℃/w,aln约为3.4℃/w,sic器件的实测热阻值比aln器件小14.7%。
sic过渡热沉具有较好的散热性能，通过两种过渡热沉封装器件的输出性能,在16a连续电流注入时,915nm波段的sic器件单管输出功率为15.9w,aln为15w,测试结果显示sic封装的器件具有更高的功率输出水平。
具体实施方式
对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
本发明基于结构函数法的热阻仪测量sic和aln封装f-mount器件的热阻值,得到sic器件的总热阻约为3.0℃/w,aln约为3.4℃/w,sic器件的实测热阻值比aln器件小14.7%。sic过渡热沉具有较好的散热性能，通过了两种过渡热沉封装器件的输出性能,在16a连续电流注入时,915nm波段的sic器件单管输出功率为15.9w,aln为15w,测试结果显示sic封装的器件具有更高的功率输出水平。对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。