技术特征：
技术总结
一种硅通孔互连结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一面；在部分所述基底第一面表面形成第一电连接层，所述第一电连接层的电阻小于多晶硅的电阻；在部分所述第一电连接层表面形成第一插塞；形成所述第一插塞之后，形成贯穿基底的通孔，所述通孔底部暴露出第一电连接层；在所述通孔内形成第二插塞。所述方法使得第一插塞与第二插塞之间的电阻较小。
技术研发人员：冉春明;黄仁德;李志伟;王欢
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2017.12.06
技术公布日：2018.04.20