本发明涉及一种半导体激光器。
背景技术：
常用的全固态倍频激光器往往采用的都是直线腔，在倍频过程中，二次谐波会经过增益介质，增大增益介质的热效应，影响激光器输出光束的稳定性及输出功率，为了减小增益介质的热效应，通常增益介质采用tec制冷，增益介质采用tec制冷时不可避免的要引入复杂的制冷电路系统，从而使装置结构复杂。
垂直腔面发射激光器是当前光电子领域最或与的课题之一，与直线腔半导体激光器相比，垂直腔面发射激光器具有垂直小的发散角、光斑形态好、不需对输出光束进行整形，与传统的固体激光器相比又有体积小、转换效率高等优点。
现有的垂直面发射激光器包括泵浦光源、外腔镜、散热装置、布拉格发射井、工作五只、输出耦合镜；现有的外腔镜体用球面镜，这种外腔镜调节需要十分精确，调节时间长，且激光器的机械性能和热稳定性较差。
技术实现要素：
本发明要解决现有外腔镜调节需要十分精确，调节时间长，且激光器的机械性能和热稳定性较差的问题，而提供一种垂直外腔面发射半导体激光器。
一种垂直外腔面发射半导体激光器由泵浦光源、外腔镜、输出耦合镜片、窗口层、光增益区间、dbr反射镜、散热片、热沉、微通道散热片及底座组成；
所述的窗口层、光增益区间、dbr反射镜、散热片、热沉及微通道散热片为工作区域；窗口层、光增益区间、dbr反射镜、散热片、热沉及微通道散热片由上至下依次设置于底座上；
所述的外腔镜表面镀有增反膜；所述的窗口层镀有增透膜；所述的光增益区间包括光吸收层和周期性多量子阱有源增益区；所述的外腔镜采用单片凹面镜，外腔镜的底面与底座平行，且外腔镜覆盖泵浦光源、工作区域及输出耦合镜片；所述的泵浦光源设置于底座上，且位于工作区域一侧。
本发明的有益效果是：
本发明的外腔镜位置调节简单，泵浦光增益区反射次数增加可以有效减少外腔的腔长，激光器体积小巧具有好的机械和热稳定性。
本发明采用的外腔镜为凹面镜，而且只有一个需要调的外腔镜，只要调节固定外腔镜的底座与工作区域表面平行，同时保证外腔镜将泵浦光、工作区域和输出耦合透镜覆盖即可，镜座只需要具有水平方向微调即可，无更多复杂调节装置。
本发明用于一种垂直外腔面发射半导体激光器。
附图说明
图1为本发明一种垂直外腔面发射半导体激光器的结构示意图。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举的具体实施方式，还包括各具体实施方式之间的任意组合。
具体实施方式一：结合图1具体说明本实施方式，本实施方式一种垂直外腔面发射半导体激光器由泵浦光源1、外腔镜2、输出耦合镜片3、窗口层4、光增益区间5、dbr反射镜6、散热片7、热沉8、微通道散热片9及底座10组成；
所述的窗口层4、光增益区间5、dbr反射镜6、散热片7、热沉8及微通道散热片9为工作区域；窗口层4、光增益区间5、dbr反射镜6、散热片7、热沉8及微通道散热片9由上至下依次设置于底座10上；
所述的外腔镜2表面镀有增反膜；所述的窗口层4镀有增透膜；所述的光增益区间5包括光吸收层和周期性多量子阱有源增益区；所述的外腔镜2采用单片凹面镜，外腔镜2的底面与底座10平行，且外腔镜2覆盖泵浦光源1、工作区域及输出耦合镜片3；所述的泵浦光源1设置于底座10上，且位于工作区域一侧。
泵浦光源1发出的泵浦光经外腔镜2反射，透射经过窗口层4，入射到光增益区间5，泵浦光被光吸收层吸收并产生光生载流子，光生载流子经过周期性多量子阱有源增益区辐射复合后发光，产生光子，光子经过dbr反射镜6反射，透过光增益区间5和窗口层4，透射到外腔镜2表面，一部分光子在外腔镜2的表面和dbr反射镜6之间产生谐振，另一部分从输出至输出耦合镜片3，在dbr反射镜6和输出耦合镜片3同时也产生谐振。当达光子超过阈值强度后，有输出耦合镜片3输出激光。外腔镜2覆盖泵浦光源1、工作区域及输出耦合镜片3与之构成一个谐振腔；
所述的窗口层4镀有增透膜，在光没有达到阈值波长时，内部形成谐振腔。
本实施方式的有益效果是：
本实施方式的外腔镜位置调节简单，泵浦光增益区反射次数增加可以有效减少外腔的腔长，激光器体积小巧具有好的机械和热稳定性。
本实施方式采用的外腔镜为凹面镜，而且只有一个需要调的外腔镜，只要调节固定外腔镜的底座与工作区域表面平行，同时保证外腔镜将泵浦光、工作区域和输出耦合透镜覆盖即可，镜座只需要具有水平方向微调即可，无更多复杂调节装置。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是：所述的泵浦光源1采用发射波长为400nm～600nm半导体或固体激光器，固体激光器为最大输出功率为2w的532nm固体激光器。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二之一不同的是：所述的外腔镜2的材质为bk7材料。其它与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是：所述的输出耦合镜片3为聚焦透镜。其它与具体实施方式一至三相同。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是：所述的窗口层4的透过波长为795nm。其它与具体实施方式一至四相同。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是：所述的光吸收层为algaas，所述的周期性多量子阱有源增益区为algaas势垒。其它与具体实施方式一至五相同。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是：所述的dbr反射镜6为25对～30对algaas/gaas。其它与具体实施方式一至六相同。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是：所述的散热片7的材质为si。其它与具体实施方式一至七相同。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是：所述的热沉8的材质为紫铜。其它与具体实施方式一至八相同。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式一至九之一不同的是：所述的微通道散热片9的材质为紫铜或si。其它与具体实施方式一至九相同。
采用以下实施例验证本发明的有益效果：
实施例一：
一种垂直外腔面发射半导体激光器由泵浦光源1、外腔镜2、输出耦合镜片3、窗口层4、光增益区间5、dbr反射镜6、散热片7、热沉8、微通道散热片9及底座10组成；
所述的窗口层4、光增益区间5、dbr反射镜6、散热片7、热沉8及微通道散热片9为工作区域；窗口层4、光增益区间5、dbr反射镜6、散热片7、热沉8及微通道散热片9由上至下依次设置于底座10上；
所述的外腔镜2表面镀有增反膜；所述的窗口层4镀有增透膜；所述的光增益区间5包括光吸收层和周期性多量子阱有源增益区；所述的外腔镜2采用单片凹面镜，外腔镜2的底面与底座10平行，且外腔镜2覆盖泵浦光源1、工作区域及输出耦合镜片3；所述的泵浦光源1设置于底座10上，且位于工作区域一侧；
所述的泵浦光源1采用发射波长为400nm～600nm半导体或固体激光器，固体激光器为最大输出功率为2w的532nm固体激光器；
所述的外腔镜2的材质为bk7材料；
所述的输出耦合镜片3为聚焦透镜；
所述的窗口层4的透过波长为795nm；
所述的光吸收层是algaas，所述的周期性多量子阱有源增益区为algaas势垒；
所述的dbr反射镜6为30对algaas/gaas；
所述的散热片7的材质为si；
所述的热沉8的材质为紫铜；
所述的微通道散热片9的材质为紫铜。
泵浦光源1发出的泵浦光经外腔镜2反射，透射经过窗口层4，入射到光增益区间5，泵浦光被光吸收层吸收并产生光生载流子，光生载流子经过周期性多量子阱有源增益区辐射复合后发光，产生光子，光子经过dbr反射镜6反射，透过光增益区间5和窗口层4，透射到外腔镜2表面，一部分光子在外腔镜2的表面和dbr反射镜6之间产生谐振，另一部分从输出至输出耦合镜片3，在dbr反射镜6和输出耦合镜片3同时也产生谐振。当达光子超过阈值强度后，有输出耦合镜片3输出激光。外腔镜2覆盖泵浦光源1、工作区域及输出耦合镜片3与之构成一个谐振腔。