本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种两颗tvs并联后与第三颗tvs串联的大浪涌tvs(transientvoltagesuppressors)器件及其制备方法。
背景技术：
随着电子信息技术的发展，半导体器件日趋小型化，高密度和多功能化，尤其是便携式的消费电子产品对主板面积有严格的要求。
瞬态电压抑制器(tvs)是一种用于电压瞬变和浪涌防护的半导体器件，正可以很好的解决这些问题。它具有箝位系数很小，体积小，响应快，漏电流小，可靠性高等优点。因而在电压瞬变和浪涌的防护上得到广泛应用。
随着科技的发展我们希望tvs具有更大抗浪涌能力，并能对两路甚至多路电路同时防护。
技术实现要素：
为解决上述技术问题，本发明提供了一种使用两颗tvs并联后与第三颗tvs串联封装两通路tvs器件及其制备方法，来保证器件能同时对两路电路防护。
本发明采用的技术方案为：
一种两通路tvs器件，包括三颗tvs芯片，其中两颗tvs芯片并联后与第三颗tvs芯片串联组成所述两通路tvs器件。
具体地，所述两通路tvs器件的结构由上到下依次为两颗并排设置的版面较小的tvs和一颗版面较大的tvs，两颗版面较小tvs的结构从上到下依次为上框架、焊料、芯片、焊料、铜片或者中间框架，一颗版面较大的tvs的结构从上到下依次为铜片或中间框架、焊料、芯片、焊料、下框架，所述铜片或者中间框架为三颗tvs芯片共用。
上述两通路tvs器件的制备方法包括以下步骤：
步骤a：把铜片或中间框架、tvs芯片和下框架用焊料进行粘结，然后低温预回流使焊料凝固；
步骤b：把两颗tvs芯片分别与两个上框架用焊料进行粘接，然后低温预回流使焊料凝固；
步骤c：在经步骤a处理的铜片或中间框架上点两排锡膏，把经步骤b处理的芯片与锡膏对齐叠合；
步骤d：隧道炉焊接；
步骤e：塑封，测试。
本发明的有益效果是：本发明是一种双向双路钳位防浪涌器件。可以同时对两路电路实现浪涌防护，本发明可以有集成度要求的电路上使用，并且具有封装体积小，成本低，可靠性高的优点。
附图说明
图1是本发明两通路tvs器件制造方法步骤a的状态示意图；图1a为正视图，图1b为侧视图。
图2是本发明两通路tvs器件制造方法步骤b的状态示意图；图2a为正视图，图2b为侧视图。
图3是本发明两通路tvs器件制造方法步骤c的状态示意图；图3a为正视图，图3b为侧视图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例和附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
如图1-3所示，本发明的两通路tvs器件，包括三颗tvs芯片100、200、300，其中两颗tvs芯片100、200版面是4.5×2.5mm，其并联后与第三颗版面是4.5×2.5mm的tvs芯片300串联组成所述两通路tvs器件；具体结构为，两颗tvs芯片100、200上部通过焊料101、201与上框架102、202焊接在一起，下部通过焊料103、203与铜片或者框架400连接，铜片或者框架400下部通过焊料301与芯片300焊接在一起，芯片300下部通过焊料302与下框架303焊接在一起，铜片或者框架400为三颗芯片共用。
上述两通路tvs器件的制备方法包括以下步骤：
步骤a：把铜片或中间框架400、tvs芯片300和下框架303用焊料进行粘结，然后低温预回流使焊料凝固；使用的tvs芯片耐压为29v，预回流温度260℃；
步骤b：把两颗tvs芯片100、200分别与两个上框架102、202用焊料进行粘接，然后低温预回流使焊料凝固；使用的tvs芯片耐压为29v，预回流温度260℃；
步骤c：在经步骤a处理的铜片或中间框架400上点两排锡膏，把经步骤b处理的芯片100、200与锡膏对齐叠合；
步骤d：隧道炉焊接；隧道炉温度400℃max；
步骤e：塑封，测试；使用的封装为smc-3封装，器件抗浪涌能力达到6kv以上，双向抗浪涌。
以上已将本发明做详细说明，但以上所述，仅为本发明的较好的实施例，不应当限定本发明实施的范围。即，凡是根据本发明申请范围所作的等效变化与修饰等，都应仍然属于本发明的专利涵盖范围内。