1.一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，其特征在于，所述器件包括：
N+源极接触，所述N+源极接触为深槽结构；
Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+源极的下方；
N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；
其中，所述N+源极、Pwell区域、N漂移区构成寄生NPN晶体管结构；
其中，所述器件还包括：
N型空穴阻挡层，所述N型空穴阻挡层设置在所述N+源极的下方，阻挡空穴载流子流动。
2.如权利要求1所述的抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，其特征在于，所述器件还包括：
所述深槽结构两侧填充有厚氧化层介质，所述深槽结构底部形成P+区域，吸收空穴载流子。
3.如权利要求1所述的抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，其特征在于，所述器件还包括：
所述深槽结构位于所述Pwell区域内。