技术总结
本申请提供的一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，涉及半导体器件领域，包括：N+源极接触，所述N+源极接触为深槽结构；Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+源极的下方；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；其中，所述N+源极、Pwell区域、N漂移区构成寄生NPN晶体管结构；其中，所述器件还包括：N型空穴阻挡层，所述N型空穴阻挡层设置在所述N+源极的下方，阻挡空穴载流子流动。解决了现有技术中改善抗单粒子能力的方法存在应用局限性较大，并且工艺实施困难的技术问题，达到了改善传统结构的空穴流动路径，大幅度减少在寄生电阻区域流过的空穴电流，从而有效的压制了寄生晶体管的开启，增强了器件抗单粒子能力的可靠性的技术效果。
技术研发人员：陆江;刘海南;卜建辉;蔡小五;罗家俊;
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所;
文档号码：201711433356
技术研发日：2017.12.26
技术公布日：2018.06.05