技术总结
本发明提供一种恒流器件及其制造方法，包括元胞区和终端区两个部分，元胞区包括多个结构相同并依次连接的元胞，每个元胞包括P型掺杂衬底、N型倒掺杂阱区、扩散P型阱区，终端区包括N型倒掺杂阱区外侧的P型掺杂外延区，本发明恒流器件在P型衬底有源区注入与衬底掺杂类型相反的半导体材料，再通过外延和推阱使得有源区上下对通，使得倒掺杂阱与正掺杂阱相连，如此器件有源区与终端区自然形成PN结隔离，从而避免了衬底PN结边缘缺陷所导致的反向不耐压问题，本发明恒流器件为双极型器件，相比单极型器件，本发明恒流器件有更大的电流密度，可节省芯片面积；且采用双沟道设计，使器件有较强的恒流能力，且恒流时的电流值更加稳定。
技术研发人员：乔明;肖家木;赖春兰;方冬;李路;张波;
受保护的技术使用者：电子科技大学;
技术研发日：2017.12.27
技术公布日：2018.06.12