1.一种基于布拉格相移光栅的电光调制器，其特征是，包括基底层、下波导层和上波导层，所述下波导层和上波导层顺序叠接在基底层的上表面上，所述上波导层的顶部设有等周期的布拉格光栅，布拉格光栅的中间位置设有相移结构，相移结构将布拉格光栅分成大小相同的个光栅结构，所述基底层的宽度尺寸要大于下波导层的宽度尺寸、上波导层的宽度尺寸，基底层的上表面还设有电极。
2.根据权利要求1所述的基于布拉格相移光栅的电光调制器，其特征是，所述基底层为金属银。
3.根据权利要求1所述的基于布拉格相移光栅的电光调制器，其特征是，所述下波导层为低折射率的光电聚合物。
4.根据权利要求1所述的基于布拉格相移光栅的电光调制器，其特征是，所述上波导层为高折射率的硅。
5.根据权利要求1所述的基于布拉格相移光栅的电光调制器，其特征是，所述布拉格光栅的周期单元为凹凸状的对称矩形结构，并且周期单元中凹槽部分与凸起部分宽度相同。
6.根据权利要求1所述的基于布拉格相移光栅的电光调制器，其特征是，所述电极为两个金属电极，两个金属电极分别设置于基底层1上表面上的下波导层和上波导层的组合体的两侧。
7.根据权利要求1所述的基于布拉格相移光栅的电光调制器，其特征是，所述下波导层和上波导层的宽度均为200nm。