一种低旁瓣毫米波雷达天线及毫米波雷达传感器系统的制作方法

文档序号:13563410阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种低旁瓣毫米波雷达天线,其特征在于,包括:顺次连接的金属地板、高频介质板和天线辐射层;

所述天线辐射层包括:串联阵列天线、不等分功率分配器和导电过孔;

所述串联阵列天线的输入端与所述不等分功率分配器的输出端连接,多个所述导电过孔在所述不等分功率分配器的至少一侧分布,每个所述导电过孔穿透所述高频介质板,与所述金属地板连通。

2.根据权利要求1所述的低旁瓣毫米波雷达天线,其特征在于,所述天线辐射层还包括:第一阻抗匹配链路;

所述第一阻抗匹配链路与所述不等分功率分配器的输入端连接,所述第一阻抗匹配链路的两侧设置有所述导电过孔。

3.根据权利要求2所述的低旁瓣毫米波雷达天线,其特征在于,分布在同时靠近所述第一阻抗匹配链路和所述不等分功率分配器位置的所述导电过孔上设置有遮挡片。

4.根据权利要求1所述的低旁瓣毫米波雷达天线,其特征在于,当所述导电过孔在所述不等分功率分配与所述串联阵列天线连接的一侧有分布时,所述导电过孔设置在所述不等分功率分配器与所述串联阵列天线的连接点的两侧。

5.根据权利要求1所述的低旁瓣毫米波雷达天线,其特征在于,所述导电过孔设置在所述不等分功率分配器的公分节点的周围。

6.根据权利要求1所述的低旁瓣毫米波雷达天线,其特征在于,还包括:第二阻抗匹配链路,所述串联阵列天线的输入端通过所述第二阻抗匹配链路与所述不等分功率分配器的输出端连接。

7.根据权利要求1所述的低旁瓣毫米波雷达天线,其特征在于,所述导电过孔与所述不等分功率分配器的距离为50Ω线宽的3~5倍。

8.根据权利要求1所述的低旁瓣毫米波雷达天线,其特征在于,所述导电过孔的直径为0.1mm~0.5mm。

9.根据权利要求1所述的低旁瓣毫米波雷达天线,其特征在于,所述导电过孔的间距为0.3mm~1.5mm。

10.一种毫米波雷达传感器系统,其特征在于,包括权利要求1~9任意一项所述的低旁瓣毫米波雷达天线。

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