1.一种基于缺陷地结构的低耦合微带天线阵，包括介质基板、接地板、辐射贴片和缺陷地结构，接地板在介质基板背面下方，其特征在于：所述缺陷地结构是一个哑铃形槽：哑铃形槽的上下两端是两个全等的矩形，两个全等的矩形由一个肘形的结构连接；所述辐射贴片包括两个矩形贴片。
2.根据权利要求1所述的一种基于缺陷地结构的低耦合微带天线阵，其特征在于：所述缺陷地结构的个数为一个或者一个以上。
3.根据权利要求1所述的一种基于缺陷地结构的低耦合微带天线阵，其特征在于：所述辐射贴片沿介质基板中心线左右对称。
4.根据权利要求1所述的一种基于缺陷地结构的低耦合微带天线阵，其特征在于：所述两个矩形贴片的长度L均为15.26mm，宽度W均为14.63mm。
5.根据权利要求1所述的一种基于缺陷地结构的低耦合微带天线阵，其特征在于：所述两个矩形贴片的间距m=15mm。
6.根据权利要求1所述的一种基于缺陷地结构的低耦合微带天线阵，其特征在于：所述辐射贴片采用同轴馈电方式，且馈电点偏置。