本实用新型属于光伏发电技术领域，具体涉及一种抗PID光伏组件。
背景技术：
目前，光伏电站中大量出现因PID(Potential Induced Degradation，电势诱导衰减)引起的发电量大幅度衰减的问题。PID的产生与光伏组件的四种材料(玻璃、封装材料、电池片以及底板材料)存在密切联系。
目前，由于光伏组件在结构设计上还不能有效阻隔水汽入侵组件，而且封装材料EVA不可能做到100％的绝缘，尤其在高温和高湿的环境中，入侵的水汽通过密封硅胶或背板进入组件内部引发EVA中的醋酸酯链分解，产生醋酸小分子，醋酸和玻璃反应产生钠离子，钠离子在外加电场的作用下向电池表面移动并富集到减反射层，导致PID现象的产生。在高温、高湿和高压的条件下易出现PID现象，PID现象的出现有时会导致光伏组件功率衰减50％以上，直接影响了电站的发电量及投资者的收益。
因此，亟需一种结构合理，能有效阻隔水汽入侵组件的抗PID光伏组件。
技术实现要素：
为解决现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种抗PID光伏组件，该光伏组件结构合理，能够有效阻隔水汽入侵组件，防止PID现象出现。
本实用新型的技术方案如下：
一种抗PID光伏组件，包括第一玻璃板、第一封装材料层、电池片、第二封装材料层、底板和边框，第二封装材料层的横截面为U型，电池片设置在第二封装材料层的凹槽的内底面，第一封装材料层设置在电池片的上表面，第一玻璃板设置在第一封装材料层的上表面，且边部置于第二封装材料层的侧边上，底板设置在第二封装材料层的下表面，边框围设于第一玻璃板、第二封装材料层和底板外周。
所述第一封装材料层的上表面与第二封装材料层的侧边的上表面平齐。
所述第二封装材料层包括第一层和第二层，第二层的横截面为U型，第一层设置在第二层凹槽的底面，电池片设置在第一层的上表面。
第二层的材质为抗PID封装材料。
第二层的材质为POE树脂。
第一层的材质为EVA树脂。
第一封装材料层的材质为EVA树脂。
与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：
本实用新型的抗PID光伏组件通过将第二封装材料层的横截面设为U型，电池片设置在第二封装材料层的凹槽的内底面，第一封装材料层设置在电池片的上表面，第一玻璃板设置在第一封装材料层的上表面，且边部置于第二封装材料层的侧边上，第一玻璃板、第一封装材料层和第二封装材料层将电池片封装在第一玻璃板和第二封装材料层形成的内腔中，因此能够有效阻隔水汽入侵组件，防止PID现象出现。
进一步的，第二封装材料层包括第一层和第二层，第一层设置在第二层凹槽的底面，电池片设置在第一层的上表面，第一层能够阻挡层压过程中第二层的材料的上溢，以防第二层的材料的上溢导致组件的透光率降低。
附图说明
图1本实用新型的抗PID光伏组件的截面结构示意图；
图2本实用新型的第二封装材料层的截面示意图。
其中，1-第一玻璃板，2-第一封装材料层，3-电池片，4-第二封装材料层，4-1-第一层，4-2-第二层，5-底板，6-边框。
具体实施方式
下面结合附图和实施例来对本实用新型作进一步的说明。
如图1所示，本实用新型的抗PID光伏组件，包括第一玻璃板1、第一封装材料层2、电池片3、第二封装材料层4、底板5和边框6，第二封装材料层4的横截面为U型，电池片3设置在第二封装材料层4的凹槽内，电池片3设置在凹槽的底面，第一封装材料层2设置在电池片3的上表面，第一封装材料层2的上表面与第二封装材料层4的侧边的上表面平齐，第一封装材料层2的材质为EVA树脂，第一玻璃板1设置在第一封装材料层2的上表面，且边部置于第二封装材料层4的侧边上，底板5设置在第二封装材料层4的下表面，边框6围设于第一玻璃板1、第二封装材料层4和底板5外周。当光伏组件为双玻组件时，底板5为玻璃板，当光伏组件为单玻组件时，底板5为背板。
如图2所示，本实用新型的第二封装材料层4包括第一层4-1和第二层4-2，第二层4-2的横截面为U型，第一层4-1设置在第二层4-2凹槽的底面，电池片3设置在第一层4-1的上表面；第一层4-1的材质为高透光的EVA树脂；第二层4-2的材质为抗PID封装材料，优选为POE树脂；第二层4-2的抗PID封装材料包裹第一层4-1，组件边缘四周均由第二层4-2封装，实现良好的水汽阻隔，同时，第一层4-1为高透光的EVA树脂，能够阻挡层压过程中抗PID材料的第二层4-2上溢而导致组件的透光率降低，能够保证电池片3上表面为高透光的EVA树脂，提升组件发电量。
本实用新型的抗PID光伏组件还具有以下优势：
第一层4-1的材质为高透光的EVA树脂，第二层4-2的材质为抗PID封装材料，第一封装材料层2的材质为EVA树脂，因此能够减少抗PID封装材料的用量，降低组件成本，同时，第二层4-2的U型封边能够有效阻隔水汽入侵，确保组件的可靠性。