技术总结
一种AlN外延层以及AlGaN光电器件，涉及半导体外延技术领域，该AlN外延层依次包括蓝宝石衬底、N极性隔绝层、成核层、缺陷修复层和快速沉积层。N极性隔绝层在较低温度下沉积得到，可以防止形成N极性AlN，以形成单一的Al极性。成核层的沉积温度略有提高，使得Al原子的表面迁移能力提高，以提高成核层质量。缺陷修复层在较高温度下沉积得到，其可以保证应变释放和位错湮灭，并降低点缺陷浓度。快速沉积层则是在高温下沉积得到，高温利于保持Al原子的高迁移能力，生长效率高。该AlN外延层表面平整、没有表面缺陷、极性单一、位错密度低。该AlGaN光电器件是在上述AlN上继续生长得到，其表面平整、没有表面缺陷、位错密度低。
技术研发人员：何晨光;赵维;吴华龙;张康;贺龙飞;陈志涛
受保护的技术使用者：广东省半导体产业技术研究院
技术研发日：2017.08.18
技术公布日：2018.09.04